18Ni（350）马氏体时效钢的磁滞特性

采用双时效处理工艺研究了热轧１８Ｎｉ（３５０）马氏体时效钢的磁滞特性。结果表明，８２０℃·　ｈＡＣ＋（５９－６１０）·。ｈＡＣ＋５１０℃·。ｈＡＣ和８２０℃·　ｈＡＣ＋（６９０－７１０℃）·３ｈＡＣ＋１５０℃·３ｈＡＣ处理具有较高的磁滞性能，在对大量数据进行二元线性回归的基础上得出了１８Ｎｉ（３５０）马氏体时效钢磁滞特性的分段关系式。     

地壳应力场和密度场资料在油气检测中的应用

依据卫星轨道摄动测量结果反演的地壳区域构造应力场和密度场资料，可圈定油气区域构造圈闭和储集油气的低密度层。计算绘制了闽江口扇形洲区域构造应力场和密度卫星遥感图，图上显示出东海近海闽浙中拗陷含油气带与温东丽水油气构造带相接，敖江口官岭与闽江口川石储岛沥青苗等迹象都在此范围内，在闽江口扇形洲东部沿海沙泥沉积区，邻区东海宽长带深厚海沙软泥沉积区及本区北部罗源湾，用大地电磁CSAMT检测到1000－3000m深度范围内的低阻率地层，与本区卫星遥感图图低密度场相符。     

印刷质量控制的基本方法(一)综述

无论哪一种印刷品的生产都要经过若干个工艺过程，才能将原稿上的图文信息转移到承印物上。由于印刷技术的飞跃发展，标准化和质量控制成为一个很重要的问题。标准化和质量控制在很大程度上是依靠仪器和控制装置来实现的。科学技术的极大发展，大大地推动了印刷技术的发展，印刷所使用的原材料和工艺得到了很大的改进，逐步实现了标准化，提高并稳定了生产高质量产品的能力。目前我们评价印刷品质量的优劣大致有三种方法：主观评价法、客观评价法和综合评价法。主观评价法，是以原稿为基础对照样张来评价。这里有人为的因素，根据评价人的知…     

分光光度法测定微量茴香醛的研究

研究了测定微量茴香醛的光度分析新方法。在盐酸介质中,硫代巴比妥酸与茴香醛发生缩合反应,生成棕色产物,可用于微量茴香醛的测定。最大吸收波长为415nm,茴香醛浓度在2×10-6-1×10-4mol/L范围内符合比尔定律。该法具有灵敏、准确、操作简便、快速等特点。用于测定食品中茴香醛的含量,结果满意。     

俄罗斯陶瓷及其金属化技术的研究

采用X射线荧光、X射线衍射、金相显微镜和扫描电镜等分析方法 ,通过对微波管陶瓷材料的理化分析 ,对俄罗斯陶瓷及其金属化技术进行了研究 ,并对化学成分和显微结构对性能的影响作了初步的讨论。     

铁路冷藏运输运价分析

本文对各种运输方式易腐货物的运价进行了比较分析,对铁路冷藏运输的现行运价和保本运价进行了讨论,提出了铁路冷藏运输运价改革的若干建议,可供铁路进行冷藏运输改革参考。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

用化学腐蚀制备多孔硅太阳电池减反射膜的研究

采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330～ 80 0nm范围反射率只有 1 5～ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关