V型尾门在河工模型试验中的应用

尾门是河工模型中常见的装置,也是水位控制的关键设备之一.该文作者根据多年的经验,研制了一种新式尾门--V型尾门.该尾门具有调节精度高、稳定性好、操作方便等优点.并在多个模型中应用,取得了良好的控制效果.文章介绍了V型尾门的制作要点,并结合试验数据论述具体应用效果.     

反水锤的危害及防止

反水锤是发生在反击式水轮机尾水道中的一种特殊水锤现象，其压力峰值可达正常压力的几倍，甚至十多倍，以致造成肢解转轮、折断导叶、破坏顶盖、抬起转子的严重事故。因此，研究反水锤发生的原因，从而提出防止反水锤事故的措施尤为重要。     

先进的现场供气设备--TCN640制氮机

对安装于深圳赛意法微电子有限公司的TCN640制氮机进行了简介。该设备由Air Liquide Japan Ltd．(日本液空公司)总体设计、制造，国内技术人员消化改进工艺，具有设备配置先进，安装简单，安全高效，能耗低等优点，其产品氮气的纯度已超过了高纯氮的技术指标。     

超细炸药粉体团聚-分散机理研究

通过试验并运用粒子间力的理论对HNS超细微粒团聚—分散机理进行了研究。结果表明：超声分散，表面活性剂包裹以及喷雾干燥可以满足HNS超细微粒分散的要求。     

U(Ⅳ)-U(Ⅵ)同位素交换反应动力学研究 Ⅰ.Fe~(2+)对U(Ⅳ)-U(Ⅵ)同位素交换反应的催化作用

一、前言由于U(IV)-U(VI)同位素交换体系具有相当大的同位素效应和很好的稳定性,并且容易实现两相回流,这对于分离U同位素的工业应用都是十分有利的。但是,U(IV)-U(VI)同位素交换反应速度非常慢,常温下H~+浓度为1.0—4.0 mol/l时,速度常数为1.0×10~(-4)l~2/mol·s。因此要用U(IV)-U(VI)交换体系浓缩铀同位素,必须研究U(IV)-U(VI)交换反应动力学,找到加快交换反应的方法。     

尾矿堆场对地下水及其水质影响的联合模拟研究

矿产资源开发利用后的废弃物堆场常处水文地质条件复杂、区域内外边界不规整的地带。为了客观评价堆场渗漏对地下水及其水质的影响,本文提出了适宜于复杂水文地质条件、复杂内外边界条件的地下水与地下水中污染物分布规律联合模拟分析的非构造网格FVM数值模型,通过在某化工行业尾矿堆场渗漏评价的具体应用,取得了很满意的结果。     

黄河小浪底郑州集中控制系统的实现

黄河小浪底郑州集中控制系统将多个相互联系的不同专业领域子系统有机地连接成一个整体。文中介绍了该系统的硬件配置和主要功能,并简单介绍了该系统所采用的网络安全措施。     

溶剂萃取分离锂同位素研究Ⅱ.苏丹Ⅰ-中性配位体协萃体系萃取分离锂同位素效应探讨

文章讨论了苏丹I-中性配位体协萃体系萃取分离锂同位素中螯合剂和协萃剂的结构效应。为了获得高的同位素分离效应,螯合剂必须是弱酸性的(PK_α>11),具有强的分子内氢键及易于形成六元螯合环。协萃剂结构不仅要求无空间位阻,而且具有强的配位基。α随配位基的碱性增大而相应提高。萃取络合物中螯合环的增多亦有利于体系α的提高。此外本文还讨论了一些萃取体系的同位素富集方向和萃锂体系用于分离同位素的前景。     

田关水厂设计方案的特点

湖北省田关水利工程管理处自来水厂（简称田关水厂），位于潜江市城区西郊，坐落在东荆河与田关河交汇处，是湖北省潜江市的最大乡镇水厂．现日供水规模为1．5t。田关水厂按“一次性规划，分三期实施”的原则进行设计，现已完成二期工程建设。田关水厂多年良好运行经验表明．从供水服务区需求出发．设计出适合经济社会发展和与当地资源环境条件相协调的水厂，是水厂长期高效运营的关键。     

Silicon power MOSFET at low temperatures: A two-dimensional computer simulation study

Understanding how the structure of the unit-cell affects the cryogenic performance of a Si power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) is an important step toward optimizing of the device for cryogenic operations. In this paper, numerical simulations of the Si power Double Diffused MOSFET’ (DMOS) are performed at room temperature and cryogenic temperatures. Physically based models for temperature dependent silicon properties are employed in the simulations. The performances of power DMOS’ with various unit-cell structures are compared at both room temperature and low temperatures. The effect of the cell structure on the on-resistance and breakdown voltage of the device are analyzed. The simulation results suggest that the device optimized for room temperature operation can be further optimized at cryogenic temperatures.