热冲击对石英晶体谐振器稳定性的影响研究

分析并研究了瞬时热冲击之一的回流焊对石英晶体谐振器频率稳定性的影响,综合已有研究经验和回流焊后频率的可恢复性,推断薄膜应力是回流焊后频率稳定性的主要影响因子。通过试验发现,薄膜溅射功率降至200 W或薄膜热退火温度升至350℃可有效改善回流焊后谐振器的频率稳定性,回流焊后频率变化量降低(4～5)×10^-6。采用显微拉曼光谱仪对回流焊前、后的石英晶片进行分析发现,其在回流焊后的拉曼特征峰明显往高频移动,推断是由于薄膜热膨胀引起的张应力增大而致石英晶片内压应力增加约8 MPa;随冷却时间延长,薄膜收缩而致石英晶片内压应力减小,频率逐渐恢复。结果表明,薄膜应力变化是回流焊对谐振器频率稳定性的影响机理。     

大口径光学元件装夹转运结构设计及分析

为了实现大口径光学元件的安全装夹、转运,通过光学元件开槽与不开槽两种装夹方式的分析,得出开槽夹紧转运方式将带来微裂纹、应力集中、成本高等缺陷,提出了利用摩擦力克服光学零件的重力和惯性力的低应力装夹转运方案。通过对光学元件低应力夹紧结构设计,并利用有限元分析方法,得到不开槽装夹方式下,光学元件的最大主应力为1.11 MPa,最大切应力为0.73 MPa,远低于光学元件破坏的强度极限,且受力均匀,无应力集中现象。     

左右手材料光子晶体能带结构及表面波色散关系

根据平面波展开的传输矩阵理论及布洛赫定理,通过参数匹配的方式,研究零平均折射率及表面含覆盖介质层条件下左右手材料光子晶体的能带结构和表面波的色散关系,结果表明:零平均折射率条件下,左右手材料光子晶体不同于正折射率材料光子晶体,能带结构中出现半封闭状禁带、封闭状禁带和通带,且通带中的分立能级沿着低频方向呈现振荡衰减和多重简并趋势,能带结构沿着波矢绝对值增大方向趋于简并至消逝。添加表面覆盖介质层的左右手材料光子晶体支持正反表面波和反向表面波的传播,部分半封闭状或封闭状禁带边缘出现简并能级分裂,形成禁带中斜率有正有负的分立色散曲线。表面覆盖介质层厚度可调制色散曲线的频率位置和数目,随覆盖介质层厚度增大,分立色散曲线向波矢减小方向移动,且高频区域半封闭状禁带中的色散曲线在覆盖介质层厚度达到一定数值时还出现耦合分裂现象,但覆盖介质层厚度变化对能级的多重简并和通带与禁带的简并态不产生影响。左右手材料光子晶体的能带结构特点和表面波色散特性,可为新型光波导器件的研究和设计等提供指导。     

振动对动载体成像的影响及被动隔振技术的应用

动载体光电平台具有强时效性、高准确度、机动灵活、针对性强的特点,是获取信息的有效手段.分析了动载体的线振动和角振动对成像质量的影响,根据动力学普遍原理建立了动载体光电系统的隔振系统数学模型,提出了提高隔振效果的主要问题和设计方案,仿真分析了采用正交布局的隔振系统的隔振效果,为今后进一步的理论优化设计奠定了基础,同时也为工程实践提供了理论指导.     

沉积静电效应及防护研究

简述了沉积静电的形成机理;介绍了沉积静电的3种放电形式：跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电;具体讨论了沉积静电放电效应;通过对无沉积静电、轻度沉积静电、严重沉积静电三种条件下电磁场天线接收信号的分析,研究了沉积静电对导航系统的影响;针对沉积静电的危害,从沉积静电防护的目标和具体的防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。     

新一代移动通信智能网计费系统的设计与实现

从新一代智能网的结构出发,介绍了智能网技术的发展,分析了智能网计费的核心,并给出了一个移动电话智能网计费系统的构建实例。     

SiGe HBT基区结构的优化对欧拉电压的影响

欧拉电压是SiGe HBT一项重要的直流参数,受到基区结构(如Ge组分)的影响。研究发现,高温过程会导致硼的外扩散,从而影响异质结的位置,使欧拉电压受到影响。实验发现,通过优化基区结构,加厚CB结处i-SiGe厚度,可获得VA=520 V,βVA=164,320 V的SiGe HBT。     

一维长序DFT的协处理阵列结构设计与实现

文章针对一维长序DFT计算问题，分析其计算结构以及算法的并行性，提出一种阵列协处理结构．并分析这种协处理机结构上DFT计算的组织及具体实施算法步骤和方法，并对这种协处理阵列结构上运行的DFT进行复杂性分析。这对计算DFT专用集成协处理结构芯片开发，提高专用嵌套系统性能非常实用。     

微机械热对流倾角仪温度补偿技术研究

介绍了微机械热对流倾角仪的工作原理和结构设计,利用有限元分析软件,计算了在不同倾斜状态下二维密闭腔中点热源引起的对流场和温度场,提出了环境温度对热对流倾角仪影响的模型。根据仿真结果,在电路中增加了加热丝恒定温度控制电路,建立了基于软件的环境温度补偿算法,实现了对温度影响的补偿。经测试,环境温度从-40℃变化到60℃时,倾角仪0°输入的温度稳定性为0.07°,10°输入的温度稳定性为0.02°。     

微纳级双极晶体管的热耗散研究

对于双极性晶体管,由于自身存在的自加热现象,严重地影响着器件的特性。基于热电流方程、泊松方程及电流密度方程,在二维器件仿真环境下,进行了微纳级小尺寸npn双极性晶体管热现象的器件物理特性分析。重点研究了器件的集电极电流IC与晶格温度T的因变关系。研究结果显示,随着IC的增加,器件的晶格温度逐渐升高,VCE保持在3.0V、VBE达到最大值0.735V时,随器件晶格温度的升高VBE将减小。最后,笔者给出了描述晶体管温变关系的三维曲线。