多人决策的一类相对均衡解

本文分析由于决策人偏好不同而引起决策差异的多人多目标决策问题，提出了这类决策问题的一类相对均衡解的概念和求取方法。相对均衡解以决策群体偏好的加权集结为基础，能最大程度地反映每个决策人的偏好。文中研究相对均衡解的ＳＷＴ求取方法，并给出了求解的步骤。     

Φ76mm自动轧管机组穿孔机顶杆小车的改进

通过校核Φ７６ｍｍ自动轧管机组穿孔机顶杆小车的轴承寿命，提出了顶杆小车的改进措施，如重新选配合适的轴承型号，修改有关装配尺寸等。改进后，顶杆小车的使用效果良好。     

光催化氧化后四环素的分解率与COD去除率之间关系的探讨

以粉状无机半导体（ＺｎＯ）为催化剂，探讨了水溶液中四环素经光催化氧化分解率和ＣＯＤ去除率之间的关系。实验表明，在本实验中四环素的分解率和ＣＯＤ去除率之间有较好的正相关性。当反庆系统中有足量的活性催化剂和足够的光照时间时，绝大部分四环素将被较彻底地氧化分解成ＣＯ２，这不仅有助于光催化反应机理的研究，助于今后在环保中的实际应用。     

高温过热器12Cr2MoWVTib（102）钢管的显微组织和相结构分析

本文对原始状态和在火力发电厂使用不同时间的高这热器１０２钢管进行了显微组织和相结构变化规律的探讨和研究。显微组织研究表明，１０２钢管在高温高压下长期运行过程中，使用温度对显微组织和碳化物相有明显影响，而使用时间对其影响不如温度影响强烈。碳化物颗粒图象分析表明，碳化物随着使用时间缓慢长大，而新的碳化物不沉淀，使颗粒总数不断增加，颗粒，间距逐渐缩小。Ｘ射线衍射数据证明，钢管在高温长期使用过程中，ＭＣ相     

Beam test of the CsI(Tl) calorimeter for the BELLE detector at the KEK-B factory

We studied the performance of a prototype electromagnetic calorimeter for the BELLE detector at the KEK proton synchrotron for an energy range of 0.25–3.5 GeV. The prototype consisted of an array of 6 × 5 CsI(Tl) crystals with 30 cm length (16.2 radiation lengths) and about 6 cm × 6 cm cross section. The scintillation light of each CsI(Tl) crystal was read out by two large-area PIN photodiodes and charge-sensitive preamplifiers attached at the rear face of the crystal. We measured the energy and position resolution for electrons and the e/π separation for two sets of matrix configurations: one corresponded to the center and the other to the edge of the barrel calorimeter. The overall performance measured by the test proves that the prototype calorimeter is satisfactory for the use in the BELLE detector.     

稀土Si_3N_4陶瓷材料中铝的络合滴定法测定

提出了强碱介质沉淀钇及有关杂质元素而与铝进行分离的方法。试液酸化后采用ＮａＦ析出法络合滴定测定铝。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

The effects of plasma etching induced gate oxide degradation onMOSFET's 1/f noise

The effects of the plasma etching process induced gate oxide damages on device's low frequency noise behavior are investigated on MOSFET's fabricated with different field plate perimeter to gate area ratio antennas. Abnormal 1/f noise spectrum with a shoulder centered in the frequency range of 100 and to 1 kHz was frequently observed in small geometry devices, and it is attributable to a nonuniform distribution of oxide traps induced by plasma etching process