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单壁碳纳米管的制备及生长特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响 相似文献
72.
催化裂化装置结焦问题的探讨 总被引:9,自引:0,他引:9
针对中国石化股份公司所属56套催化裂化装置近两年半以来由于结焦造成非计划停工的原因,进行分析、探讨并提出了解决办法。指出催化裂化装置的结焦虽然是不可避免的、但通过采取有效措施,可以把结焦对装置安全生产的危害降低到最小程度。 相似文献
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74.
75.
本文叙述了我国管道业面临的市场机遇和受到天然气价格等因素的制约以及进口钢管的挑战。建议中国管道业应适当发展ERW610机组和UOE机组的高质量产品;在钢板上宜以X70级为主,设备潜力可向X80级为目标而努力。 相似文献
76.
数字多媒体广播(DMB)是从数字音频广播(DAB)基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。 相似文献
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Kerber A. Cartier E. Pantisano L. Degraeve R. Kauerauf T. Kim Y. Hou A. Groeseneken G. Maes H.E. Schwalke U. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(2):87-89
The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling. 相似文献
79.
80.
从油气勘探、开发投资的特性出发,正确选择投资绩效评价指标,是保证评价科学性以及进行中外对比研究的前提条件。 相似文献