一种新型软X 射线气溶胶荷电器的开发与评测 #br#

现有荷电器对 1∼3 nm 气溶胶的通过效率和荷电效率都较低。研发了一种新型软 X 射线气溶胶双极荷电器, 通过结构设计的改进极大地提高了 3 nm 以下气溶胶的通过效率, 同时该荷电器对不同粒径气溶胶的本征荷电效率仍 与现有荷电器相近。实验室评测结果表明: 在 1 L·min−1 流量下, 新型荷电器对 3 nm 以下不同粒径气溶胶的通过效率 与 TSI 3088 软 X 射线荷电器相比可提高 175%∼300%; 在 2.5 L·min−1 流量下, 可提高 115%∼173%。同时, 新型荷电器 对 10∼40 nm 及 3 nm 以下气溶胶的本征荷电效率与目前广泛使用的 Fuchs 稳态理论近似公式计算得出的荷电效率及 其他类似荷电器的实测荷电效率基本吻合。相对于现有的商业荷电器, 该新型荷电器对 3 nm 以下气溶胶有着更高的 表观荷电效率, 具有潜在的应用价值。     

InGaAs光纤探测器封装及耦合效率影响因素研究

设计了InGaAs探测器芯片与多模石英光纤的耦合结构,测试了芯片耦合前后的性能变化,并分析了影响耦合效率的因素。结果表明,石英光纤与InGaAs探测器芯片可以较好地耦合。在0．9-1．7um波段,当采用与芯片尺径相当的100um光纤进行无透镜直接耦合时,耦合效率可达30％以上;当采用芯径为500岫的光纤耦合时,耦合效率可达55％以上。多模石英光纤出射端的光强呈高斯分布。随着光纤端面与芯片表面的间距偏差的增加,高斯分布曲线的半宽值增大,光束逐渐发散。芯片与光纤的对准偏差对耦合效率的影响很大,其中对横向偏移量的依赖性最强。     

基于最优控制理论的雷达导引头跟踪速度研究

介绍提高雷达导引头跟踪性能的数学模型及其仿真,给出相应的测试方法.仿真实验结果表明利用kalman输出量形成最佳控制指令进行跟踪能够有效地提高雷达导引头跟踪速度.     

Layer‐Controlled and Wafer‐Scale Synthesis of Uniform and High‐Quality Graphene Films on a Polycrystalline Nickel Catalyst

Chemical vapor deposition (CVD) provides a synthesis route for large‐area and high‐quality graphene films. However, layer‐controlled synthesis remains a great challenge on polycrystalline metallic films. Here, a facile and viable synthesis of layer‐controlled and high‐quality graphene films on wafer‐scale Ni surface by the sequentially separated steps of gas carburization, hydrogen exposure, and segregation is developed. The layer numbers of graphene films with large domain sizes are controlled precisely at ambient pressure by modulating the simplified CVD process conditions and hydrogen exposure. The hydrogen exposure assisted with a Ni catalyst plays a critical role in promoting the preferential segregation through removing the carbon layers on the Ni surface and reducing carbon content in the Ni. Excellent electrical and transparent conductive performance, with a room‐temperature mobility of ≈3000 cm² V^?1 s^?1 and a sheet resistance as low as ≈100 Ω per square at ≈90% transmittance, of the twisted few‐layer grapheme films grown on the Ni catalyst is demonstrated.     

超短环形腔布里渊掺铒光纤激光器

提出了一种超短环形腔布里渊掺铒光纤激光器(BEFL),腔长仅为10m。该BEFL以4m长的普通掺铒光纤(EDF)为激光增益介质,腔外布里渊抽运光和980nm抽运光的注入在掺铒光纤中,分别引入非线性布里渊增益和线性掺铒光纤放大器(EDFA)增益。实验结果表明,BEFL工作在单纵模状态,输出信噪比高(>40dB),抽运阈值低(～20mW),输出功率大(>10mW),且布里渊抽运光不仅决定BEFL的输出波长,更对其抽运阈值和出光功率有重要影响。     

工程应用中不同包层直径光栅的结构选择与参数设计

使一个光纤光栅的两段分别具有不同的包层直径,在正确的应用条件下可解决工程中的应变、温度交叉敏感难题.对不同包层直径光栅在有、无涂覆层两种情况下的应交传感特性进行了深入的力学分析,推导得出了结构实际应变与两段光栅相对波长变化的关系表达式,并数值仿真分析了直径比和长度比对其应交灵敏特性的影响.研究结果有利于指导实际应用时光栅的结构选择和参数设计.此外指出,在实际工程应用中无论采用何种封装形式或复合方式,要从应变、温度的混合信息中提取出结构体的真实应变,必须使不同包层直径光栅满足两端拉伸的受力条件.     

An Investigation of Microstructure and Microhardness of Sn-Cu and Sn-Ag Solders as Functions of Alloy Composition and Cooling Rate

The microstructure and microhardness of Sn-xAg and Sn-xCu solders were investigated as functions of alloy composition and cooling rate. The Ag compositions examined varied from 0.5 wt.% to 3.5 wt.%, while Cu varied from 0.5 wt.% to 2.0 wt.%. Three cooling rates were employed during solidification: 0.02°C/s (furnace cooling), about 10°C/s (air cooling), and 100°C/s or higher (rapid solidification). Sn grain size and orientation were observed by cross-polarization light microscopy and electron-backscattering diffraction (EBSD) techniques. The microhardness was measured to correlate the mechanical properties with alloy compositions and cooling rates. From this study, it was found that both alloy composition and cooling rate can significantly affect the Sn grain size and hardness in Sn-rich solders. The critical factors that affect the microstructure–property relationships of Sn-rich solders are discussed, including grain size, crystal orientation, dendrite cells, twin boundaries, and intermetallic compounds (IMC).     

基于准MMIC技术的12~18GHz宽带VCO

提出了一种基于准MMIC技术的Ku波段宽带压控振荡器.该电路采用MMIC芯片和外加高Q值的超突变结变容管的方式,实现了覆盖整个Ku波段的超宽带的振荡信号输出.通过将MMIC技术与混合集成技术相结合的方法,大大降低了调试难度,更重要的是,克服了通用pHEMT MMIC工艺难于兼容高Q值的变容管对超宽带设计VCO的限制,在相位噪声和调谐频率线性度方面都有较大改善.该方法为微波、毫米波压控振荡器的设计提供了一个新的途径.     

用于DTMB接收机的10bit,40MS/s,72dB SFDR流水线模数转换器

介绍了一个应用于数字电视地面多媒体广播(DTMB)接收机的10-bit,40-MS/s流水线模数转换器(ADC),通过优化各级电容大小和运算放大器电流大小,在保证电路性能的同时降低了功耗.测试结果为:在40MHz采样率,4.9MHz输入信号下,可以获得9.14bit的有效位数(ENOB),72.3dB无杂散动态范围(SFDR).电路微分非线性(DNL)的最大值为0.38LSB,积分非线性(INL)的最大值为0.51LSB.电路采用0.18μm 1P6M CMOS工艺实现,电源电压为3.3V,核心面积为1mm2,功耗为78mW.     

基于主向量分析重建的人脸识别算法研究

提出一种基于主向量分析(PCA)重建的人脸识别方法.传统的特征脸方法是根据PCA投影变换后,利用特征空间的总体散布矩阵最大化的特点进行分类;而本文方法则根据PCA重建误差最小的特点,利用重建误差最小进行人脸的分类.在ORL标准人脸库上的实验结果表明,本文方法优于传统方法,并且具有在增加类别以及增加样本时运算量小的特点,因此具有较好的识别效果及较高的实用性.