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71.
以XAD-7树脂为支撑担体制备了含有三种不同咪唑型离子液体([C_8mim][BF_4]、[C_8mim][PF_6]、[C_8mim][(SO_2CF_3)_2N])和萃取剂(苯并15-冠-5)的浸渍树脂,并用于锂同位素的萃取分离。浸渍树脂的红外和扫描电镜表征表明,离子液体成功负载到了树脂上;热重分析表明,该浸渍树脂具有良好的热稳定性。在水相初始pH=5.55时,浸渍树脂具有最佳萃取率。浸渍树脂在LiSCN溶液中具有较高的萃取率,而在CF_3COOLi溶液中呈现较大的单级分离因子,最大单级分离因子达到1.045±0.002。浸渍树脂的萃取平衡时间为2.5~3h。萃取热力学研究表明,该反应为自发过程,温度对体系的影响较小。~6Li富集于固相,~7Li富集在水相。该系列浸渍树脂易于再生,可循环使用。 相似文献
72.
采用显微激光拉曼光谱技术、称重及形貌观察等手段,开展了UF4在氧气或相对湿度93%湿氧气氛中的热化学反应实验研究,获取了UF4不同温度时效后的质量、颜色及失重情况,以及反应前后不同铀化合物的拉曼光谱。结果表明:UF4在氧气或湿氧中加热至200 ℃时,性质稳定,其拉曼光谱基本无变化;250~600 ℃时,样品表面颜色发生明显变化。拉曼光谱分析发现,在氧气气氛中有UO2F2、UO2、U3O8,在湿氧气氛中有UO2F2、UO2F2•2H2O、UO2F2•nH2O、UO2、U3O8等多种铀化合物生成。随着温度的升高,UF4在氧气中的化学反应速率呈现由慢到快再到慢的变化趋势。 相似文献
73.
针对目前特种监护设备接线复杂以及难以检查潜在健康危险的情况,提出了基于无线传感器网络的动态可佩戴生理监测平台,节点包括呼吸、心电、体位、体动、体温等多生理参数类型智能传感器.网关节点采用C-PRS通信方式完成数据远程准确传送.所研制仿真系统,由GPS+GPRS模块XT5开发网关,节点采用Crossbow公司的MICA2和MICA2 DOT的等类型点状系列传感器.由志愿者佩戴后,将采取的生理和位置信息准确传到500公里外的监测点,终端计算机直观地查看到了受试者传送的信息.系统稳定地工作在2.4GHz频段,发射功率-5dB,数据速率最大40kbps.初步实验结果表明,系统原型可由特种监护者工作时佩戴于身体相应部位实时动态生理定位监测.系统通讯距离远,覆盖范围大,适合于核辐射环境下应用. 相似文献
74.
以新建兰新铁路第二双线新疆段高性能混凝土为研究对象,结合沿线气候特点,介绍了砂石原材料质量控制、沿线混凝土结构环境作用等级的划分以及配合比试验、原材料及混凝土温度、混凝土养护等方面的质量控制具体措施,对确保兰新铁路第二双线新疆段高性能混凝土的强度和耐久性具有重要意义. 相似文献
75.
尽可能减小噪声对γ谱分辨率的影响是γ能谱数据获取与处理的关键,传统的脉冲高度分析方法对于已有的脉冲信号噪声的抑制具有局限性.基于高速波形采样技术,提出采用脉冲面积分析方法获取γ谱,利用脉冲面积求和的方法,相当于对噪声信号进行多次采样求和平均,可以有效抑制噪声的影响.通过仿真模拟和实验测量,说明该方法对提高γ能谱分辨率具有显著的效果,可以成为一种有效的分析方法. 相似文献
76.
为研究克隆外源核酸促电离辐射损伤的小鼠肠腺细胞修复的相关基因。建立BALB/c小鼠电离辐射后给予外源RNA与生理盐水治疗的6、12、24h,4d和8d的模型,收集空肠组织标本后采用消减杂交基础上的LD-PCR技术,获取与受照射小鼠肠腺损伤修复相关的基因克隆,对其进行全自动测序与GeneBank检索,新基因递交给基因库。获取了90个与肠腺修复相关的基因,杂交证实在核酸治疗组与生理盐水治疗组之间呈差异表达,其中18个是新基因,GeneBank接受号为AF240164-240181。获取了90个可能与外源核酸促肠腺修复相关的基因克隆,其中18个是新的相关基因。 相似文献
77.
在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。 相似文献
78.
79.
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 相似文献
80.
利用2×6 MV串列静电加速器提供的1~10 MeV质子,开展了线阵电荷耦合器件辐射损伤效应的模拟试验和测量,研制了加速器质子扩束扫描装置及电荷耦合器件辐射敏感参数测量系统,建立了电荷耦合器件质子辐射效应的模拟试验方法,分析了质子注量、质子能量、器件偏置等对器件电荷转移效率和暗电流的影响。模拟试验结果表明,电荷转移效率随辐照质子注量的增加而下降,暗电流随辐照质子注量的增加而增大,在1~10 MeV质子能量范围内,质子能量越低,电荷转移效率的降低与暗电流的增加越显著。 相似文献