六氟苯(C_6F_6)体系中氧对正子素(Ps)寿命的影响

本工作研究了溶解在六氟苯(C_6F_6)中的氧对正子素(Ps)寿命的影响。分别得到了在C_6F_6中三重态正电子素(O-Ps)的原始摘除寿命τ_3~0=4.15 ns;氧猝灭O-Ps的速率常数k_(O_2)=1.8×10~(10)(1mol~(-1)s~(-1));三重态激发分子~3(C_6F_6)猝灭O-Ps的速率常数k~3(C_6F_6)=1.7×10~(10)(1mol~(-1)s~(-1)),以及六氟苯体系中三重态激发分子~3(C_6F_6)猝灭O-Ps的贡献。结果表明:~3(C_6F_6)对O-Ps寿命的影响并不很大。     

0.5—7.5MeV高能磷离子注入硅中剖面分布及剖面迭加

本文对磷离子能量在0.5—7.5MeV、剂量在2.0×10~(12)—1.0×10~(13)/cm~2范围内注入硅中的载流子剖面进行了研究,发现在此条件下,n型磷载流子剖面是由两个只有不同偏差σ_(tront)(σ前)和σ_(back)(σ后)的高斯分布相连接组成的。根据实验所得剖面特性,提出了多次迭加形成平坦剖面的方法。用这种方法结合SiO_2膜屏蔽和调整注入离子能量、剂量,能够获得各种有特殊要求的载流子浓度剖面。为了得到好的可控性和可重复性,采用了瞬态退火技术。透射电镜分析表明:在我们所用退火条件下,剩余缺陷并未出现。这种迭加注入已应用于特种器件研制中,试制出的产品获得令人满意的结果。     

放射性同位素X荧光测井技术的研究

对放射性同位素源Ｘ荧光测井技术的井液效应，井壁不平度效应和基体效应分别提出了实用的校正技术。野外锶矿Ｘ荧光测井试验表明：Ｘ荧光测井确定的锶矿层厚度和平均品位与传统的岩芯化学分析结果相比较，其相对误差〈１０％，符合锶矿储量计算要求；Ｘ荧光测井可在井场实时提供测井结果，而耗时却短得多。     

区分气载放射性碘的选择性吸附剂吸附性能的研究

本文研究了用于区分三种气载放射性碘的选择性吸附剂的吸附性能。由3层高效玻璃纤维滤纸、3cm 厚5%CdI_2浸渍的6201型惰性担体和两段3cm 厚5%TEDA 浸渍的椰壳活性炭组成的取样器,可以选择性区分气溶胶态、气态单质和甲基碘态的放射性碘。     

手表红宝石作为事故剂量计的研究

实验测定了手表红宝石作为辐射事故剂量计的热释光剂量特性。研究结果表明,此种“剂量计“在一定的控制条件下复现性好;退火条件要求不苛刻;各“元件”灵敏度相差很大。照射量响应10—1000R 范围内呈线性关系,测量下限可达100mR。具有光敏特性,各个“元件”的衰退特性不一样,但这可以通过控制操作、测量条件和采用相同条件下的“自身”定度等措施得到较满意的结果。可以认为,手表红宝石是一种目前人体佩戴物中方便易得的实用个人事故剂量计。     

表面n沟CCD的电离辐射损伤

本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy时,通过调整“胖零”注入仍可工作。在高剂量辐照期间,不同栅偏压器件的转移效率退化存在较大差异。应用高频和准静态C-V技术分析了参数退化的原因。     

P-阱、沟道区离子注入分布特性的测试分析与计算机模拟

CMOS集成电路在LSI、VLSI中占有显著地位,它是当今乃至今后一段时期集成电路发展的主流。研究CMOSIC沟道、P~-阱注入杂质的分布和再分布规律,对于指导工艺实践和提高电路性能具有现实意义。     

整体式预热器U型管蒸汽发生器数学模型及动态模拟

本文针对整体式预热器Ｕ型管蒸汽发生器建立了热工数学模型并进行了动态模拟。该模型是一个２５阶、非线性、可移动边界模型。包括：一、二次侧的质量与能量平衡方程以及确定二次侧下降段流量的动量守恒方程。对所建立的模型利用Ｇｅａｒ方法作了蒸汽阀门开度阶跃１０％的瞬态模拟，所得结果和国外所公布的结果吻合得很好。由此可见。本文所建立的模型可以为这种蒸汽发生器的设计、运行、控制提供理论依据。     

山西省肿瘤医院环境辐射剂量水平调查

报道了对山西省肿瘤医院医用电子加速器、钴疗机等放疗设备工作场所及其附近环境辐射水平的调查测量工作。调查结果表明：其环境辐射剂量均属当地本底水平。