改进的阈值函数在心音信号消噪中的研究

为弥补传统阈值函数存在的不足、提高心音信号的消噪精度,提出了3种改进的阈值函数。试验中,首先对传统的软、硬阈值函数及3种改进的阚值函数进行去噪性能对比分析;其次,采用基于小波分析的频带局部能量特征提取法对消噪后的心音信号进行特征提取．并运用模糊Sammon映射算法将六维特征数据映射成二维以显示其散布特性。结果表明,改进的阈值函数二能更有效地消除噪声,其消噪后的心音信号特征向量较全面地反映了心音信号的特征。     

数字电视时钟恢复和减小PCR抖动影响的方法

讨论了MPEG-2标准中PCR字段在数字电视接收系统中的作用和本地时钟的恢复方法,提出了一种基于数字电视芯片PLM3K平台的系统时钟恢复和减小PCR抖动影响的软件解决方案,具有较高的工程应用价值.     

人工电源网络阻抗高频特性及其校准精度研究

本文根据人工电源网络的原理图,建立了阻抗测量的高频寄生参数模型,并分析了适配器寄生参数以及各独立元件在电路中的作用。通过分析接地和金属板的两种基本串扰形式,建立人工电源网络相应的等效电路模型,运用MATLAB仿真软件仿真分析了两种模型下的寄生参数对阻抗的影响。仿真得到的随频率变化的曲线表明,寄生参数及其耦合关系对阻抗测量有重要影响。     

在单向CATV网络实现IP报文传输的一种方法

针对互联网的网络拥塞和CATV的业务受限问题提出了一种基于UCL的互补型双结构网络模型,给出了IP报文到TS流的协议转换方案.并给出了在缩比实验环境下前端软件的实现方法,实验验证了上述方法的有效性.     

基于ARM Cortex-M3的过采样技术

介绍一种基于ARM Cortex-M3内核实现的过采样技术。实验结果表明,利用过采样技术可在不需片外ADC器件的情况下,达到同样的采样效果。将Cortex-M3内核与过采样技术相结合,不仅能够降低成本,而且提升了系统的运行速率、可靠性与稳定性。     

分层教学在高职Flash课程中的实践与探讨

近年来,教育工作者为提高教学效率、优化教学资源,更多的关注学习者的个体差异,分层教学被广泛的应用于不同层次、不同类型的教学中。现通过对高职院校Flash动画教学过程的分层设计和实践,总结了分层教学的实施效果及尚待完善的几个问题。     

一种多档位增益滤波器的设计

提出了由AT89C51单片机控制增益和截至频率的低通滤波器设计方案．采用测量放大器和开关电容滤波器构成功能部件，重点讨论了基于开关电容滤波芯片和非易失性数字电位器实现截止频率和增益多档位调节的新方法。     

Sensitivity of trigate MOSFETs to random dopant induced threshold voltage fluctuations

In this paper, we investigate random doping fluctuation effects in trigate SOI MOSFETs by solving the three-dimensional (3D) Poisson, drift-diffusion and continuity equations numerically. A single doping impurity atom is introduced in the undoped channel region of the device and the resulting shift of threshold voltage is measured from the simulated I–V characteristics. This enables the derivation of the threshold voltage shift (ΔV_TH) for any arbitrary location of the doping atom in the transistor. Based on an analysis of a sub-20 nm trigate MOSFET device, we find that the typical variation of V_TH per doping atom is a few tens of mV. Inversion-mode (IM) trigate devices are more sensitive to the doping fluctuation effects than accumulation-mode (AM) devices. The threshold voltage shift arising from doping fluctuations is maximum when the doping atom is near the center of the channel region, which means the original SOI film doping, the random contamination effects or any other impurity doping in the channel region is more important than atoms introduced in the channel by the S/D implantation process for sub-20 nm transistors.     

适用于1000Base-T以太网的低抖动低功耗频率综合器

采用高速鉴频鉴相器(TSPC)、经典抗抖动的电荷泵、交叉耦合差分延迟单元以及电阻分压相位内插电路等结构设计了一个应用于1000Base-T以太网收发器的频率综合器电路,并能兼容10/100Mbps模式.该电路同时满足发送电路上升下降斜率控制和时钟恢复电路对于多相时钟(128相)的需要,大大节约了面积和功耗.在晶振的绝对抖动σ约为16ps情况下,输出25MHz测试时钟信号σ仅为11ps.表明该频率综合器有较强的抑制噪声能力,能很好满足发送和接收电路对于时钟性能的要求.芯片采用SMIC 0.18μm的标准CMOS工艺,电源电压为1.8V,功耗小于4mW.     

GaAs MMIC用无源元件的模型

制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.