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41.
Liang Y.C. Wenjiang Zeng Pick Hong Ong Zhaoxia Gao Jun Cai Balasubramanian N. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(12):700-703
In this letter, a concise process technology is proposed for the first time to enable the fabrication of good quality three-dimensional (3-D) suspended radio frequency (RF) micro-inductors on bulk silicon, without utilizing the lithography process on sidewall and trench-bottom patterning. Samples were fabricated to demonstrate the applicability of the proposed process technology. 相似文献
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43.
In this paper, a localized MEI method (L-MEI) is developed and combined with the domain decomposition method (DDM) for the simulation of scattering by a concave cylinder. In the L-MEI, the whole domain is decomposed into many subdomains. Different from the conventional MEI method, the MEI coefficients of the L-MEI method in each subdomain are only dependent on the localized metrons that are defined in the subdomain. The localization of metrons has the following advantages: (1) speeding up the calculation of MEI coefficients and saving memory, (2) making the MEI method available for concave structures, and (3) obtaining a band sparse matrix directly without any modification 相似文献
44.
45.
基于数字信号处理器的直流电机控制系统 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了定点数字信号处理器(DSP)TMS320F240的一般性能及其在永磁无刷直流电机控制上的应用,给出了硬件设计方案、软件策略及输出结果。 相似文献
46.
直接氯化法合成对硝基氯化苄 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了以对硝基甲苯和氯气为原料 ,在催化剂存在下合成对硝基氯化苄的方法 ,考察了催化剂种类、反应温度、溶剂配比等因素对反应的影响 ,优化的反应条件为 :对硝基甲苯用量 1 3 7g,对硝基甲苯 /邻二氯苯 (摩尔比 ) =1∶ 0 .6,w (偶氮二异丁腈 ) =0 .6% ,反应时间 3 h,反应温度 1 60℃ ,产物单程收率大于 65 % ;将反应混合物中未反应的原料分离后 ,以无水乙醇为溶剂结晶纯化 ,物料 /溶剂 (摩尔比 ) =1∶ 1 .5时晶体含量在 99.0 %以上 ,结晶收率达 67 相似文献
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50.
Zhang Li Chun Jin Hai Yan Ye Hong Fei Gao Yu Zhi Ning Bao Jun Mo Bang Xian 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2002,49(6):1075-1076
A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm2. The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively 相似文献