新一代银行大型机网络接入技术研究

银行大型机网络接入技术的转型是当前一个非常重要的研究与应用课题。文章在成功实现银行大型机网络接入技术转型的基础上,分析了相关新技术,解决了转型中的关键问题,提出并实现了一种稳定高效的银行大型机网络接入技术方案,对银行大型机网络接入技术的转型具有指导意义,对银行信息化技术研究具有重要参考价值。     

用投影预变换提高自适应波束形成的稳健性

在快拍数较少和（或）存在系统误差时，自适应波束形成的性能会变差，特别是会引起方向图副瓣电平升高——波束畸变。本文提出的投影变换法利用干扰方向的初略估计，在未精确预知阵列流形的条件下，可以显著改善自适应方向图的副瓣性能，并提高自适应算法的收敛性，计算机仿真结果验证了这一优点。     

中国的主要水问题及水文学的机遇

从水资源开发利用与保护、水旱灾害防治等方面论述中国当前存在的主要水问题：水危机和水浪费同时存在、水污染日趋严重、防洪减灾任重道远、生态环境破坏严重、全球气候变暖产生不利影响；进而论述水文学研究面临的新课题：水文现象的不确定性、人类活动对水文的影响、水位频率计算、水资源开发利用的最佳效应、水资源供需分析、农业节水灌溉机理及水旱灾害的防治，并指出必须加强对这些新课题的研究     

均衡营养早餐的研制

根据膳食营养的要求,以燕麦、爆裂玉米、奶粉、鸡胸肉、胡萝卜和香菜为原料,采用微波技术和冷冻干燥技术生产均衡营养早餐,确定了最佳的配方为燕麦片15g、爆裂玉米8g、奶粉10g、鸡肉丁5g、胡萝卜丁0.5g、香菜干0.5g、盐或糖1g.     

基于S-CDMA的HFC上行信道接入协议性能仿真分析

讨论了基于S－CDMA的HFC网上行信道的高效接入协议－SAMA，提出了双信道接入机制的工作原理，并对系统性能进行了分析与计算机仿真，得到一些有意义的结论。     

Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application

In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiN_x films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O₂ oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiN_x prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiN_x films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm⁻¹ of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 10⁷–10⁸ are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process.     

3.5代通信中链路自适应技术的研究和仿真

3.5代移动通信中的链路自适应技术使用自适应调制编码和快速混合重传技术替代了3代中使用的功率控制技术。仿真结果比较了这两种新技术与功率控制技术的性能,证明了这两个新技术显著地提高了网络平均的吞吐量。     

以技术进步促进蒸汽能源的节约

本文运用“软科学”一即通过建立数学模型，进行系统分析和系统优化，阐述对蒸汽管网优化运行的方法及原理，达到提高供热效率及节能降耗的目的．     

在τ—ρ域用特征积分法反演层状介质的速度和密度

本文提出一种在τ-p 域内用特征积分法反演层状介质速度与密度的方法。该方法首先把有偏移距的地震资料变换到截取时间τ和水平慢度 P 域内,然后,对任取的二道平面波地震记录,分别用特征积分法反演波阻抗,再用这对波阻抗分离层状介质的速度和密度。文中讨论了误差对反演结果的影响,并对理论模型进行了试算,效果令人满意。     

Computer-controlled ion-selective electrode switch

The construction of a microcomputer-controlled electrode switch for use in potentiometric determinations is described. This can be coupled to most of the analytical equipment usually found in laboratories, to enable a setting up of automatic systems capable of performing sequential determinations with several ion-selective electrodes. The assessment of its analytical usage and behaviour are discussed.