薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性的影响明显增大，本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致。     

Bent互补函数族的性质和构造方法

本文提出了Ｂｅｎｔ互补函数族的概念，研究了Ｂｅｎｔ互补函数族的性质和构造方法。     

一个过采样增量－总和调制器的设计与实现

本文设计实现了一个高精度的双通道过采样Ａ／Ｄ电路，它采用由两个二阶调制器级联实现的四阶增量－总和调制器结构，并通过优化调制器内部各级增益，在改善过采样Ａ／Ｄ的大信号过载特性的同时提高其最大输出信嗓比．为降低数字开关噪声对过采样Ａ／Ｄ性能的影响，本文采用了一种低噪声电流控制逻辑设计数字电路．实验芯片的测试结果表明，在６４倍的过采样率下，电流控制逻辑通道和静态ＣＭＯＳ逻辑通道分别获得了９１ｄＢ和８４．５ｄＢ的输出动态范围．     

关于前馈多层神经网络多维函数逼近能力的一个定理

本文首次证明了前馈神经网络多维函数逼近能力的一个重要定理:当隐层神经元数目足够多时,其多维函数逼近能力与维数无关.也就是说我们只需研究其一维函数逼近能力,所得的结论完全适合于多维情形,该定理大大简化了前馈多层神经网络函数逼近问题的分析难度。本文还给出了该定理的一个应用。     

一种在对极几何约束下重建三维物体的方法

本文在用对极几何关系重建三维物体的基础上,提出了利用量小二乘法和迭代法相结合的基础矩阵求解算法,推导了新的评价函数作为迭代的误差测度.在每次迭代时,以评价函数作为测度来排除具有较大误差的图象点,而对保留的误差较小的点乘以适当的权值,因此得到精度较高的基础矩阵。实验表明,我们的重建方法比已有算法运算精度更高,性能更稳定,且具有良好的抗噪声性能。     

电子封装常用名称及术语汇集

电子封装常用名称及术语汇集下面，按英文字母顺序，汇集并解释了与目前ＬＳＩ（包括ＩＣ）正在采用的主要封装形式相关联的名称术语等。这些名称术语参考并引用了日本国内１２个半导体制造公司，其他国家７个半导体制造公司＊与ＬＳＩ封装相关的资料、日本电子机械工业会...     

水热合成PZT纳米晶粉末烧结性及机理的研究

研究水热合成ＰＺＴ压电体纳米晶粉末的烧结性能及其机理。采用ＤＴＡ－ＴＧＡ对这种纳米晶粉末进行了热分析，结果表明，这种结晶粉末的ＰｂＯ挥发温度为９２４．７１°Ｃ，而颗粒之间的反应温度为８１１．２６°Ｃ。与此相反，固相合成ＰＺＴ粉末颗粒之间的反应温度为１２４３．４７°Ｃ，ＰｂＯ的挥发温度为１２１３．２９°Ｃ。水热合成纳米晶结晶粉末的烧结温度比固相法合成低１００°Ｃ左右     

掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究

用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过率（７０％）；Ｃｒ∶ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ３＋外，还存在少量Ｃｒ４＋     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。     

一种多传感器信息融合点目标识别方法（二）

提出了一种多传感器信息融合识别空间复杂弹道式目标及其伴随诱饵的识别模型。将人工神经网络和确定性理论结合起来，以神经网络的输出代替应用确定性理论所需的有关领域专家的知识和经验，并用确定性理论进行不同空域和时域的信息融合。仿真结果表明，经过融合后，大大改善了识别效果。