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A nonlinear system of differential equations of heat and mass transfer is examined under steady-state conditions. Exact analytical solutions are found to five boundary problems for this system.  相似文献   
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Evidence given by electron microscopy of dislocation relaxation of stresses near InAs quantum dots buried into GaAs is presented. It was found that dislocation defects not emerging to the film surface are formed in some buried quantum dots. This suggests that stress relaxation occurs in the buried state of the quantum dot, rather than at the stage of the formation and growth of an InAs island on the GaAs surface. Models of internal dislocation relaxation of buried quantum dots are presented.  相似文献   
48.
Russian Engineering Research - Various methods of measuring the increment in the free volume of composite components are considered, so as to assess which is most suitable for automation of such...  相似文献   
49.
Zhelannov  A. V.  Ionov  A. S.  Seleznev  B. I.  Fedorov  D. G. 《Semiconductors》2020,54(3):317-321
Semiconductors - Studies of the characteristics of ohmic contacts to epitaxial and ion-doped gallium-nitride layers, based on the Cr/Pt/Au metallization system, are reported. The possibility of...  相似文献   
50.
A model is constructed for the transition from evaporative to droplet flow of a liquid through a capillary in a gravitational field allowing for the mutual influence of the droplets. An S-shaped dependence of the flow on the pressure drop at the capillary is obtained which for certain (critical) values of the control parameter gives a monotonic curve. Values of the pressure drop are determined for which the droplet flow regime and the droplet-free regime become unstable. It is shown that in a certain range of pressure drops in the presence of noise transitions may take place from evaporative to droplet flow and back (intermittence). Pis’ma Zh. Tekh. Fiz. 25, 30–36 (December 26, 1999)  相似文献   
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