LaNiO3薄膜热稳定性的研究

LaNiO3导电金属氧化物薄膜在现代应用科学研究中作为电极和过渡阻挡层倍受青睐，它具有很好的导电特性和稳定性。该文采用射频溅射法制备了具有(100)择优取向的赝立方结构LaNiO3-x薄膜，并进行了原位热处理。实验结果表明，在265℃的处理条件下，LaNiO3薄膜表现出不稳定性，晶格中的氧在2h内失去了2.7％。氧的损失对品格结构没有明显影响，但薄膜的导电性能明显下降，折射率和消光系数也具有相同幅度的下降。对薄膜的应用具有一定的影响。该文从LaNiO3薄膜的导电机理方面对实验现象给出了分析和解释。     

一种用于卫星电视接收的FZP天线

本文用物理光学法对ＦＺＰ反射器的聚焦场、聚焦效率及偏轴扫描特性等进行初步分析，并由此提出一种使用ＦＺＰ天线实现多颗卫星信号同时接收的技术方案。原理性样机实际接收结果证实了其可行性     

B－ISDN中的拥塞控制技术

Ｂ－ＩＳＤＮ是现代电信网的发展方向，拥塞控制技术则是其中的一个重要问题。由于Ｂ－ＩＳＤＮ采用新的信息传递方式──ＡＴＭ，使传统的拥塞控制方法不再适用。本文依据ＩＴＵ－Ｔ有关建议的最新内容对Ｂ－ＩＳＤＮ拥塞控制的基本思想、工作机制以及其中的主要功能作了较为详细的分析讨论，并提出了一些Ｂ－ＩＳＤＮ拥塞控制技术中尚需进一步研究的问题。     

川东地区长兴组缝洞型储层的识别

本文针对四川东部地区上二叠统长兴组(P_2~2)缝洞型储层的低孔、低渗及非均质性等特点,分析了影响这类储层识别的主要因素,提出了利用现有的地球物理测井手段定性识别储层的指标和定量综合识别储层的方法,这可望提高测试成功率。     

激光微焊接质量的模糊识别技术研究

讨论了激光微焊点焊接质量的模糊识别的概念，数学模型及其应用方法，并介绍了系统的硬件组成。     

Cloning and expression analysis of a novel salicylate suppressible gene, Hs-CUL-3, a member of cullin/Cdc53 family

By using a mRNA differential display technique to search for salicylate suppressible genes, we identified a cDNA in human foreskin fibroblasts, which by GenBankTM DNA data base search shows sequence homology to the recently reported cullin/Cdc53 (CUL) family genes, especially CUL-3. We have cloned the full-length human CUL-3 (Hs-CUL-3) cDNA. It encodes a 768-amino acid polypeptide and has a predicted molecular weight of 88,939. The amino acid sequence of Hs-CUL-3 shows 46% homology to that of its Caenorhabditis elegans ortholog, Ce-CUL-3, and 27 and 23% to that of Hs-CUL-1 and Hs-CUL-2, respectively. Northern blot analysis showed that phorbol 12-myristate 13-acetate increased the expression of Hs-CUL-3 mRNA in a concentration- and time-dependent manner, and this increase was inhibited by sodium salicylate. Hs-CUL-3 widely expressed in human tissues and its expression in cultured COLO205 colon cancer cells was increased when compared with that in normal colon cells. It is likely that Hs-CUL-3 is involved in cell proliferation control.     

GaN的MOVPE生长和m－i－n型蓝光LED的试制

利用自行研制的常压ＭＯＶＰＥ设备和全部国产ＭＯ源，采用低温生长缓冲层技术，在蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上获得了高质量的ＧａＮ外延层。未掺杂的ＧａＮ外延层的室温电子迁移率已达１１４ｃｍ２／Ｖ．ｓ，载流于浓度为２×１０１８。７７Ｋ光致发光谱近带边发射峰波长为３６５ｎｍ，其线宽为４ＤｍｅＶ。Ｘ射线双晶衍射回摆曲线的线宽为３６０ａｒｃｓｅｃ。用Ｚｎ掺杂生长了绝缘的ｉ－ＧａＮ层。在此基础上研制了ｍ－ｉ－ｎ型ＧａＮ的ＬＥＤ，并在室温正向偏压下发出波长为４５５ｎｍ的蓝光。     

二烷基硫代磷酸铵的捕收性能

本文研究了二烷基硫代磷酸铵（ＲＯ）２ＰＳＯＮＨ４（Ｒ＝乙基、丁基、己基、烯丙烯）系列捕收剂对非硫化矿孔雀石、锡石、赤铁矿、白铅矿、方解石和菱锌矿的浮选性能，并就药剂结构与性能关系进行了分析讨论．