沉香叶中有效成分研究

本文总结学者对沉香叶中有效成分的研究结果,对沉香叶中有效成分进行分析,对其提取方法以及药理学作用进行分析研究,为沉香资源进一步开发利用提供依据。     

2-羟基-4-甲氧基-5-磺酸基二苯甲酮的合成

采用间苯二甲醚为原料,经酰化、脱甲基、磺化一系列的反应合成2-羟基-4-甲氧基-5-磺酸基二苯甲酮,并对其物料配比、催化剂用量、反应温度以及反应时间等因素作了探索.结果表明酰化反应较佳条件为:以二氯甲烷为溶剂,n(间苯二甲醚)∶n(苯甲酰氯)∶n(无水AlCl3)=1∶1.05∶1.05,反应温度0～5℃,反应时间3 ...     

SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications

This paper presents a silicon-on-insulator (SOI) integration technology, including structures and processes of OFF-gate power nMOSFETs, conventional lightly doped drain (LDD) nMOSFETs, and spiral inductors for radio frequency integrated circuit (RFIC) applications. In order to improve the performance of these integrated devices, body contact under the source (to suppress floating-body effects) and salicide (to reduce series resistance) techniques were developed for transistors; additionally, locally thickened oxide (to suppress substrate coupling) and ultra-thick aluminum up to 6 /spl mu/m (to reduce spiral resistance) were also implemented for spiral inductors on high-resistivity SOI substrate. All these approaches are fully compatible with the conventional CMOS processes, demonstrating devices with excellent performance in this paper: 0.25-/spl mu/m gate-length offset-gate power nMOSFET with breakdown voltage (BV/sub DS/) /spl sim/ 22.0 V, cutoff frequency (f/sub T/)/spl sim/15.2 GHz, and maximal oscillation frequency (f/sub max/)/spl sim/8.7 GHz; 0.25-/spl mu/m gate-length LDD nMOSFET with saturation current (I/sub DS/)/spl sim/390 /spl mu/A//spl mu/m, saturation transconductance (g/sub m/)/spl sim/197 /spl mu/S//spl mu/m, cutoff frequency /spl sim/ 25.6 GHz, and maximal oscillation frequency /spl sim/ 31.4 GHz; 2/5/9/10-nH inductors with maximal quality factors (Q/sub max/) 16.3/13.1/8.95/8.59 and self-resonance frequencies (f/sub sr/) 17.2/17.7/6.5/5.8 GHz, respectively. These devices are potentially feasible for RFIC applications.     

基于ST7537HS1的家庭智能控制系统设计

在分析我国家庭智能化系统发展的基础上,结合我国当前实际情况,提出了基于家庭自动化专用modemST7537HS1和MCS51单片机的智能控制系统的总体方案与系统构成,并讨论了系统硬件组成、工作原理及其软件实现方法。该系统利用总线技术和嵌入式技术把家庭中的家用电器集成到一个内部网络中,利用现有的220V电力线作为通信总线,实现了信息传输线路与动力线路的合二为一,该系统无需另外布线,安装操作方便,适合家庭使用。     

同向差速双螺杆摄动环元件作用下分散混合性能

摘要：针对转速比为1∶2的同向差速双螺杆,提出了一种新型摄动环元件强化分散混合。在自行研制的可视化实验样机上,开展等速双螺杆和差速双螺杆挤出实验研究。采用浓度为1.5%的羧甲基纤维素钠溶液作为模拟的黏弹流体,注入红色油性色浆模拟不相容示踪液滴,出口采用与挤出速度同步的拉膜法采集实验流体,使用高速高精度相机记录混合过程和出口薄膜上的混合图像。针对不同螺纹构型、不同转速及不同示踪剂初始位置,在螺槽全充满输送情况下,研究混合过程和出口示踪剂液滴分散混合。可视化实验结果表明,两种螺纹构型具有相似的示踪液滴破裂机制,液滴经过螺棱与机筒间隙时,在缩颈作用下实现大尺度分离;新型差速摄动环元件在上下啮合区存在不对称的台阶结构,折叠拉伸现象更加显著。即使摄动环元件转速比传统双螺杆低,新型摄动环元件仍然具有更优异的分散混合能力,而且转速越高,液滴分散混合的优势越显著。摄动环元件同样表现出混合对初始位置的敏感性,从单头螺杆位置出发的示踪剂液滴分散更均匀。     

新型金属源／漏工程新进展

当MOSFET器件的栅长缩小到纳米尺度以后,金属源/漏(S/D)结构具有一系列的优点:原子级突变结能够抑制短沟道效应(SCE),低S/D串联电阻和接触电阻,S/D形成的低温工艺适宜集成高k栅介质、金属栅和应变硅等新材料,使之成为掺杂硅S/D结构最有希望的替代者.文章主要介绍形成低肖特基势垒高度(SBH,Schottky Barrier Height)结材料的选择,以及采用杂质分凝、界面工程和应变工程等肖特基势垒调节技术的主要制备工艺和势垒调节机理.     

中国IPTV的发展现状与前景分析

IPTV对电信运营商具有巨大的吸引力,发展IPTV不仅仅是应对竞争的需要,更是电信运营商实现向信息服务转型的良好时机。通过介绍全球和中国IPTV发展现状,分析中国发展IPTV过程中遇到的问题,解析IPTV业务运营模式,进而预测中国IPTV发展前景。     

以非晶硅为硬掩膜的TaN金属栅的选择性湿法腐蚀

提出了一种在HfSiON介质上,采用非晶硅为硬掩膜的选择性去除TaN的湿法腐蚀工艺。由于SC1(NH4OH:H2O2:H2O)对金属栅具有合适的腐蚀速率且对硬掩膜和高K材料的选择比很高,所以选择它作为TaN的腐蚀溶液。与光刻胶掩膜和TEOS硬掩膜相比,因非晶硅硬掩膜不受SC1溶液的影响且很容易用NH4OH溶液去除（NH4OH溶液对TaN和HfSiON薄膜无损伤）,所以对于在HfSiON介质上实现TaN的选择性去除来说非晶硅硬掩膜是更好的选择。另外,在TaN金属栅湿法腐蚀和硬掩膜去除后, 高K介质的表面是光滑的,这可防止器件性能退化。因此,采用非晶硅为硬掩膜的TaN湿法腐蚀工艺可以应用于双金属栅集成,实现先淀积的TaN金属栅的选择性去除。     

基于双流循环映射网络的肖像漫画化

肖像风格迁移旨在将参考艺术肖像画中迁移到人物照片上,同时保留人物面部的基本语义结构。然而,由于人类视觉对肖像面部语义结构的敏感性,使得肖像风格迁移任务比一般图像的风格迁移更具挑战性,现有的风格迁移方法未考虑漫画风格的抽象性以及肖像面部语义结构的保持,所以应用到肖像漫画化任务时会出现严重的结构坍塌及特征信息混乱等问题。为此,提出了一个双流循环映射网DSCM。首先,引入了一个结构一致性损失来保持肖像整体语义结构的完整性;其次,设计了一个结合U2-Net的特征编码器在不同尺度下帮助网络捕获输入图像更多有用的特征信息;最后,引入了风格鉴别器来对编码后的风格特征进行鉴别从而辅助网络学习到更接近目标图像的抽象漫画风格特征。实验与五种先进方法进行了定性及定量的比较,该方法均优于其他方法,其不仅能够完整地保持肖像的整体结构和面部的基本语义结构,而且能够充分学习到风格类型。