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续竞存 《固体电子学研究与进展》1996,16(3):254-258
用电荷控制及热电子弹道运动模型计算InAs/InP0.7Sb0.3热电子晶体管的截止频率fT及最高振荡频率fmax。结果表明,fT、fmax分别达到280GHz及600GHz。并指出,通过生长GaSb中间层,InAs/InP0.7Sb0.3HET可在GaAs衬底上实现单片集成。 相似文献
124.
Dynamic oxide voltage relaxation spectroscopy 总被引:3,自引:0,他引:3
Mingzhen Xu Changhua Tan Yandong He Xiaowei Liu Yangyuan Wang 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1996,43(4):628-635
A new method for trap characterization of oxidized silicon is described. The Dynamic Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (DOVRS) is an improved version of the formerly proposed Oxide Voltage Relaxation Spectroscopy (OVRS) technique which applies a periodic long duration constant current for tunneling injection. It has been demonstrated that the new technique can be used not only to separate and identify the oxide trap from interface trap, but also to separate and determine the centroid from the oxide trap density generated in the MOS system by the tunneling current stress. In the pulse constant current mode, the OVRS measurement can be completed instead of using the double current-voltage technique. Thus the new method results in more accurate and quicker measurements of the oxide trap centroid. Analytical expressions for computing the paramaters of the interface and oxide traps are derived. The effect of the channel carrier mobility on the spectroscopy is also considered. Two types of oxide and two types of interface traps were observed at a pulse constant Fowler-Nordheim current stress by the new method of DOVRS 相似文献
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The effect of the atomic mobility on a film surface has been studied by using a three-dimensional atomistic thin-film deposition model which simulates three-dimensional thin-film images, surface profiles and cross-sectional area pictures. In addition, quantitative results of surface RMS roughness, average film thickness, atomic coordination number and its distribution, and solid fraction of the deposited thin films, were obtained from the simulations. When the film surface mobility increased from 0.3 to 3.0, RMS roughness decreased from 6.5 to 1.1, solid fraction increased from 0.27 to 0.56 and average film thickness decreased from 40 to 28, due to the reduction of the voids within the film. The full-width half magnitude of the atomic coordination distribution became narrower indicating the increased degree of crystallization. With increase in surface mobility crossing the boundary to 1.5, the film evolved from a porous or loose columnar structure with voids, to a densely packed fibrous grain structure which can be categorized by the zone structure models. 相似文献
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自韧Si3N4陶瓷的显微结构及其性能研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用热压的方法制得室温断裂韧性和抗弯强度分别为11.2MPa·m ̄(1/2)、823MPa,高温(1350℃)断裂韧性和抗弯强度分别为23.9MPa·m ̄(1/2)、630MPa的自韧Si_3N_4陶瓷。研究了显微结构和力学性能之间的关系。结果表明:玻璃相的含量、β-Si_3N_4的长径比等对性能有重要影响。分析了自韧Si_3N_4陶瓷的增韧机理,通过SEM明显观察到Si_3N_4中存在裂纹偏转、分支和β-Si_3N_4拔出现象。 相似文献
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本文对原始状态和在火力发电厂使用不同时间的高这热器102钢管进行了显微组织和相结构变化规律的探讨和研究。显微组织研究表明,102钢管在高温高压下长期运行过程中,使用温度对显微组织和碳化物相有明显影响,而使用时间对其影响不如温度影响强烈。碳化物颗粒图象分析表明,碳化物随着使用时间缓慢长大,而新的碳化物不沉淀,使颗粒总数不断增加,颗粒,间距逐渐缩小。X射线衍射数据证明,钢管在高温长期使用过程中,MC相 相似文献
129.
本文研究了TiN薄膜在化学气相沉积、物理气相沉积(包括热灯丝离子镀和多弧离子镀)以及等离子增强化学气相沉积等不同生成条件下的内应力变化。并通过改变钢及硬质合金基体的化学成份和表面状态。考察了基体材料对薄膜应力的影响。在此基础上,对薄膜内应力的形成机制进行了分析讨论。 相似文献
130.
变速箱结构设计专家系统技术的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
结构设计是机械产品设计过程中的重要环节,解决结构设计的智能化不但可以缩短产品的设计周期,而且还可以降低成本,提高设计质量。专家系统是解决智能化设计的技术之一。本文讨论有关结构专家系统的几个关键技术,主要包括系统的控制策略,面积对象的知识表达方式及结构设计的并行设计 相似文献