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161.
Liu  Zixian  Du  Guansan  Zhou  Shuai  Lu  Haifeng  Ji  Han 《Computational Economics》2022,59(4):1481-1499
Computational Economics - The study aims to analyze and forecast Internet financial risks based on the model based on deep learning and the Back Propagation Neural Network (BPNN). First, the theory...  相似文献   
162.
163.
High‐quality and large‐area molybdenum disulfide (MoS2) thin film is highly desirable for applications in large‐area electronics. However, there remains a challenge in attaining MoS2 film of reasonable crystallinity due to the absence of appropriate choice and control of precursors, as well as choice of suitable growth substrates. Herein, a novel and facile route is reported for synthesizing few‐layered MoS2 film with new precursors via chemical vapor deposition. Prior to growth, an aqueous solution of sodium molybdate as the molybdenum precursor is spun onto the growth substrate and dimethyl disulfide as the liquid sulfur precursor is supplied with a bubbling system during growth. To supplement the limiting effect of Mo (sodium molybdate), a supplementary Mo is supplied by dissolving molybdenum hexacarbonyl (Mo(CO)6) in the liquid sulfur precursor delivered by the bubbler. By precisely controlling the amounts of precursors and hydrogen flow, full coverage of MoS2 film is readily achievable in 20 min. Large‐area MoS2 field effect transistors (FETs) fabricated with a conventional photolithography have a carrier mobility as high as 18.9 cm2 V?1 s?1, which is the highest reported for bottom‐gated MoS2‐FETs fabricated via photolithography with an on/off ratio of ≈105 at room temperature.  相似文献   
164.
165.
Ren  Wuyang  Li  Handong  Gao  Lei  Li  Yong  Zhang  Zhongyang  Long  Chengjia  Ji  Haining  Niu  Xiaobin  Lin  Yuan  Wang  Zhiming 《Nano Research》2017,10(1):247-254
Nano Research - Thermal transport in superlattices is governed by various phonon-scattering processes. For extracting the phonon-scattering contribution of hetero-interfaces in chalcogenide...  相似文献   
166.
Molybdenum ditelluride (MoTe2),which is an important transition-metal dichalcogenide,has attracted considerable interest owing to its unique properties,such as its small bandgap and large Seebeck coefficient.However,the batch production of monolayer MoTe2 has been rarely reported.In this study,we demonstrate the synthesis of large-domain (edge length exceeding 30 μm),monolayer MoTe2 from chemical vapor deposition-grown monolayer MoS2 using a chalcogen atom-exchange synthesis route.An in-depth investigation of the tellurization process reveals that the substitution of S atoms by Te is prevalently initiated at the edges and grain boundaries of the monolayer MoS2,which differs from the homogeneous selenization of MoS2 flakes with the formation of alloyed Mo-S-Se hybrids.Moreover,we detect a large compressive strain (approximately-10%) in the transformed MoTe2 lattice,which possibly drives the phase transition from 2H to 1T'at the reaction temperature of 500 ℃.This phase change is substantiated by experimental facts and first-principles calculations.This work introduces a novel route for the templated synthesis of two-dimensional layered materials through atom substitutional chemistry and provides a new pathway for engineering the strain and thus the intriguing physics and chemistry.  相似文献   
167.
A cobalt-silica hybrid nanocatalyst bearing small cobalt particles of diameter ~5 nm was prepared through a hydrothermal reaction and hydrogen reduction.The resulting material showed very high CO conversion (>82%) and high hydrocarbon productivity (~1.0 gHc·g-1cat,·h-11) with high activity (~8.5 x 10-5 molco·g-1Co·S-1) in the Fischer-Tropsch synthesis reaction.  相似文献   
168.
169.
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