思维可视化工具的教学应用

思维可视化是利用图形化、形象化的形式来表达人们头脑中形成的概念、知识、思想等,把隐性知识显性化、可视化,方便人们思考、表达、理解并能促进交流的一种图形技术。该文在阐述思维可视化定义的基础上,研究了思维可视化工具在教学中的应用。     

郭沫若的翻译理论与思想探析

从探讨郭沫若的生平背景入手,介绍了他的翻译成就,并对郭沫若的翻译理论和翻译思想做出了初步的剖析。郭沫若的翻译实践主要可以从郭沫若译著《英诗译稿》和《浮士德》窥见一斑,而郭沫若的翻译理论则可从罗新璋所著的《翻译论集》和方克平所著的《溯洄从美:从批判理论到文学翻译》中探出精髓。对郭沫若翻译实践和理论的研究可以发现郭沫若的"创作论"的地位固然不可撼动,但其中对于创作的维度却并没有提出很好的标准。     

碘量法—原子吸收光度法测金的方法对比

总结了目前金矿矿山企业实际生产过程中金含量的测定方法的种类及简单的测定原理,并具有针对性的介绍了实际生产中常用的两种测定方法—活性炭富集碘量法和活性炭富集原子吸收法。因两种测定方式中前期的试样处理及富集过程较为相似,于是将两种测定方法的原理,操作过程,数据结果对比分析等方面做了较为详细的讨论。对两种方法在实际操作中存在的问题给予分析,具有较高的实际生产指导意义。     

纳米氧化物对水泥基料化学收缩的影响

采用ASTM化学收缩试验方法,研究纳米SiO2、MgO、Al2O3对水泥基材料化学收缩变化的影响,明确纳米材料种类的差异性。结果表明,各实验组水泥基材料化学收缩均经历三阶段:急速变化区、缓慢变化区、平稳区,7d始水泥基材料化学收缩基本稳定。几种纳米材料的最佳掺量对水泥基材料的化学收缩改善作用大小为:SiO2>Al2O3>MgO。研究发现,纳米材料种类和掺量的不同对化学收缩的影响也较大,在选用时,需综合考虑。     

基于滑模的运载器主动段俯仰通道姿控系统设计

与传统比例-积分-微分（PID）控制方法相比，滑模控制（SMC）方法可以比较容易地将不确定性纳入控制器设计中，从而增强系统的鲁棒性。探索了SMC技术在运载器主动段姿态控制中的工程应用，首先通过分析基于趋近律的SMC系统，提出了降低不连续切换项系数的需求，然后研究了基于干扰上界的SMC方法。三通道小偏差仿真结果验证了两种方法的控制效果，表明第2种控制器的鲁棒性更好，稳态误差小，同时发动机喷管摆角需求较小。     

一种快速解压的无损压缩算法

随着信息技术的不断发展,大量数据给存储和传输都带来了巨大的挑战。数据压缩能够有效减少数据量,方便数据的处理和传输。无损压缩是一种利用数据的冗余特点进行压缩的压缩方法,解压时可以完全还原数据而不会有任何失真。在研究LZO算法的快速解压原理基础上,设计了一种新的压缩算法。该算法通过减少压缩数据中压缩块的数量,降低了解压程序的执行开销。测试结果表明,新算法可实现比LZO算法更快的解压速度。     

大口径光学元件装夹转运结构设计及分析

为了实现大口径光学元件的安全装夹、转运,通过光学元件开槽与不开槽两种装夹方式的分析,得出开槽夹紧转运方式将带来微裂纹、应力集中、成本高等缺陷,提出了利用摩擦力克服光学零件的重力和惯性力的低应力装夹转运方案。通过对光学元件低应力夹紧结构设计,并利用有限元分析方法,得到不开槽装夹方式下,光学元件的最大主应力为1.11 MPa,最大切应力为0.73 MPa,远低于光学元件破坏的强度极限,且受力均匀,无应力集中现象。     

基于“IPv6+”的智能IP网络方案

随着第4次工业革命的到来，人类社会正逐步迈向万物互联的智能时代。智能时代需要更加自动化、智能化的IP网络，基于“IPv6+”的SRv6、BIERv6等技术是使能新一代IP网络的关键基础。全面阐述了“IPv6+”的技术内涵，结合华为在智能 IP 网络解决方案上的创新和思考，介绍了“IPv6+”在极简连接、SLA 保障、专网体验、质量感知和云网一体等多个解决方案场景的关键技术与典型应用，助力5G与云业务发展。     

Precise Extraction of Charge Carrier Mobility for Organic Transistors

Unreliable mobility values, and particularly greatly overestimated values and severely distorted temperature dependences, have recently hampered the development of the organic transistor field. Given that organic field‐effect transistors (OFETs) have been routinely used to evaluate mobility, precise parameter extraction using the electrical properties of OFETs is thus of primary importance. This review examines the origins of the various mobilities that must be determined for OFET applications, the relevant extraction methods, and the data selection limitations, which help in avoiding conceptual errors during mobility extraction. For increased precision, the review also discusses device fabrication considerations, calibration of both the specific gate‐dielectric capacitance and the threshold voltage, the contact effects, and the bias and temperature dependences, which must actually be handled with great care but have mostly been overlooked to date. This review serves as a systematic overview of the OFET mobility extraction process to ensure high precision and will also aid in improving future research.