基于双流循环映射网络的肖像漫画化

肖像风格迁移旨在将参考艺术肖像画中迁移到人物照片上,同时保留人物面部的基本语义结构。然而,由于人类视觉对肖像面部语义结构的敏感性,使得肖像风格迁移任务比一般图像的风格迁移更具挑战性,现有的风格迁移方法未考虑漫画风格的抽象性以及肖像面部语义结构的保持,所以应用到肖像漫画化任务时会出现严重的结构坍塌及特征信息混乱等问题。为此,提出了一个双流循环映射网DSCM。首先,引入了一个结构一致性损失来保持肖像整体语义结构的完整性;其次,设计了一个结合U2-Net的特征编码器在不同尺度下帮助网络捕获输入图像更多有用的特征信息;最后,引入了风格鉴别器来对编码后的风格特征进行鉴别从而辅助网络学习到更接近目标图像的抽象漫画风格特征。实验与五种先进方法进行了定性及定量的比较,该方法均优于其他方法,其不仅能够完整地保持肖像的整体结构和面部的基本语义结构,而且能够充分学习到风格类型。     

体硅衬底上的CMOS FinFET

介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET.除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构,器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面MOSFET,同时该器件结构与传统的CMOS工艺完全相容,并应用了自对准硅化物工艺.实验中制作了多种应用该结构的CMOS单管以及CMOS反相器、环振电路,并包括常规的多晶硅和W/TiN金属两种栅电极.分析了实际栅长为110nm的硅基CMOS FinFET的驱动电流和亚阈值特性.反相器能正常工作并且在Vd=3V下201级CMOS环振的最小延迟为146ps/门.研究结果表明在未来VLSI制作中应用该结构的可行性.     

以非晶硅为硬掩膜的TaN金属栅的选择性湿法腐蚀

提出了一种在HfSiON介质上,采用非晶硅为硬掩膜的选择性去除TaN的湿法腐蚀工艺。由于SC1(NH4OH:H2O2:H2O)对金属栅具有合适的腐蚀速率且对硬掩膜和高K材料的选择比很高,所以选择它作为TaN的腐蚀溶液。与光刻胶掩膜和TEOS硬掩膜相比,因非晶硅硬掩膜不受SC1溶液的影响且很容易用NH4OH溶液去除（NH4OH溶液对TaN和HfSiON薄膜无损伤）,所以对于在HfSiON介质上实现TaN的选择性去除来说非晶硅硬掩膜是更好的选择。另外,在TaN金属栅湿法腐蚀和硬掩膜去除后, 高K介质的表面是光滑的,这可防止器件性能退化。因此,采用非晶硅为硬掩膜的TaN湿法腐蚀工艺可以应用于双金属栅集成,实现先淀积的TaN金属栅的选择性去除。     

超薄氮氧叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性

研究了高质量超薄氮化硅/氮氧化硅(N/O)叠层栅介质的金属栅pMOS电容的电学特性,制备了栅介质等效厚度小于2nm的N/O复合叠层栅介质,该栅介质具有很强的抗硼穿通能力和低的漏电流.实验表明这种N/O复合栅介质与优化溅射W/TiN金属栅相结合的技术具有良好的发展前景.     

ZnS∶La纳米晶的制备及其光学性质研究

采用醋酸锌、醋酸镧和硫代乙酰胺(TAA)为原料,水热合成法制备了粒度分散均匀的镧掺杂硫化锌纳米晶.粉末X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)测试结果表明合成的样品为立方闪锌矿结构;纳米晶为近球形的多晶粒子,平均粒径在25nm左右且分布较窄.从纳米晶紫外-可见(UV-vis)光谱数据计算的半导体带宽(Eg)相对于体相材料有较大的蓝移,表现出明显的量子尺寸效应.用荧光光谱(PL)研究了ZnS∶La纳米晶的光致发光能力,结果表明产物的荧光发射峰位于465nm左右,且具有良好的发光性能.此外,通过改变镧的掺杂量和反应的时间来研究发光强度的变化,随着掺杂量的提高和反应时间的延长,纳米晶的发光强度都呈现出先增强后减弱的趋势,并对具体原因进行了探讨.     

