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171.
172.
根据中原油田地层高温、高盐、易塌、易漏失及水平井的特点,优选了适用于水平井的强抑制强封堵聚合物钻井液体系,并进行了现场应用.室内实验结果表明,优选的强抑制强封堵聚合物钻井液具有良好的井眼净化、摩阻控制、井壁稳定及油层保护等性能.现场应用时能满足钻井、录井、测井的需要,钻井施工顺利,取得了良好的经济和社会效益. 相似文献
173.
175.
176.
氪气和氙气的制备与应用 总被引:1,自引:0,他引:1
详细介绍了氪气、氙气的性质与应用,阐述了其制备的方法与特点,介绍了武钢氧气公司氪气、氙气生产的技术和产量等情况。 相似文献
177.
微型构造表征技术在八面河油田的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
通过对八面河油田井网密集区及井网稀疏的欠开发区的微构造研究,探讨了微构造表征技术。首先在储层多层次逐级对比的基础上,建立主力油层对比关系;密集井网条件下,则利用钻井资料编制油层顶底微型构造图;对于欠开发地区,通过人机联作自动追踪成图技术,输出2m等值线间隔构造图,建立微构造模型。以微构造模型为基础进行潜力评价,部署关键井寻找优质储量或进行开发动态调整。应用该项技术在八面河油田滚动发现了角15块等断鼻翼部局部高点,增加石油地质储量488×10~4t。 相似文献
178.
PH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
实验研究了pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响。表明:在柠檬酸钠作为络合剂的体系中随着溶液中氨水浓度的提高CdS薄膜会发生相变,从立方相变为六方相,即当氨水浓度为0.31M时,得到立方相的CdS薄膜;而当氨水的浓度大于0.51M时,得到六方相的CdS薄膜。氨水浓度的提高也使得CdS薄膜的形貌有了很大的改善,且制备得到的CdS薄膜从富CA变为富S,但是薄膜仍是n型。氨水浓度对CdS薄膜的光学性质也有很大的影响,随着氨水浓度的提高所得到的CdS薄膜的禁带宽度增大。 相似文献
179.
BaXO4 (X = Mo, W) nanobelts and a variety of hierarchical superstructures assembled from the nanobelts have been synthesized in a catanionic reverse‐micelle system. The effects of various factors, such as the mixing ratio (r) between the anionic and cationic surfactants, the temperature, and the presence of polymeric additives, on the formation of the nanobelts and their hierarchical assembly have been examined in detail. In particular, r has been shown to be powerful in modulating the formation and assembly of the BaMoO4 and BaWO4 nanobelts. Architectural control of the penniform nanobelt superstructures has been readily achieved by changing the experimental parameters. A plausible two‐stage growth mechanism has been proposed for the formation of penniform BaXO4 nanobelt superstructures in catanionic reverse micelles. 相似文献
180.
A bibliometric study of China’s semiconductor literature compared with other major asian countries 总被引:1,自引:0,他引:1
In this paper we compare the scientific research in the semiconductor-related field in China with some other major nations
in Asia. It is based on the bibliometric information from SCI-Expanded database during the time period of 1995–2004. We show
that China has been developing fast in semiconductor research, and become the second productive country in Asia as reflected
by the publication profile. The evidences indicate a significant increasing trend in the research efforts and readership among
Asian countries. Similar to the scientists in Japan and South Korea, Chinese scientists were more inclined to work in larger
groups, typically 4 or more authors. The assessment of research quality is further conducted based on citation-based measures.
As benchmarks, two western countries, namely USA and Germany, have been compared in the citation analysis. It is revealed
that the impacts of research outputs in the Asian countries, except for Japan, have been badly incommensurate with their devoted
research efforts compared with USA and Germany. Like most of other Asian countries the research results of Chinese scientists
in semiconductor have a low international visibility despite their strong research efforts and increasingly large domestic
readership. The application of Leimkuhler curve illustrates vividly the inequality of citation times among the compared countries.
Furthermore, the Gini Indices of each country and each pair of countries are calculated which illustrates again the inequality
of informetric productivities. 相似文献