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NiTi形状记忆合金基本驱动特性 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了预应变NiTi形状记忆合金的基本驱动特性,结果表明,加热和冷却过程回复力存在滞后行为;卸载过程中应力与应变具有与加热、冷却过程相关的非线性关系;卸尖力随卸载应变速率增加而降低,此外研究了预应变NiTi合金丝产生回复力后对外应力的响应行为。 相似文献
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DB Fenske KF Wong E Maurer N Maurer JM Leenhouts N Boman L Amankwa PR Cullis 《Canadian Metallurgical Quarterly》1998,1414(1-2):188-204
A new method, based on the ion-translocating properties of the ionophores nigericin and A23187, is described for loading large unilamellar vesicles (LUVs) with the drugs vincristine and ciprofloxacin. LUVs composed of distearoylphosphatidylcholine/cholesterol (DSPC/Chol) (55:45 mol/mol) or sphingomyelin (SPM)/Chol (55:45 mol/mol) exhibiting a transmembrane salt gradient (for example, internal solution 300 mM MnSO4 or K2SO4; external solution 300 mM sucrose) are incubated in the presence of drug and, for experiments involving divalent cations, the chelator EDTA. The addition of ionophore couples the outward movement of the entrapped cation to the inward movement of protons, thus acidifying the vesicle interior. External drugs that are weak bases can be taken up in response to this induced transmembrane pH gradient. It is shown that both nigericin and A23187 facilitate the rapid uptake of vincristine and ciprofloxacin, with entrapment levels approaching 100% and excellent retention in vitro. Following drug loading, the ionophores can be removed by gel exclusion chromatography, dialysis, or treatment with biobeads. In vitro leakage assays (addition of 50% mouse serum) and in vivo pharmacokinetic studies (in mice) reveal that the A23187/Mn2+ system exhibits superior drug retention over the nigericin/K+ system, and compares favorably with vesicles loaded by the standard DeltapH or amine methods. The unique features of this methodology and possible benefits are discussed. 相似文献
166.
含淀粉聚乙烯膜的时控光降解研究 总被引:2,自引:0,他引:2
使用复合光降解剂,得到了可光降解的生物降解膜。对膜的光降解进行了考察,并对影响光降解的因素进行了讨论,结果表明,我们所制得的膜是一种较好的时控光降解膜。 相似文献
167.
Lee V.V. Kuehne S.C. Nguyen C.T. Beiley M.A. Wong S.S. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1993,40(7):1223-1230
A local interconnection technology utilizing polysilicon strapped with selective-chemical-vapor-deposited (CVD) tungsten has been developed. Both n- and p-channel MOS transistors have been successfully fabricated using this technology. Tungsten deposited on polysilicon is an attractive gate shunt and local interconnection material because of its low resistivity, immunity to dopant segregation and diffusion, and resistance to electromigration. A potential problem of this technology is the excessive diode leakage current associated with strapping shallow source/drain diodes with tungsten. The leakage is attributed to defects induced by the heavy source/drain implant, which can be effectively eliminated with a proper annealing procedure 相似文献
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分子结构对增塑聚氯乙烯性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了聚合度、分子量分布和支化结构对增塑聚氯乙烯加工流变性能和物理力学性能的影响。结果表明,增塑PVC的加工流变性能随聚合度的增加而恶化;拓宽分子量分布和引入支化结构均有利于加工流变性能的提高;增塑PVC的拉伸强度随聚合度的增加而提高,而压缩永久变形却随之减小;分子量分布对物理力学性能的影响不大;支化PVC的拉伸强度略有下降。 相似文献
170.
本文论述了交流探尺的控制原理及到料面信号的检测方法。以其在武钢新3#高炉上的应用为例,给出系统组态、控制框图及它在无料钟系统中所起的补偿倾动角度的作用。最后对交流、直流探尺系统进行了比较。 相似文献