Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究

用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5 μm会发生周期性变化     

迫零对Turbo码的性能影响

从距离谱的角度对迫零在Turbo码中的作用进行了理论分析。通过仿真，研究了迫零对Turbo码性能的影响。仿真结果表明，Turbo码编码器迫零处理有助于改善Turbo码的性能。     

钙钛矿型钛酸锶的制备、结构与性能

钛酸锶是一种具有重要电性质的陶瓷材料 ,因而在工业上得到了广泛的应用。本文介绍了钛酸锶的几种常见的合成方法 ,并简要的介绍了钛酸锶的结构与性能     

奇山有处寻美城难再觅

闽西山水秀中奇,自有其韵味。梅花山、龙崆洞、古田会议会址、中华山、七峰山、狮岩等,都是可以一游的景点。对我来说,吸引力最大的当属国家级风景名胜冠豸山和国家级历史名城长汀了。 冠豸山风景区位于连城县城边两公里处,面积123平方公里。号称“不连岗自高,不托势自远”。主峰五老峰与灵芝峰的有机     

Low-loss high power RF switching using multifinger AlGaN/GaN MOSHFETs

We demonstrate a novel RF switch based on a multifinger AlGaN/GaN MOSHFET. Record high saturation current and breakdown voltage, extremely low gate leakage current and low gate capacitance of the III-N MOSHFETs make them excellent active elements for RF switching. Using a single element test circuit with 1-mm wide multifinger MOSHFET we achieved 0.27 dB insertion loss and more than 40 dB isolation. These parameters can be further improved by impedance matching and by using submicron gate devices. The maximum switching power extrapolated from the results for 1A/mm 100 /spl mu/m wide device exceeds 40 W for a 1-mm wide 2-A/mm MOSHFET.     

一氧化碳对聚丙烯收率、结构的影响

分析研究了Montell(Himont)聚丙烯工艺中CO对聚丙烯收率、产品结构的影响。     

基于HOP的可调光编码／解码器的研究

提出了一种基于全息光处理器的可调光编码/解码器的实现方案。全息光处理器可以在空间进行编/解码，每个通信网络单元可以采用任意速率的数字或模拟的调制信号，它非常适合于多媒体的通信网络环境，通过对全息光处理器的折射率大小和位置的控制，当一个输入光脉冲经过光处理器中具有特定折射率的空间位置后，便可在处理器的输出端口得到合适的输出信号。本文给出了这种基于全息光处理器的可调光编码/解码器的仿真实验，结果是可行的，与以前文献中提出的结构相比，减小了硬件实现的复杂性，降低了成本和功耗，便于集成。     

偏振模色散统计特性的研究

利用动态方程研究了偏振模色散矢量的统计特性 ,分别用统计系综和频率系综两种方法进行数值模拟。数值结果表明 ,统计系综和频率系综两种方法的结果一致。在大归一化距离条件下 ,均方根时延的平方随归一化距离线性变化 ;偏振模色散矢量的各个分量服从高斯分布 ,差分群时延服从麦克斯韦分布 ;偏振模色散矢量弥散于整个邦加球     

α厚层测量法的定标方法探讨

本文比较了几种常用的α厚层测量法的定标方法。实验结果表明,共沉淀法是一种比较理想的定标方法,它所制得的标准样品的定标曲线线性较好,探测效率较稳定。