采样定理的内在不自洽性和工程应用的局限性——采样定理和奈奎斯特准则研究·上篇

推导证明了作为通信理论基石之一的采样定理及其公式存在着两个矛盾：内在不自洽性，即采样定理与其公式的推导前提条件相矛盾；采样定理在工程实际应用时的严重局限性     

影响凹印铜金粉印金光泽度的主要因素

在研究国内外铜金粉的微观形貌、厚度、水面遮盖率、定向排列、光泽度和粒度分布的基础上，分析了影响凹印铜金粉印金光泽度的主要因素。结果表明，国产铜金粉颗粒级差大、细小颗粒所占比例过多、金属片太厚、水面遮盖率小、定向排列不好等是影响国产铜金粉印金光泽度的主要因素。     

只读式超分辨光盘的膜层设计和分析

超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法。Ge Sb Te是一种良好的相变光存储材料 ,在超分辨光盘中可作为掩膜。利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2 Sb2 Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系 ,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配。采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘 ,测量了光盘的光学性质。     

机电一体化技术在综合采煤设备中的应用与发展

介绍了机电一体化技术在国内外煤矿井下综采设备中的应用，并论述了机电一体化技术发展与相关技术的研究。     

CT引导下经皮穿刺骨骼活检时穿刺针的选择与应用

在行骨骼活检时，穿刺针的选择非常重要，甚至直接影响着活检的成功与否。笔者根据多次实践，应用环锯和Ackerman钻取外替代传统的活检方法取得了较好的效果。     

An antiplane problem of double period non-uniform crisscross distribution crack field

In this paper the antiplane problem of double period non-uniform crisscross cracks is investigated. The centers of cracks are on the tops of the isosceles triangles.Using the method of conformal mapping and elliptical function the solution in closed form has been obtained, thereby the stress intensity factor is derived.

---

Résumé Dans ce travail, on étudie le problème antiplanaire constitué par des séries de fissures non uniformes à périodicité double et susceptibles de se croiser. On suppose que les centres des fissures de deux rangées successives sont situés aux sommets de triangles isocèles.En utilisant la méthode de représentation conforme et des fonctions elliptiques, on obtient une solution sous une forme fermée, qui permet de déduire le facteur d'intensité de contrainte.

     

大透距电磁波CT法在电站坝基勘查中的应用

跨孔电磁波CT法在勘查岩溶方面大有可为。在西南某电站坝基勘查中,成功地应用了跨孔电磁波CT法,分别在左坝肩和右坝肩中所探查的二对孔间,圈出了岩溶的发育范围。所提交的资料已得到钻探、平硐勘探资料、声波和数字摄像的据互相印证。为进一步施工提供了较好的指导作用。本次勘查使用的是最新型的JW—5Q型大功率仪器和新版的处理软件,并成功地使用高频穿透98m地层,是一次很成功的应用。     

CVD金刚石工具膜生长特征SEM观察

本文用不热形变栅状直丝化学气相沉积（ＣＶＤ）法生长金刚石膜，在Ｓｉ及ＷＣ－Ｃｏ硬质合金衬底上金刚石膜晶面显露规律随衬底温度和甲烷浓度而异，经适当表面处理及选择合适的工艺条件，当生长初期衬底上就呈现出良好晶形的沉积膜，衬底与膜之间的粘结力能得到提高。Ｒａｍａｎ谱分析表明此膜仅具有特征金刚石１３３２ｃｍ￣（－１）峰，通过ＳＥＭ观察揭示出盒刚石膜可在表面、侧面及棱上生长，并与衬底有良好的联结。     

通过直接栅电流测量研究PMOSFET's热载流子损伤

通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中PMOSFET's热载流子损伤的生长规律.由此,给出了热载流子引起PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释.并证明了直接栅电流测量是一种很好的研究器件损伤生长和器件参数退化的实验方法.