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31.
32.
贴片机脱机编程的快捷方法 总被引:7,自引:4,他引:3
SMT生产线中的大多数加工设备均为数控设备。它们编程所需要的大多数特征数据均可从CAD设计系统中得到。文章介绍了如何从CAD设计系统中导出X、Y坐标数据,并转换成贴片数据的方法和思路,以期引起更多的同行加入到这方面的研究中。 相似文献
33.
本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。 相似文献
34.
甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景 总被引:5,自引:0,他引:5
综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展,特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式;还根据甲烷芳构化技术产业化的需要,分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。 相似文献
35.
Preparation and properties of nano-sized SnO2 powder 总被引:2,自引:0,他引:2
1 INTRODUCTIONSnO2isoneofthemainmaterialsusedingassensor.Becauseofthehumidityandgassensingfunction,itattractsmoreandmoreattentions.Butthepresentproblemishowtoimprovethestabilityandsensibilityofgassensor.Researchershavetakenmanymeasurestoresolvethisproble… 相似文献
36.
金属/Al2O3基纳米复合材料研究最新进展 总被引:2,自引:0,他引:2
金属/Al2O3纳米复合材料在保持原有金属的功能特性时,还可以获得 很好的力学性能,是有良好发展前景的一种纳米复合材料。本文回顾了近年来金属/Al2O3基纳米复合材料在制备工艺,微观结构和力学性能,增韧强化机理方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。 相似文献
37.
实体造型中的几何约束 总被引:5,自引:0,他引:5
实体造型是一个基于约束的过程,完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示,并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究,提出了基于CSG/GCG/B-rep的模型表示。 相似文献
38.
BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷,研究了SiO2-B2O3玻璃的含量,Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响,以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律,结果表明,休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高,BaF312O19相的析出越困难,前驱体合适的热处理温度为1000℃,介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降;介电损耗的最大值为0.43,磁损耗较小。 相似文献
39.
宝钢研制的全氢罩式炉控制系统分析 总被引:4,自引:0,他引:4
对宝钢研制的全氢罩式炉计算机控制系统的逻辑结构、工作原理及硬件配置进行了分析.该系统与引进的系统相比,在通讯方式、程序结构、操作分析、报警和开放性等方面都有所改进. 相似文献
40.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献