三峡二期围堰下淤砂层的动力特性及有关工程问题的研究

80年代以来 ,在长江三峡地区河段沉积了一层厚达十几米的均匀细砂 ,其动力稳定性很值得关注 ,本文研究了三峡高土石围堰下的淤砂层在 7度地震和爆破振动作用下的动力特性以及对围堰工程的影响。通过室内试验和现场实测 ,表明淤砂层在上覆荷载较小的情况下易于液化 ,并削弱围堰的稳定性。对于爆震作用 ,研究表明 ,其影响不如 7度地震的影响大     

微波单片电路中通孔的建模

分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性.设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-CAP建模系统提取了通孔的模型参数.发现对截圆锥结构的通孔,用公式计算出来的通孔的电感值比实验的结果大36%.设计了一个14-18 GHz、增益大于17 dB、输出功率为1W的GaAs基微波单片电路,验证了模型的准确性.     

内生枝晶增韧非晶基复合材料的摩擦磨损性能

采用电弧熔炼、铜模吸铸法分别制备Ti42Zr22V14Cu5Be17、Ti46Zr20V12Cu5Be17、Ti48Zr18V12Cu5Be17的Ti基内生枝晶增韧非晶基复合材料,利用球-盘式摩擦磨损试验机进行干摩擦磨损试验,研究了枝晶的体积分数对其耐磨性的影响,利用X射线衍射仪分析了样品的结构,利用扫描电子显微镜观察合金的显微组织和磨损表面形貌,分析了不同成分Ti基内生枝晶增韧非晶基复合材料的磨损机理。结果表明：在相同的试验条件下,不同体积分数晶体相的非晶复合材料的磨损机理不同。枝晶相体积分数较低时,磨损机理主要体现为轻微的磨粒磨损,随枝晶相体积分数的增加,粘着磨损成为主要的磨损机理,同时伴随有硬质颗粒压入软化相构成三体摩擦。材料耐磨性随着晶体相体积分数的增加而逐渐降低。     

应用~(99m)Tc-EHIDA诊断胆汁返流及阻塞性黄疸的探讨

七十年代以来,~(99m)Tc标记的肝胆显象剂取代~(131)I标记的玫瑰红。目前,有两类肝胆显象剂,一类是~(99m)Tc-吡哆醛氨基酸类,另一类是~(99m)Tc-乙酰苯胺亚氨二醋酸类衍生物。后者肝脏摄取快,肾脏摄取少,肝胆系统显影清晰,因此应用较广泛,如HIDA(二甲基乙酰苯胺亚氨二醋酸)、EHIDA(二乙基乙酰苯胺亚氨二醋酸)等已在临床应用多年。现报道EHIDA     

混凝土裂缝控制综合施工技术

国家会议中心工程成功应用混凝土施工技术,从结构设计、混凝土原材料的选择、混凝土的配合比优化、混凝土施工方法、混凝土养护、混凝土温度监测等方面进行分析、研究和应用,未出现贯通的有害裂缝。     

轨道电磁发射装置中电枢装配接触压力分布的不均匀特性

为对电磁发射矩形炮膛用一体化C形电枢结构进行优化设计,基于仿真计算研究了电枢装配接触压力分布不均匀特性。通过模拟电枢轨道的装配过程,利用ABAQUS有限元分析软件,计算了初始静态情况下不同结构电枢与轨道的接触压力分布。仿真验证了电枢装配接触压力的不均匀分布,同时根据压强分布云图,提出并定义了4个不均匀系数,分别表征接触压力横向、纵向、总体、局部分布的不均匀程度。这些不均匀系数的取值范围都介于0~1之间,其值越大,对应分布的不均匀程度就越小,即分布越均匀。基于进一步计算,获得了各不均匀系数随基本电枢结构参数的变化规律:各不均匀系数受电枢过盈量的影响较小,随电枢尾翼长度增加变小,随电枢肩部厚度增加变大;而随翼尖厚度变化呈现不同变化趋势。     

Cu-Ti3AlC2金属陶瓷的制备及性能研究

用无压浸渗法制备了铜-钛铝碳金属陶瓷材料(Cu-Ti3AlC2).研究了Cu含量对反应产物的影响,测试了制备的Cu-Ti3AlC2样品的抗弯强度、硬度和导电率,并进行了显微结构观察和断口分析.结果表明,在适当的工艺条件下,当Cu含量在一定范围内,经无压烧结可获得高致密性的Cu-Ti3AlC2陶瓷块体材料.由于其特殊的显微结构,所制备的Cu-Ti3AlC2样品在保证导电率的同时其室温抗弯强度、硬度都大大超过单相钛铝碳陶瓷.     

乙酰丙酮三苯基膦羰基铑（I）的合成与表征

乙酰丙酮三苯基膦羰基铑(I)广泛用做羰基合成醇化工过程的催化剂。作者以RhCl3·nH2O为原料通过2步合成了该化合物,总收率为91%。用元素分析、红外光谱及核磁共振氢谱对该化合物进行了分析和结构表征,结果与文献报道一致。本工艺操作简单,可大规模批量生产,产品已成功应用于国内某大型羰基合成醇装置。     

相对定位方法在非完整岩体声发射定位中的应用

声发射技术是研究岩石变形破坏微观机理的重要手段，对研究岩石失稳的机制和前兆具有重要意义，而其定位技术是诸多研究的基础。应用对速度结构依赖较少的相对定位方法，对非完整、非同性介质岩石试验中的声发射事件进行了定位研究。定位结果表明，相对定位方法可用于复杂样品声发射事件的定位，其可靠性及精度比以往有所提高，在震相到时自动识别的基础上，可用于大批量声发射事件的连续定位。     

一种0.13微米CMOS工艺1.0V差分压控振荡器设计

本文实现了一种集成高品质因素片上电感的差分互补压控振荡器。该压控振荡器的谐振腔由片上电感和反型MOS电容并联组成。谐振腔的品质因素主要被片上电感性能所限制。通过优化设计以及采用单圈的拓扑结构,片上电感在6GHz仿真的品质因素可以达到35。本文提出的压控振荡器采用SMIC0.13微米工艺流片,芯片面积为1.0×0.8mm2。振荡器的频率范围为5.73GHz到6.35GHz。当振荡器中心频率为6.35GHz时,其功耗在1.0V电源电压时为2.55mA,1MHz频偏处相位噪声为-120.14dBc/Hz。该压控振荡器的FOM值达到-192.13dBc/Hz.