工艺因素对319铝合金热分析特征值的影响

运用热分析技术研究了冷却曲线特征值与319铝合金中化学成分之间的关系,并进行回归分析。结果表明,在不考虑工艺因素的情况下,试样的硅含量与α-Al枝晶生长回升温度T_G~(αDEN)之间的相关性最大,相关系数r为-0.65,以硅含量可预测α-Al枝晶生长回升温度。在浇注过程中,冷却速度与α-Al枝晶生长回升温度T_G~(αDEN)密切相关,相关系数为r=-0.72。在相同的冷却条件下,铝合金的浇注温度和浇注量对冷却速度有明显的影响,因此,可以通过调整浇注温度和浇注量,控制铝合金的冷却速度,进而也可预测铝合金中α-Al枝晶生长回升温度T_G~(αDEN)。     

中国电力工业CO2减排战略分析

对电力工业主要的碳减排方式的减排成本、减排潜力及对化石能源消耗量的影响进行分析对比,并在此基础上对中国电力工业的碳减排战略进行了分析预测.研究结果表明:各种减排方式综合应用是我国电力工业碳减排的必然趋势,其中节能、核电以及水电、风电和太阳能发电等可再生能源发电在2050年的CO2减排潜力均可达到10亿吨以上,且可以节约大量化石能源,是应优先发展的重要减排技术.     

基于内模原理的自适应电流检测系统研究

传统自适应电流检测方法因受到低信噪比检测环境引起的交互式误差干扰的严重影响,难以兼顾检测方法的快速性和精确性。本文提出了一种新颖的自适应电流检测方法,引入滑动积分滤波器(SIF)消除谐波电流的干扰,并获取基波有功、无功电流幅值估算误差。基于内模控制原理构成有功、无功电流的自适应检测闭环系统,快速、准确地分离提取畸变负载电流中的目标电流分量。文中对所提出的自适应电流检测方法建立了数学模型,并基于控制理论中的方法对本文电流检测方法的收敛性及其快速性、精确性进行了理论分析,为自适应电流检测方法的性能设计提供了理论指导。最后,通过仿真和实验证明本文所提出理论和方法的正确性与有效性。     

快速三相高斯潮流算法

提出快速三相高斯潮流算法。因潮流计算给出的未知条件数目多于方程数,所以对发电机进行研究,增加发电机节点的内电势节点,使方程数目等于未知条件数目。对导纳矩阵中的PQ节点对应部分进行消去,得到只有发电机节点的网络。对此网络进行分析,得到PV节点迭代方法。在潮流计算时,分别形成固定的PQ节点、PV节点对应因子表,通过对PQ部分电流前代,将PV节点的有功功率进行修正,由此有功功率对PV方程进行求解,然后将求得的PV电压代入PQ方程进行回代,得到一次迭代计算的解。计算结果表明该方法具有良好的收敛性,虽然迭代次数较牛顿法有所增加,但是计算时间较牛顿法少。     

钛离子注入硅薄层硅化物结构和特性

用大束流密度的钛金属离子注入硅,能够直接合成性能良好的薄层硅化物,随束流密度的增加,硅化钛生长,薄层硅化物的薄层电阻（Ｒｓ） 明显下降,当束流密度（Ｊ）为０－７５Ａ／ｍ２ 时,Ｒｓ 达到最小值１６Ω／□,电阻率达到０－６４μΩ·ｍ 。经过１０５０ ℃快速退火２０ｓ 后,Ｒｓ 可下降到２－２Ω／ □,说明退火可进一步改善硅化钛的质量。扫描电子显微镜观察表明,枝状连续的硅化物已经形成。Ｘ衍射分析表明,注入层中形成了ＴｉＳｉ和ＴｉＳｉ２ 。背散射分析表明,其薄层厚度为８０ｎｍ 。利用ＭＥＶＶＡ金属离子注入,可获得直径达到Φ５００ｍ ｍ 注入斑点。     

针对更精确电迁移预测应用的热耦合模型建模

基于先进逻辑CMOS工艺平台,构建了集成电路热耦合模型,为后端金属线电迁移预测提供更精确的温度变化和分布信息。在建模过程中,为了提高建模和仿真效率,对金属线网络和晶体管有源区进行简化,并用热传输比率对热耦合进行表征。考虑到晶体管参数、金属线走向、金属线之间相对位置对热传输比率的影响,模型中引入相关因子对热传输比率做进一步修正。最后,将该热传输模型嵌入到商用仿真软件中。结果表明,热传输比率(即温度)的仿真值与基于工艺平台流片的实测值吻合良好,验证了模型的准确性。     

Comprehensive Warpage Analysis of Stacked Die MEMS Package in Accelerometer Application

<正>Packaging of MEMS ( micro-electro-mechanical system ) devices poses more challenges than conventional IC packaging, since the performance of the MEMS devices is highly dependent on packaging processes. A Land Grid Array ( LGA ) package is introduced for MEMS technology based linear multi-axis accelerometers. Finite element modeling is conducted to simulate the warpage behavior of the LGA packages. A method to correlate the package warpage to matrix block warpage has been developed. Warpage for both package and sensor substrate are obtained. Warpage predicted by simulation correlates very well with experimental measurements. Based on this validated method, detailed design analysis with different package geometrical variations are carried out to optimize the package design. With the optimized package structure, the packaging effect on accelerometer signal performance is well controlled.     

ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究

主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理.实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平.     

通信防雷系统的建立

本介绍通信防雷系统的建立途径。并按通信系统的各组成部分的区域属性及设施属性不同，介绍了应设置防雷装置的特点和防雷措施。