矿区夜景随笔

矿区的夜晚,没有城市的喧嚣、繁华、霓虹灯的点缀,也没有那乡村夜晚的宁静,但也并不缺乏热闹的气息和那份矿区夜晚所独有的"宁静". 当傍晚最后一缕阳光,天空最后一片晚霞渐渐消逝时,夜幕悄然地降临在这片热土之上,月亮和星星也开始上台表演,演绎它们的神话.     

一种大范围太阳光线自动跟踪方法

分析了聚光太阳能发电系统中目前常用的程序跟踪法和传感器跟踪法的特点,阐述了程序跟踪和传感器跟踪相结合实现精确跟踪的原理,并介绍了相应的控制方法和模拟跟踪装置的组成。这种方法可以利用低成本的角度传感器和四象限光电池实现太阳光线的精确跟踪,有利于降低跟踪系统的硬件成本。跟踪装置运行结果与SPA算法的结果比较,实测的跟踪误差不大于0.03°,满足高聚光比太阳能发电系统对太阳跟踪的要求。     

铝基氧化铝模板制备Ag纳米线及其电化学性质

采用电沉积的方法,以减薄阻挡层后的铝基多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,制备了银纳米线。采用场发射扫描电镜(FESEM)和X射线衍射(XRD)等检测手段对产物的形貌和结构进行了表征。实验结果表明,所得的银纳米线具有面心立方结构,长度超过4μm,平均直径60nm左右。将所制备的银纳米线制成电极,电化学性能测试表明,银纳米线具有良好的可逆性和较高的比电容,当电流密度为5mA/cm2时,单电极比容量达到1110F/g。机理分析表明,一维结构的Ag纳米线对于提高电化学电容器的综合性能具有重要意义。     

Mobility Enhancement Technology for Scaling of CMOS Devices: Overview and Status

The aggressive downscaling of complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) technology to the sub-21-nm technology node is facing great challenges. Innovative technologies such as metal gate/high-k dielectric integration, source/drain engineering, mobility enhancement technology, new device architectures, and enhanced quasiballistic transport channels serve as possible solutions for nanoscaled CMOS. Among them, mobility enhancement technology is one of the most promising solutions for improving device performance. Technologies such as global and process-induced strain technology, hybrid-orientation channels, and new high-mobility channels are thoroughly discussed from the perspective of technological innovation and achievement. Uniaxial strain is superior to biaxial strain in extending metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) scaling for various reasons. Typical uniaxial technologies, such as embedded or raised SiGe or SiC source/drains, Ge pre-amorphization source/drain extension technology, the stress memorization technique (SMT), and tensile or comprehensive capping layers, stress liners, and contact etch-stop layers (CESLs) are discussed in detail. The initial integration of these technologies and the associated reliability issues are also addressed. The hybrid-orientation channel is challenging due to the complicated process flow and the generation of defects. Applying new high-mobility channels is an attractive method for increasing carrier mobility; however, it is also challenging due to the introduction of new material systems. New processes with new substrates either based on hybrid orientation or composed of group III–V semiconductors must be simplified, and costs should be reduced. Different mobility enhancement technologies will have to be combined to boost device performance, but they must be compatible with each other. The high mobility offered by mobility enhancement technologies makes these technologies promising and an active area of device research down to the 21-nm technology node and beyond.     

SiO2在真空低价氟化法炼铝过程的分布

热力学研究得出:当系统残余压力为100~10 Pa时,SiO2与碳反应在1465~1353 K以上即可生成Si和CO;在1329~1225 K以上即可生成SiC和CO;SiO2和还原剂碳及氟化铝在1464~1353 K以上反应生成SiF4和CO及铝。实验考察了真空低价氟化法炼铝过程中SiO2的分布。XRD表明:SiO2在低价氟化法炼铝过程中有五种走向:(1)被还原成SiC,存在于残渣相;(2)被还原为单质硅,再与还原出的铁生成硅铁,存在于残渣相;(3)SiO2与冰晶石生成铝硅酸盐进入气相中;(4)SiO2与冰晶石生成气态SiF4,再与冰晶石分解的氟化钠形成Na2SiF6进入冷凝相;(5)形成气态低价氧化硅,再在合适温度下分解为单质硅进入冷凝相。