全文获取类型
收费全文 | 58474篇 |
免费 | 5464篇 |
国内免费 | 2769篇 |
专业分类
电工技术 | 3667篇 |
技术理论 | 2篇 |
综合类 | 4052篇 |
化学工业 | 9656篇 |
金属工艺 | 2975篇 |
机械仪表 | 3741篇 |
建筑科学 | 5146篇 |
矿业工程 | 1550篇 |
能源动力 | 1982篇 |
轻工业 | 3967篇 |
水利工程 | 1135篇 |
石油天然气 | 2829篇 |
武器工业 | 464篇 |
无线电 | 7133篇 |
一般工业技术 | 7120篇 |
冶金工业 | 2616篇 |
原子能技术 | 695篇 |
自动化技术 | 7977篇 |
出版年
2024年 | 199篇 |
2023年 | 897篇 |
2022年 | 1715篇 |
2021年 | 2412篇 |
2020年 | 1799篇 |
2019年 | 1523篇 |
2018年 | 1651篇 |
2017年 | 1862篇 |
2016年 | 1658篇 |
2015年 | 2330篇 |
2014年 | 2867篇 |
2013年 | 3573篇 |
2012年 | 3951篇 |
2011年 | 4041篇 |
2010年 | 3526篇 |
2009年 | 3377篇 |
2008年 | 3343篇 |
2007年 | 3186篇 |
2006年 | 3097篇 |
2005年 | 2667篇 |
2004年 | 1956篇 |
2003年 | 1868篇 |
2002年 | 2009篇 |
2001年 | 1791篇 |
2000年 | 1457篇 |
1999年 | 1358篇 |
1998年 | 1145篇 |
1997年 | 941篇 |
1996年 | 930篇 |
1995年 | 729篇 |
1994年 | 574篇 |
1993年 | 539篇 |
1992年 | 366篇 |
1991年 | 267篇 |
1990年 | 258篇 |
1989年 | 180篇 |
1988年 | 151篇 |
1987年 | 100篇 |
1986年 | 86篇 |
1985年 | 58篇 |
1984年 | 51篇 |
1983年 | 37篇 |
1982年 | 35篇 |
1981年 | 26篇 |
1980年 | 24篇 |
1979年 | 16篇 |
1977年 | 10篇 |
1976年 | 12篇 |
1973年 | 8篇 |
1970年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 365 毫秒
81.
82.
Buttari D. Chini A. Meneghesso G. Zanoni E. Moran B. Heikman S. Zhang N.Q. Shen L. Coffie R. DenBaars S.P. Mishra U.K. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(2):76-78
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs 相似文献
83.
两种波长激光血管内照射生物效应比较 总被引:2,自引:0,他引:2
目的:研究同等照射条件的低强度532nm与633nm激光血管内照射生物效应的特点。方法:用532nm和633nm激光对健康大耳白家兔血管内照射,平均照射功率均设定在5mW左右,照射总能量约12J。两组家兔均于照前及照后1d、4d、7d、11d采集外周血,检测血浆ET、NO、MDA含量和SOD活性。结果:两组家兔上述各指标随照后时间的变化规律相似,经方差分析组间各指标都没有显著性差异。结论:同等照射条件下,低强度532nm与633nm激光照射血液的生物效应相似。 相似文献
84.
搪瓷釜的使用维护与常用修补方法 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍搪瓷釜的使用维护要点,简单介绍目前国内外常用的搪瓷釜修补方法,从用、管、修相结合出发来延长搪瓷釜的使用寿命。 相似文献
85.
高质量ZnO薄膜的退火性质研究 总被引:3,自引:0,他引:3
在LP-MOCVD中,我们利用Zn(C2H5)2作Zn源,CO2作氧源,在(0002)蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜,并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后,(0002)ZnO的XRD衍射峰强度显著增强,c轴晶格常数变小,同时(0002)ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大,这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小,PL谱的带边发射则加强,并出现红移,蓝带发光被有效抑制,表明ZnO薄膜的质量得到提高。 相似文献
86.
采用HF HNO3溶液化学腐蚀 ,在硅片上制备减反射效果优良的多孔硅太阳电池减反射膜 ,借助原子力显微镜 (AFM)和X光电子谱 (XPS)对其表面形貌和成分进行观察 ,发现该膜与电化学阳极腐蚀得到的多孔硅具有相似性 ,其主要成分为非化学配比的硅的氧化物SiOx(X <2 )。采用带积分球的光度分光计 ,测得形成多孔硅减反射膜后 ,硅片表面反射率大大下降 ,,在波长 330~ 80 0nm范围反射率只有 1 5~ 2 9%。研究指出这种强减反射作用 ,与多孔硅具有合适的折射率及其多孔特性的光陷阱作用有关 相似文献
87.
本文介绍的电路可同时进行时间和电荷校准,它的校准量程大,精度高,稳定性好,可输出864路指数形校准信号,并可手动或程控。它的时间校准精度优于±250ps,电荷量校准精度优于±1%。 相似文献
88.
89.
90.
A novel combline filter is proposed for cellular‐radio base stations. The Q‐factor is significantly improved. The eigenvalue equation is expressed with the single‐team approximation in the gap region of the combline resonator. A two‐pole combline filter is designed. The calculation, simulation, and experiment results are presented and are in good agreement. © 2005 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2006. 相似文献