物联网对图书馆事业的双重影响

作为信息产业的第三次浪潮,物联网技术的发展与应用为人与物、物与物之间的信息交换创造了一个全新的平台。国内物联网技术研究与应用的不断深入,将对图书馆事业的发展产生深远影响。文中探讨了物联网对图书馆事业的双重影响,分析了物联网技术带来的优势和挑战,最后强调了以技术为依托,回归服务本质的理念。     

协议宏功能在PLC串行通信中的应用

越来越多的自动化设备自身配置有串行通信接口（如自动化仪表、变频器、伺服驱动器等）,在工业控制现场与可编程逻辑控制（PLC）之间需要进行大量的数据传输,包括现场数据采集、设备的远程控制等。本文以欧姆龙中型CJ2系列PLC协议宏功能为例,比较以往串行通信功能,在可靠性、程序繁琐程度、调试方便性等几方面的优越性。     

双轴加载条件下疲劳裂纹扩展的研究

在双轴加载条件下对Ⅰ型疲劳裂纹扩展进行了研究。载荷范围从0.08σ_s到0.71σ_3,包括比例加载和非比例加载。基于对Von Mises理论的讨论,提出一个新的力学参数。双轴加载条件下的弹塑性参数P成功地描述了双轴比例加载和非比例加载下的疲劳裂纹扩展。     

PVDF-HFP@PMIA纤维锂电隔膜的充放电及高温熔断性能

通过同轴静电纺丝技术,采用不同内径针头制备了皮芯结构聚偏氟乙烯-六氟丙烯@聚间苯二甲酰间苯二胺(PVDF-HFP@PMIA)纳米纤维膜,对制得的纤维膜进行热处理后测试其充放电及高温熔断性能.结果表明:19G(内径0.7 mm)针头制备的纤维膜,其断裂强度为26.6 MPa,孔隙率89.31％,电解液吸液率达到627.78％,经240℃高温处理未发生明显的收缩变形;组装该隔膜的纽扣电池的离子电导率达到7.55 mS·cm-1,电化学稳定窗口良好,首次放电比容量和库伦效率分别为142.6 mAh·g-1和91.87％,在0.2C倍率下50次循环后的放电比容量仍保持在144.8 mAh·g-1左右;在1C和5C的高倍率充放电性能上展现出优于商业Celgard隔膜的潜力.180℃高温熔断后隔膜的孔隙被熔融的皮层材料堵塞,形成了致密的膜状结构,界面阻抗由91.5急剧增大到603.7,说明熔断后Li+很难再通过隔膜进行迁移.     

基于实验方法的硅胶圆管柔性关节静力学研究

采用两种不同材料的硅胶管和弹性骨架制作了柔性关节,对其进行静力学实验,得出了在相同气压下的弯曲角度和夹持力,并建立了柔性关节形变模型,获得了其气压下的形变特性。研究结果表明: 硅胶胶管邵氏硬度越小,其剪切弹性模量和弹性模量越小,其硅胶管制的柔性关节柔性和力学特性越好。该研究为弹性硅胶管在气动人工驱动器的应用进一步研究奠定了基础。     

6UPS并联机构杆长误差标定及其对动平台运动的影响分析

分析了不同误差对并联机构的影响,尤其是杆长误差对动平台姿态误差的影响.建立了采用并联机构运动学反解模型的矢量法误差求解模型;针对6UPS并联刀具机构的结构特点,使用支链分析方法,对由杆长误差引起的动平台误差变化趋势及变化的敏感性方向进行了分析.使用激光干涉仪完成了误差测量实验,使用多组姿态数据的不同组合进行误差计算,获得了优化的杆长误差数据.完成了杆长误差对动平台误差变化影响的数值分析与矢量合成两种方法的验证.     

基于SPW的流星余迹极低信噪比通信系统建模与仿真*

SPW具有丰富的通信库和DSP库,且具有灵活的自定义模块能力,是一种复杂通信系统建模和仿真工具.流星余迹通信是一种特殊的通信方式,在通信领域中具有特殊的重要地位.介绍了流星余迹极低信噪比通信系统原理的基础,给出了基于SPW的流星余迹极低信噪比通信系统仿真模型及仿真结果.     

清洁能源发展与挑战

综合国家能源局、中国电力企业联合会数据和国家电网有限公司运行情况,介绍了2020年全国和国家电网有限公司区域清洁能源的发展与运行情况,分析了"双碳"目标下我国清洁能源发展态势,以及新能源大规模接入电网给电力系统稳定和可靠供电带来的影响和挑战.最后针对构建以新能源为主的电力系统提出了相关的建议.     

冷坩埚结构及其透磁性模拟研究

采用COMSOL软件建立冷坩埚模型,根据电磁场基本理论,研究不同的分瓣形状、分瓣数、缝宽、壁厚和坩埚高度对坩埚透磁性的影响,为国产化冷坩埚制备提供理论参考.     

CSP流程和传统流程生产无取向硅钢50W1300析出物分析

采用配备了X射线能谱分析仪的Tecnai F20场发射透射电子显微镜对CSP流程和传统流程生产的50W1300无取向硅钢析出物类型、形貌和尺寸进行了对比分析.结果表明:不同流程生产的50W1300无取向硅钢的析出物主要为AlN、CuXS/MnS以及Ti(CN)的单相或复合析出物,但CSP流程中Ti(CN)的含量明显高于传统流程;采用CSP流程生产的50W1300无取向硅钢中析出物平均尺寸仅69 nm,比传统流程生产的208 nm明显细小,对最终产品晶粒长大具有更强的抑制效应.