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111.
A contact layer element for large deformations   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
112.
The selenol group of selenocysteine is much more nucleophilic than the thiol group of cysteine. Selenocysteine residues in proteins thus offer reactive points for rapid post-translational modification. Herein, we show that selenoproteins can be expressed in high yield and purity by cell-free protein synthesis by global substitution of cysteine by selenocysteine. Complete alkylation of solvent-exposed selenocysteine residues was achieved in 10 minutes with 4-chloromethylene dipicolinic acid (4Cl-MDPA) under conditions that left cysteine residues unchanged even after overnight incubation. GdIII−GdIII distances measured by double electron–electron resonance (DEER) experiments of maltose binding protein (MBP) containing two selenocysteine residues tagged with 4Cl-MDPA-GdIII were indistinguishable from GdIII−GdIII distances measured of MBP containing cysteine reacted with 4Br-MDPA tags.  相似文献   
113.
Combined photochemical arylation, “nuisance effect” (SNAr) reaction sequences have been employed in the design of small arrays for immediate deployment in medium-throughput X-ray protein–ligand structure determination. Reactions were deliberately allowed to run “out of control” in terms of selectivity; for example the ortho-arylation of 2-phenylpyridine gave five products resulting from mono- and bisarylations combined with SNAr processes. As a result, a number of crystallographic hits against NUDT7, a key peroxisomal CoA ester hydrolase, have been identified.  相似文献   
114.
115.
The machining of metal surfaces and the application of functional coatings by means of a flexible tool (a rotating wire brush) is considered. Frictional cladding may be applied on metal-cutting machines by means of simple attachments or manual angle grinders.  相似文献   
116.
117.
118.
119.
120.
Bochkareva  N. I.  Ivanov  A. M.  Klochkov  A. V.  Kogotkov  V. S.  Rebane  Yu. T.  Virko  M. V.  Shreter  Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode...  相似文献   
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