预氯化去除饮用水水源中高浓度氨氮等污染因子的应急处理研究

从水污染应急的角度,进行了氨氮的应急处理研究.氨氮去除采用常规工艺与预氯化为主要预氧化工艺比较试验.结果表明,常规的混凝,沉淀工艺对氨氮的去除作用有限,其主要作用仅为去除水中的致浊物质及部分有机物.在投加次氯酸钠作为预氧化药剂之后,发现其具有较好的去除氨氮的效果,当原水氨氮的质量浓度在1.0mg·L~(-1)左右时,次氯酸钠投加量为8.4mg·L~(-1),能够高效地去除氨氮,沉后水氨氮质量浓度为0.292mg·L~(-1)(达到国家一级水源水质标准),去除率为68.78%,UV_(254)也有32.26%的去除率;如同时需要更高的UV_(254)的去除率,则可选用次氯酸钠9.6mg·L~(-1)的投加量,此时氨氮的去除率为87.20%,水源水的氨氮质量浓度在0.123 mg·L~(-1)的水平,同时UV_(254)的去除率可以达到45.16%,从而控制THMs和THMFP这些毒副产物形成量在相当低的水平,是最理想的选择.此法在短时间内作为去除氨氮这种毒性很强的物质的应急使用是可行的,但不能长期使用,因为对微污染水源而言,如投氯量把握不当,则也会产生较多的毒副产物,对饮用水的质量安全构成明显影响.     

以非晶硅为硬掩膜的TaN金属栅的选择性湿法腐蚀

提出了一种在HfSiON介质上,采用非晶硅为硬掩膜的选择性去除TaN的湿法腐蚀工艺。由于SC1(NH4OH:H2O2:H2O)对金属栅具有合适的腐蚀速率且对硬掩膜和高K材料的选择比很高,所以选择它作为TaN的腐蚀溶液。与光刻胶掩膜和TEOS硬掩膜相比,因非晶硅硬掩膜不受SC1溶液的影响且很容易用NH4OH溶液去除（NH4OH溶液对TaN和HfSiON薄膜无损伤）,所以对于在HfSiON介质上实现TaN的选择性去除来说非晶硅硬掩膜是更好的选择。另外,在TaN金属栅湿法腐蚀和硬掩膜去除后, 高K介质的表面是光滑的,这可防止器件性能退化。因此,采用非晶硅为硬掩膜的TaN湿法腐蚀工艺可以应用于双金属栅集成,实现先淀积的TaN金属栅的选择性去除。     

高阻电子检流计的设计

在全面分析指针式检流计的基础上,设计制作了高阻电子检流计。采用恒流源式场效应管差分放大电路作为信号检测、放大电路,同时提高了输入阻抗,减小了检测电路对被测电路的影响,提高了测量的精度;利用LM393电压比较器及其外围电路共同组成了信号比较放大电路,电压比较器LM393的输出控制着发光二极管驱动电路的状态,从而控制着发光二极管的状态,使指示效果更加直观、明显。     

智能救援机器人的设计

主要介绍了一种具有自动寻线、智能避障、智能测距、捡拾硬币、声光报警、数字显示等功能的智能救援机器人的设计。该机器人以直流电机及其控制电路为整个系统的驱动部分,选用AT89S52单片机为整个系统的控制核心,用多种传感器及其控制电路实现机器人的自动寻线、智能避障等功能;采用超声波及其外围电路完成智能测距功能;以电磁铁为主,通过电源的通、断,实现捡、放硬币;为实时观察机器人的状态,还配备了液晶显示器以显示机器人的状态、桥梁的高度等信息。实验证明它能实现智能救援的全部要求,整个系统设计灵巧、控制准确、工作稳定、使用效果良好。     

西安市城市污水再生利用规划

论述了西安市城市污水再生利用规划设计的原则和主要内容,对城市再生水用户及需求量进行了调查分析,对再生水卫生安全保障技术进行了试验研究,对鼓励使用再生水的政策及价格进行了分析,为规划的编制提供了技术支持。     

