Formation of nanostructures in a Ga<Subscript>2</Subscript>Se<Subscript>3</Subscript>/GaAs system

The topology of GaAs(100) and GaAs(111) surfaces before and after short treatments in Se vapor is studied by atomic-force microscopy. On the basis of this study, as well as ellipsometry and electron microscopy, a mechanism for the formation and growth of Ga₂Se₃(110) nanoislands and a layer on the GaAs(100) and GaAs(111) surfaces is proposed.     

Two-Color Photodetector for the Visible Spectral Range Based on ZnSe/ZnS/GaAs Bragg Reflector

Journal of Communications Technology and Electronics - Effect of the ZnSe/ZnS/GaAs distributed Bragg reflector (DBR) on the parameters of the spectral response of a photodiode based on rectifying...     

网络在实验教学中的应用研究

本文分析了高校实验教学的现状以及实验课的课堂指导局限性,提出以网络辅助课堂指导,使其成为实验教学的一种补充,并分析了网络作为实验教学补充形式的优势和可能存在的问题。根据通信电路实验室的实验内容和发展规划,提出建设电子技术制作、开发和应用网站的实施方案。确定网站的发展分两个阶段,规划了每个阶段的任务。网站的系统平台充分利用了新技术的优势采用了Linux＋Apache＋PHP＋MySQL。为了搞好网络教学这种现代化的教学模式,笔者从教师、学生及网站等几个方面提出一些建议。     

Reconstruction and electron states of a Ga2Se3-GaAs heterointerface

It is established by electron microscopy and electron diffraction analysis that the formation of Ga₂Se₃(110) layers on GaAs(100) and (111) surfaces during heat treatment of the latter in selenium vapor is accompanied by the formation of transition regions with crystallographic orientations [310] and , respectively. It follows from an investigation of the spectrum of surface electron states in the resulting heterostructures that a reduction in the density of surface electron states is achieved only after selenium vapor treatment in a narrow interval of treatment durations (from 5 min to 30 min under the conditions established in the present study). All the results are discussed on the basis of concepts involving reconstruction of the gallium arsenide surface during chalcogen treatment. Fiz. Tekh. Poluprovodn. 33, 712–715 (June 1999)     

MoO3掺杂Ba0.98Bi0.02(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电性能研究

采用固相反应法制备了Ba<,0.98>Bi<,0.02>(Ti<,0.9>Zr<,0.1>)<,1-x>Mo<,x>O<,3>(x=0,0.01,0.03,0.05)陶瓷,研究了MoO<,3>掺杂对Ba<,0.98>Bi<,0.02>(Ti<,0.9>Zr<,0.1>)O<,3>陶瓷的相结构、表面形貌和介电性能的影响....     

基于Mamdani型直觉模糊推理的图像融合算法

提出了一种基于Mamdani型直觉模糊推理的图像融合算法,该算法首先根据融合目标设定推理规则,并根据推理规则建立直觉模糊推理系统,并将待融合图像的每个像素点直觉模糊化并输入系统,经过推理得到输出图像每个像素点的隶属、非隶属程度,最后通过解模糊计算输出图像的灰度值得到融合图像。实验结果证明,该算法的有效性,且由于直觉模糊集更加精确地描述了客观事物的不确定性,其融合结果优于基于模糊推理系统图像融合算法得到的结果。     

多尺度变换和粒子群优化的图像融合方法

在图像融合领域,基于多尺度变换的图像融合方法是研究的热点,文中提出了一种基于多尺度变换和粒子群优化的图像融合方法,对基于多尺度变换得到的融合图像,利用粒子群优化进行进一步处理,并讨论了优化算法中初始图像质量对最终结果的影响。实验结果表明,该算法具有较好的融合结果,且优化时选取偏差大的初始图像粒子,能够获得更好的融合结果。     

基于直觉模糊推理的医学图像融合方法研究

针对传统的模糊推理融合方法生成融合图像质量不高的问题,提出了一种基于直觉模糊推理的医学图像融合新方法。根据直觉模糊集的定义,利用直觉模糊理论在处理不确定问题中的优势,制定直觉模糊推理规则,进行图像融合。给出了算法的具体步骤,仿真结果表明,文中提出的算法明显优于传统的模糊推理融合算法。     

采用新型可调谐有源电感的频率可调谐高Q低噪声的带通滤波器

对采用双回转结构交叉耦合差分有源电感(DGC-DAI)的可调谐、高品质因子Q和低噪声差分有源带通滤波器(THQLNA-BPF)进行了研究。输入级,采用差分共基-共射结构,以抑制噪声和获得高频特性;输出级,采用差分共集放大器,以获得高的驱动能力和高的隔离度;有源电感滤波网络,利用DAI电感值可宽范围调谐、高Q值和低的噪声,来分别实现BPF的中心频率的宽范围调节、高Q值和良好的噪声特性;进一步地,利用变容二极管网络改善BPF中心频率的可调性和提高Q值,利用有源可调负阻网络提高BPF的Q值和进行Q值独立调节。基于WIN 0.2μm GaAs HBT工艺,利用ADS对THQLNA-BPF进行性能验证。结果表明:中心频率可在1.68 GHz~4.32 GHz范围内调谐,调谐量达2.64 GHz;最大和最小Q分别达到83.6和33.6;噪声范围为6.04 dB~8.83 dB;在中心频率为3.69 GHz时,输入1 dB压缩点为-7.3 dBm,稳定系数μ>1;静态功耗小于18 mW。