Antioxidant properties of humic acids from brown coal

It was demonstrated by a gas-volumetric method that humic acids from brown coal exhibit pronounced antioxidant properties, being the effective inhibitors of the model reactions of initiated radicalchain oxidation of hydrocarbons (cumene and ethylbenzene). This makes it possible to recommend humic acids for use as effective antioxidants for technical purposes and as promising biologically active natural antioxidants for the development of new classes of pharmaceuticals for medicine.     

加速度地震检波器简谐振子有限元分析

介绍简谐振子的工作原理。利用ANSYS软件,采用有限元法创建了简谐振子质量块的实体模型,选择单晶硅作为简谐振子中质量块的材料;设置了模型的材料属性,采用智能分网的方式对模型划分网格,并对质量块模型施加沿x轴水平方向载荷,进行三维的静力分析和模态分析。静力分析得到实体模型的总位移是0.236×10-19μm;模态分析时只对前四阶模型进行了分析,根据其振型图及其总位移的应力云图,得到实体模型的二十阶振动模态的频率是78 001Hz,二十阶的总位移是0.122×10-6μm。     

双极型电压比较器的强电磁脉冲效应

基于大电流注入法(BCI),利用瞬态脉冲产生器模拟强电磁脉冲在双极型电压比较器中产生的耦合电流,观测到输出信号在注入瞬态大电流后的波形变化,包括占空比变化及脉冲衍生等。从基本电路原理方面分析了实验现象的产生机理,以及注入电流幅值、电路偏置等因素对双极型电压比较器强电磁脉冲效应的影响。     

Experimental and Forecasting Studies of Bending Characteristics of Contemporary Stiffening Fabrics

Fibre Chemistry - The paper presents the results of experimental and forecasting studies of bending characteristics of contemporary stiffening fabrics made of synthetic threads and mixed yarn...     

香豆素-铜离子(Ⅱ)配合物硫醇荧光探针的合成及荧光性质

以8-甲酰基-7-羟基香豆素-3-甲酸乙酯与2-氨基苯酚为原料合成了一种亚氨基香豆素类衍生物,其在与铜离子络合后制成了香豆素-铜离子配合物硫醇荧光探针。该探针在体积分数50%的乙醇水溶液中对含有巯基的氨基酸具有良好的选择性。通过荧光光谱,研究了探针的检测机理。在探针识别过程中荧光强度明显增加,在365 nm紫外光激发下荧光颜色由绿色变为蓝色,可以实现可视化检测。     

单一失效机理引起的元器件贮存寿命评价方法研究

电子元器件长期贮存过程发生的失效是由多种失效机理共同作用的结果．以器件贮存寿命整体为基础的寿命评价难度很大。选择对器件贮存寿命影响最大的单一失效机理．以失效物理为基础．通过高加速应力试验进行寿命评价研究,获得的寿命可以较准确地反映器件真实的贮存寿命。单一失效机理贮存寿命的研究是元器件贮存可靠性工作的重要内容。     

高加速应力试验及极限应力试验综述

介绍了高加速应力试验(HAST)及极限应力试验(limit test)的基本概念和相关背景,列举了当前国内外一些常用的技术方法、工程应用状况、试验模型及分析方法、试验剖面的建立及失效机理的确定等。指出了高加速应力试验及极限应力试验要注意的问题,并对它们的发展动向作了简单的预测。     

电子元器件失效模式影响分析技术

在元器件中进行失效模式影响分析(FMEA)技术研究和应用的基础上,论述了适合元器件的失效模式、机理影响分析(FMMEA)技术,在国内首次将FMMEA技术应用到元器件的基础上,研制了FMMEA技术分析软件,为元器件的研制和使用中控制或消除相关的失效模式及机理,提高产品质量和可靠性提供了一个新的方法和思路。     

Nanostructure Growth in the Ga(In)AsP–GaAs System under Quasi-Equilibrium Conditions

Semiconductors - The formation of nanostructures on the surface of GaAs under quasi-equilibrium conditions in a quasi-closed volume from saturated phosphor and indium vapors in the presence of a Au...