1．55μm-MQW-SLD连续工作状态下的性能

全面地测试并分析了峰值波长约为1．55μm的InGaAsP／InP多量子阱型超辐射激光二极管(MQW—SLD)模块的输出光功率、光谱和消光比随注入电流及温度变化的关系。结果表明：在连续工作状态下,此SLD模块显示了软阈值特性,其性能随着注入电流和温度的变化而变化。     

智能网的计算机技术

文章剖析了应用于智能网的计算机技术，阐述智能网和计算机技术的关系。     

刑侦日盲紫外折衍混合变焦光学系统设计

为了满足刑侦过程中紫外光学系统远距离搜索、近距离拍照的需求,采用二元衍射元件和非球面元件,设计了一种日盲紫外机械补偿变焦光学系统,其中焦距为40mm~80mm,F数为4,工作波段为0.24μm~ 0.28μm。选用S8844-0909型2.54cm紫外CCD,像元尺寸为24μm×24μm,对应视场角为6°~12°。系统由7块透镜组成,结构简单、体积小巧。结果表明,在整个变焦范围内,后截距10mm处,截止空间频率21cycles/mm时,各视场的光学调制传递函数均在0.7以上,接近衍射受限曲线,畸变小于5%,像质优良,像面稳定。该设计能满足光学系统的总体设计要求。     

CdS微晶掺杂TiO2—SiO2复合薄膜的非线性光学特性

采用溶胶－凝胶方法在普通的载玻片上制备了ＣｄＳ微晶掺杂的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料，比较了硫脲和硫化乙氨的硫化作用。不同热处理温度、时间的吸收光谱表明，薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Ｚ－Ｓｃａｎ技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率。     

Designing of Quasi—universal Compensator for Testing Aspherical Surface

According to the theory of testing aspherical surface by normal aberration compensation method,the designing method of quasi-universal compensator is studied.On the basis of third-order aberration theory,after calculating and optimizing with an optical design program,the structure parameters of a compensator are obtained.This new compensator could be used in Twyman-Green interferometer,and in measurement of a certain range of paraboloid ellipsoid and hyperboloid.The compensation accuracy is more than 0.02λ.     

支持向量机回归模型在径流预测中的应用

为了探索提高径流中长期预测精度的有效途径,尝试建立了基于支持向量机的径流预测模型,并应用于西江流域梧州站的年、月径流预测中,取得了很好的效果。并与神经网络预测进行对比,结果表明该模型的预测精度要高于人工神经网络模型。     

乙醇柴油混合燃料的应用研究

介绍了乙醇与柴油在助溶剂的作用下形成稳定期较长的混合燃料-E10和E15,它们的理化性质与普通柴油接近。在不对柴油机作改动设计的情况下,进行实车运行试验,柴油机动力性能下降幅度不大,燃料消耗增加不多,同时排烟有明显改善,说明乙醇燃料具有良好的应用前景。     

确定—随机联合模型法水质模拟与预测

水质变化同时受控于两种规律性一确定性规律和随机性规律，前者反映事物必然的内在联系，后者反映外在的随机性作用．基于这一事实，本文建立了一种能同时如实反应这两种作用的联合水质模型，来进行水质变化过程及其概率分布的随机模拟与预测．计算表明，该法是一切实可行的途径．     

L波段六位数字移相器设计

利用对均匀传输线加载电纳可以改变其传输特性的原理设计了一个L波段六位色散数字移相器.借助ADS软件及25.D仿真器Momentum,建立PIN二极管的SPICE模型,使用Au丝测试得的S参数,在全面考虑实际制作工艺的基础之上,建立准确的电路模型,经过优化,可以得到准确的仿真结果.实际测试结果与仿真相吻合.该方法减少了调试工作,且设计的产品性能优良,体积小,已得到公司规模生产.     

(p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管

采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/Ge合金结构.I-V,C-V,G-f以及DLTS的测试结果表明:其电容变化系数远大于单晶硅线性缓变异质结的电容变化系数,正向导电机制符合隧穿辅助辐射-复合模型,这是nc-Si:H层中nc-Si晶粒的量子效应所致;反向电流主要由异质结中空间电荷区的产生电流决定,且反向漏电流小,反向击穿电压高,表现出较好的整流特性.