高功率高亮度半导体激光器件

由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域.为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一.进行国内连续808 am两半导体激光迭阵耦合实验.采用自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦,可耦合输出光斑2 min×2 mm,总体输出效率大于50%.国内没有对迭阵进行耦合实验的报道.为达到耦合器件的输出效率自行设计耦合选择器的镀膜材料体系,并将此研究应用于光电对抗实验中.     

外部光反馈对980nm垂直腔面发射激光器振荡特性的影响

研究了外部光反馈对980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)振荡特性的影响.计算了垂直腔面发射激光器及边发射半导体激光器的光反馈灵敏因子.基于复合腔理论,分析了外部光反馈对垂直腔面发射激光器的阈值电流及微分量子效率等振荡特性参数的影响.实验结果表明,当反馈率为10%时,垂直腔面发射激光器的阈值电流由0.63A下降至0.59A,同时斜率效率和输出功率也有所下降.实验结果和理论分析符合得较好.     

基于ARM7的炭黑复合导电材料的电阻-温度测量系统

以研究炭黑复合材料的特性为目的,设计了一种炭黑复合导电材料的电阻一温度测量系统。简要介绍了炭黑复合材料用途,分析了系统的组成和原理,给出实验数据。该系统以ARM7内核的LPC2124微处理器为主控制器,实时监测电源电压,实现对温度准确控制,同时测量炭黑复合材料的电阻和温度的变化,经阻值和温度校准后,显示被测材料的电阻和温度值并提供一个友好的用户界面。实验结果表明,该系统具有较高的测量准确度。     

保偏光纤耦合器新型封装材料的稳定性研究

分析了以往保偏光纤耦合器封装工艺存在的一些技术缺陷,以及在试验过程中这些缺陷对保偏光纤耦合器造成的不良影响.针对存在的问题,提出了一种新的高稳定性的材料——低温玻璃封装用于耦合器的封装,经过一系列实验(工作温度,高温寿命,交变湿热,温度冲击),并对实验结果分析,新的封装基本达到预期目标.     

导电聚合物直接电镀技术

虽然传统的PTH（镀通孔）工艺十分成熟,应用广泛,但仍有很多不足之处。因此一些取代传统PTH工艺的直接电镀技术应用而生。导电聚合物直接电镀技术已经较为成熟,文中系统介绍了EcopactCP工艺的导电聚合物直接电镀技术。     

面向全光信号处理的三角形光脉冲产生技术

三角形光脉冲在时域范围内具有前后沿恒定变化特性,使得其在全光信息处理领域获得了广泛应用。主要针对目前国内外提出的两类三角形光脉冲产生方法：（1）电光法;（2）全光法,简单介绍了几种具体的获得稳定三角形光脉冲串的方法,从所产生三角形脉冲的重复频率、脉冲宽度以及系统稳定性、实验优缺点等方面进行分类比较,并重点介绍了一种利用连续波光调制结合色散所致功率衰落的脉冲生成方法。     

电视台网络化制播系统AV-IT测试理论研究

传统电视工艺以AV技术为主,但随着IT技术尤其是网络化制播技术的发展,越来越多的AV系统架设在IT平台上,出现了AV和IT交互的部分,成为AV-IT系统,由此产生了一系列与测试相关且需要深入研究的问题。在电视系统中,AV-IT系统负责完成节目在信号、流和文件三大信息表达域间的转换,转换中需定量分析AV-IT过程的质量、性能、合规性和功能符合性。本文在分析AV-IT系统的基本特征的基础上,对AV-IT系统中的音视频信息交换过程,以及可能引起信息损伤的内在原因进行了全面分析,系统地阐述了AV-IT系统测试理论,制定出了AV-IT系统的基本测试项目。     

InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题研究

研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题.通过故障分析以及有针对性的排查对比试验,排除了封装、胶水填充和划片等因素,并将故障定位在钝化工艺前.通过对钝化前的InSb材料片表面进行X射线光电子能谱测试,发现它含有A1和As等杂质元素,存在钝化前材料表面杂质含量较多的隐患.杂质元素在PN结的耗尽区形成杂质能级,加...     

电离层垂直探测中扰动观测模式研究

电离层高频反射回波的多普勒频移观测是研究电离层扰动的一个重要方法.利用电离层垂直探测中的组合脉冲控制和回波相位测量分析方法,开发并实现了一种电离层扰动观测模式.实验观测表明,新开发的观测模式在电离层高频反射回波为窄带信号的情况下,可实时获得高精度多普勒频高图,并给出电离层扰动速度的时空变化曲线,能够满足电离层扰动观测研究的需要.     

HgCdTe／CdZnTe晶格失配与X光衍射貌相的关系研究

文章采用富Te水平推舟液相外延工艺在CdZnTe衬底上生长了HgCdTe外延薄膜。研究了外延薄膜／衬底晶格失配度、X光衍射貌相、红外焦平面器件探测率三者之间的关系。对于HgCdTe外延层的X光衍射貌相我们将其大致分为五类，分别是Crosshatch貌相、混合貌相、均匀背景貌相、Mosaic貌相以及由衬底质量问题引起的沟壑状貌相，采用Crosshatch貌相和混合貌相材料所制备的红外焦平面器件，平均来说其探测率(D*)较高。X射线双轴衍射的实验结果表明，当外延层与衬底的晶格失配度为～0.03％时，外延层会呈现明显的Crosshatch貌相；而当失配度减小时，会逐渐呈现出混合貌相、均匀背景貌相、直至失配度为负值时呈现Mosaic貌相。因此，对于特定截止波长的HgCdTe焦平面器件，可以通过控制HgCdTe／CdZnTe之间的失配，生长出符合我们要求的貌相的碲镉汞外延材料，从而来提高焦平面器件的性能。