顶封封隔管柱的研制与应用

中原油田近年来注水压力不断升高，井况恶化严重，为此开发了顶封封隔管柱，主要阐述了管柱工况受力特点、结构、工作原理及现场使用效果。经现场较大面积的应用证明，各项性能、技术指标达到了现场要求。     

新世纪我国压铸业与国际接轨的思考

针对中国压铸行业的现状和存在的问题 ,以及当前的机遇和面临的挑战 ,论述了中国压铸工业进入 2 1世纪所面临的新形势及应采取的对策     

二过碘酸合银（Ⅲ）钾引发丙类酸甲酯在淀粉上接枝共聚合反应的研究

研究了由二过碘酸合银（Ⅲ）钾（简称Ag(Ⅲ））与可溶性淀粉组成的氧化还原体系，于碱性介质中引发淀粉的接枝共聚合反应，得到高接枝效率的接枝共聚物，测定了引发剂浓度、单体浓度、pH值和反应温度对接枝参数的影响，并探讨了引发机理。     

大颗粒尿素造粒工艺简介

介绍了大颗粒尿素造粒工艺，着重介绍了荷兰NSM公司的流化床造粒技术和法国K－T公司的流化床转鼓造粒（FDG）技术。     

Development of the Chinese Scientometric Indicators (CSI)

We describe the Chinese Scientometric Indicators (CSI), an indicator database derived from the Chinese Science Citation Database (CSCD). Its design is supported by the Natural Sciences Foundation of China (NSFC). In this indicator database data of a statistical nature are organized and categorized leading to ranked lists and providing bases for comparisons among Chinese institutions and regions.     

行波热声驱动器的性能分析

在简单介绍行波热声驱动器的研究历史、工作机理及其与驻波型热声驱动器的区别之后，着重对环路部分的性能进行了预测分析，并给出一些有益的结论。     

八尺门特大桥φ2.8 m桩基施工质量控制

介绍了八尺门特大桥的工程建况、水文地质情况和施工方案的确定，并较为系统、全面地阐述了该大桥φ2.8m大直径钻孔桩的施工过程。从钢护筒沉桩到灌注过程、每道施工程序、采用的方法、质量的控制要点以及施工中的其它问题进行了较具体的讨论与分析，取得了良好的施工效果。     

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。     

长距离曲线顶管在杭州河坊街工程中的应用

对杭州市重点工程—杭州河坊街长距离曲线顶管进行了总结和介绍 ,可为同类工程借鉴和参考     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively