基于DMADOV的12Cr1MoV异质接头焊接缺陷分析

通过对12Cr1MoV异质接头进行分析,运用DMADOV流程来提高焊接质量,对焊接过程中产生缺陷的原因进行分析,确定了焊接工艺优化方案,并对其进行验证。对焊接过程的主要缺陷类型进行定性、定量分析,运用有限元法对焊接过程进行焊接模拟,对相关的工艺参数进行优化改进。结果表明,焊接缺陷的成因是多方面的,焊接缺陷最主要的影响因素是焊接工艺参数的设置,通过对焊接工艺参数设置的优化可以提高焊接质量,其中焊接过程中是否进行焊前焊后热处理以及焊接过程中的管理水平也非常重要。     

世界复合材料强国与我国的复合材料现状及发展动向

本文介绍了美国,日本,德国等国复合材料的研究应用现状和发展动向,以及我国的复合材料工业研究开发现状和发展趋势。     

一种基于移动Agent的网格资源发现方法

提出了一种基于移动Agent的非集中式网格资源发现方法,通过Agent共享服务请求环境中重叠部分的信息,减少整个信息索存储空间的数量,从而提高了查找效率。Agent并行处理查找任务,可扩展性提高了。同时提出了一种基于CE算法的资源查找算法ApRD,该算法是完全分布式的,由移动Agent来执行。实验结果表明该方法可获得较满意的资源定位性能,能适应网格资源的分布性、动态参与和良好的可扩展性。     

纸面石膏板受潮挠度过大的原因分析及改善措施

运用热分析(TG-DSC)、X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试手段分析了生产纸面石膏板所用原料熟石膏粉的化学成分、物相组成以及杂质成分对建筑石膏水化性能和板芯与护面纸粘结的影响.结果表明,可以通过选择低Na含量、低黏土含量的原料来降低石膏板受潮变形,同时添加外加剂可以改善石膏晶体的形貌,也能降低受潮挠度;实验室研究结果在石膏板生产线上进行了应用并得到进一步验证.     

基于局部冗余混合编码的故障快速恢复方法

最大距离可分（MDS）码中校验块均为全局校验块,重构链长度随着存储系统规模扩大而增长,重构性能逐渐降低。针对上述问题提出一种新型的非最大距离可分（Non-MDS）码：局部冗余混合编码Code-LM（s,c）。首先,为缩小重构链长度,任意条带单元组内只有局部校验块,分别为组内水平校验块和水平对角校验块,并设计了局部冗余混合编码的校验布局;然后,根据不同校验块的生成规则,设计了失效数据块的4种重构方式,不同失效块的重构链具有公共块;最后,根据两个故障磁盘所在条带单元组距离不同,将双盘故障分为3种情况,并设计了对应的重构算法。理论分析和实验结果表明,存储规模相同时,与RDP相比,Code-LM（s,c）的单盘重构时间和双盘重构时间可减少84%和77%;与V²-Code相比,Code-LM（s,c）的单盘重构时间和双盘重构时间可减少67%和73%。因此局部冗余混合编码可支持故障磁盘快速恢复,提高存储系统可靠性。     

单相光伏并网系统共模电流分析

共模电流问题是光伏并网系统中的一个重要问题,德国DIN VDE 0126—1—1对共模电流做出了相关规定。当共模电流超过规定值时,系统必须在规定的时间内断开。考虑到共模电流在光伏并网系统中的重要性,建立了共模模型。通过分析可知,共模电流与调制技术和电感的安放位置相关。针对上述特点,设计了能够抑制共模电流的新型单相光伏并网系统,即带有交流旁路且电感对称分布在相线和中线上的全桥光伏并网系统。与传统的基于单极性调制技术和双极性调制技术的全桥逆变器系统相比,此结构不但能消除系统产生的共模电流,而且能提高系统效率和并网电流质量,从而提高光伏并网系统的整体性能。理论分析和仿真结果验证了上述模型和系统的正确性和有效性。     

反相乳液法制备水溶性高分子引发剂的选择

分别用KPS—TMEDA、KPS—DMAEMA、KPS—NaHSO3-DMAEMA和KPS-TMEDA—DMAEMA氧化还原引发体系作制备水溶性高分子的引发剂,试验发现KPS—TMEDA和KPS—TMEDA—DMAEMA氧化还原引发体系在反相乳液中引发效果较好,并对4种引发体系的引发机理进行了探讨,试验研究了引发剂用量对聚合反应的影响。     

The Effects of Dynamic Noncovalent Interaction between Surfactants and Additional Salt on the pH-Switchable Interfacial Tension Variations

The dynamic noncovalent interaction between the anionic surfactant sodium dodecyl benzene sulfonate (SDBS) and 1,3-diphenylguanidine (DPG) was employed to control the interfacial activity of the surfactant. At high HCl concentration (1000 mg L⁻¹), the SDBS/DPGⁿ⁺ system could reduce the water/oil interfacial tension (IFT) to 10⁻⁴ mN m⁻¹ order of magnitude, which was much lower than the IFT values in the SDBS/DPG⁺ system with a low HCl concentration (100 mg L⁻¹) and the individual SDBS system by three and four orders of magnitude, respectively. The pH-switchable protonation of amido groups in DPG molecules determines the SDBS/DPG molecular interaction and the amplitude of IFT reduction, which was confirmed by control experiments using two other surfactants (sodium dodecyl sulfate [SDS] and dodecyl trimethylammonium bromide [DTAB]). Moreover, the investigation of the NaCl and temperature effects on the IFT indicated the intensity of mixed SDBS/DPGⁿ⁺ adsorption layers at the water/oil interface.     

HfSiON高K介质在HF基溶液中的湿法腐蚀特性研究

本文研究了HfSiON高K介质在HF基溶液中的湿法腐蚀特性。HF基溶液是最有希望实现HfSiON材料去除的湿法腐蚀溶液,而且通过在HF溶液中加入酸和/或无水乙醇可以提高HF基溶液的选择比。由于退火过程中引起的增密作用,与淀积后的HfSiON相比,经过900°C,30秒退火的HfSiON薄膜在HF基腐蚀溶液中的腐蚀速率显著降低。由于N扩散进入界面层或Si衬底形成在HF基溶液中很难溶解的Si-N键,采用HF基溶液完全去除HfSiON薄膜以后,存在一个不能被腐蚀干净的界面层且被腐蚀的表面未显示疏水特性。在新淀积的高K材料和Si衬底之间存在含有Si-N键的界面层可能因库伦散射而降低载流子迁移率。另外,对于很薄的HfSiON薄膜,在湿法腐蚀前采用N2等离子体处理对提高其湿法腐蚀速率并不是十分有效。     

镍硅化物工艺新进展

随着MOSFET器件的特征尺寸进入亚100 nm,传统自对准硅化物材料,如TiSi_2和CoSi_2,由于其硅化物形成工艺的高硅耗、高形成热预算和线宽效应等特点,已不能满足纳米尺寸器件对硅化物材料的要求,显现出其作为自对准硅化物材料的局限性.NiSi与传统自对准硅化物材料相比,不但具有硅化物形成工艺的低硅耗和低形成热预算,而且具有低电阻率,又不存在线宽效应.所以,NiSi作为纳米尺寸器件最有希望的自对准硅化物材料得到广泛的关注和研究.综合介绍了镍硅化物特性,一硅化镍薄膜形成工艺及其工艺控制问题.