规划策划是住宅建设成功的灵魂--紫藤新园获金奖的启示

1前言 在市场经济条件下人们一般认为企业的经营目标就是追求经济效益的最大化.在社会主义市场经济条件下,有远见的企业家则认为现代企业经营的理念不能停留在单纯追求经济效益的旧观念上,而是要寻求经济效益、社会效益和环境效益的统一,这是站在高台阶上的可持续发展的经营方针.居住区开发经营关系到社会方方面面的安居乐业,有远见的发展商就会把经济、社会和环境三个效益的有机统一作为企业的指导方针,并且体现在具体的开发项目上.     

金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化

研究了用Ni进行金属诱导横向晶化(MILC)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化,改进了MILC的结构,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布;同时在前人的基础上优化了退火温度及时间,用Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布,最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅,其大小在70～80μm左右.同时讨论了MILC后生成的NiSi2的去除方法,成功地去除了高温退火后生成的NiSi2,大大减小了Ni在多晶硅层中的分布,保证了将MILC方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中.     

SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications

This paper presents a silicon-on-insulator (SOI) integration technology, including structures and processes of OFF-gate power nMOSFETs, conventional lightly doped drain (LDD) nMOSFETs, and spiral inductors for radio frequency integrated circuit (RFIC) applications. In order to improve the performance of these integrated devices, body contact under the source (to suppress floating-body effects) and salicide (to reduce series resistance) techniques were developed for transistors; additionally, locally thickened oxide (to suppress substrate coupling) and ultra-thick aluminum up to 6 /spl mu/m (to reduce spiral resistance) were also implemented for spiral inductors on high-resistivity SOI substrate. All these approaches are fully compatible with the conventional CMOS processes, demonstrating devices with excellent performance in this paper: 0.25-/spl mu/m gate-length offset-gate power nMOSFET with breakdown voltage (BV/sub DS/) /spl sim/ 22.0 V, cutoff frequency (f/sub T/)/spl sim/15.2 GHz, and maximal oscillation frequency (f/sub max/)/spl sim/8.7 GHz; 0.25-/spl mu/m gate-length LDD nMOSFET with saturation current (I/sub DS/)/spl sim/390 /spl mu/A//spl mu/m, saturation transconductance (g/sub m/)/spl sim/197 /spl mu/S//spl mu/m, cutoff frequency /spl sim/ 25.6 GHz, and maximal oscillation frequency /spl sim/ 31.4 GHz; 2/5/9/10-nH inductors with maximal quality factors (Q/sub max/) 16.3/13.1/8.95/8.59 and self-resonance frequencies (f/sub sr/) 17.2/17.7/6.5/5.8 GHz, respectively. These devices are potentially feasible for RFIC applications.     

Na2O.CaO.2P2O5玻璃析晶初期的分形

报道了Ｎａ２Ｏ．ＣａＯ．２Ｐ２Ｏ３玻璃析晶期间的相变过程，认为分形是玻璃分相和析晶期间的亚微观结构变化，其分形合维数为１．８０５±０．００１。     

不同形态硫化物对稠油热采硫化氢产生的贡献分析

随着开发的不断进行,稠油热采过程中硫化氢的产生量不断增加,尤其是在蒸汽驱区块硫化氢的产生量呈现急剧增加的趋势,严重影响了稠油热采区块的安全生产。为了进一步明确稠油热采过程中硫化氢的产生原因,对稠油热采过程中的含水量、处理温度和处理时间等因素进行了分析。研究结果表明,目标稠油在含水量为20%,处理温度为260℃,处理时间为48 h的条件下,不同形态的硫化物能够最大程度地转化为硫化氢;硫醇硫和硫醚硫在稠油热采条件下对硫化氢的产生有贡献,噻吩硫在稠油热采条件下对硫化氢的产生无贡献。分析不同形态硫化物对稠油热采硫化氢产生的贡献,可为高含硫区块的开发及制定相应的防治措施提供技术支持。