基于Java的OPC客户端的实现

介绍了OPC技术及OPC包含的逻辑对象,详细阐述了采用JAVA语言通过JeasyOpc实现OPC客户端的方法,该方法可以方便的实现OPC客户端,为现场控制设备与JAVA语言实现的上层控制、管理软件之间的数据访问提供一种方法。     

激光能量密度对尼龙12/HDPE制品尺寸的影响

为了研究激光能量密度对尼龙12/高密度聚乙烯(HDPE)制品尺寸的影响,基于选择性激光烧结快速成型技术,利用CO2激光对尼龙12/HDPE粉体材料进行了激光烧结成型试验,并用扫描电镜分析了烧结层中尼龙12/HDPE的显微组织。结果表明,随着激光功率/扫描速率(P/v)的增加,烧结件的翘曲量逐渐增大;较佳的成型激光能量密度为P/v=0.8%,此时的翘曲量约为0.4mm。该结果对复合尼龙粉末的激光烧结的研究是有帮助的。     

阶梯栅氧结构的NLDMOS热载流子效应研究

本文对一种新型的阶梯栅氧结构的NLDMOS（Step Gate Oxide NLDMOS , SG-NLDMOS）的热载流子效应进行了研究。采用直流电压应力实验、TCAD仿真、电荷泵测试等方法,对退化现象进行了分析,并提出了退化机制。然后研究了漂移区注入剂量对器件热载流子效应的影响,结果表明低的漂移区注入剂量可以更有效地减小器件导通电阻的退化。     

MAC Protocols for Distributed Cooperative Communication Networks

Distributed cooperative networks use the cooperation among nodes to fulfill network resource sharing. However,designing an efficient Media Access Control (MAC) protocol is a key issue for the distributed cooperative network. Based on the principle of MAC-layer cooperation,this paper discusses problems and challenges for MAC protocol design in the distributed cooperative network. Through the analysis of typical cooperative MAC protocols and their performance,this paper concludes that only a reasonable MAC pr...     

高产能四管卧式热壁型PECVD设备

介绍了北京七星华创电子股份有限公司自主创新产品国内首台带有自动上下料系统的高产能四管卧式热壁型PECVD设备,该设备具有高产能、自动化程度高、成膜质量好、高性价比等特点,并着重阐述了该设备的技术先进性及性能指标。     

基于傅立叶变换红外光谱仪的水平大气透过率测量研究

利用红外辐射源发出稳定的宽带辐射信号,ABB Bomem MR170 FTIR光谱仪作为接收探测系统,组建了一套近地面野外大气红外大气透过率测量系统.通过FTIR得到的透过率与MOTRAN的计算结果进行对比,发现二者虽然具有较好的相关度,但是在透过率较高的波段(2500～3000 cm-1,4400～4800cm->)数据仍会有较大差别.结合水汽的变化情况,分析了2400 cm-1的透过率随时间变化情况,说明在局地环境下水汽参数变化会对模型计算的大气透过率带来影响.     

基于参数估计的降晰函数辨识及图像复原算法

成像系统的点扩展函数(PSF)以及观测噪声,在一般应用过程中是未知信息,因此,点扩展函数的辨识是一个具有挑战性的世界难题.为解决实际工作中遇到的在已知降晰类型情况下的降晰函数辨识和降晰图像复原问题,提出了基于参数估计的降晰函数辨识及降晰图像复原算法.首先,由初始猜测给定降晰函数参数的变化范围和参数的增量步长;然后,最小化降晰图像和由相应点扩展函数及降晰图像得到的实验观测图像的差的Frobenius范数,以确定点扩展函数的参数,进而确定降晰图像的点扩展函数并对降晰图像进行复原.应用基于Wiener滤波的频域循环边界算法对降晰图像进行复原.实验结果表明:在降晰图像信噪比较高的情况下,降晰函数的辨识结果是可靠和准确的,有较好的复原效果.     

晶体管工作状态对SiGe带通滤波器的影响研究

采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器.使用ADS软件进行电路图的仿真分析.研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响.分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以控制镜像电流源的晶体管工作状态和回转电路的偏置电流.因此,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不用按常规工作在放大区而可以工作在饱和区.对滤波器输出增益和功耗的进一步分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,还可以提高滤波器的输出增益,但是也会同时增加滤波器的功耗.     

无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错

Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件.介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件.实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产.     

宽带GaN单片功率放大器研究

基于GaN HEMT器件在微波功率方面的优越性能,设计并实现了宽带GaN单片功率放大器.简述了AlGaN/GaN异质结构的优势以及现状,同时结合热分析的方法给出了所选GaN HEMT器件的基本尺寸和性能,并采用ICCAP提取了合适的大信号模型,通过器件性能优选拓扑结构,最终运用宽带匹配的方法并结合较先进的仿真软件设计了一款GaN宽带单片功率放大器.测试结果表明,单片放大器脉冲工作方式下在2～7 GHz频带内,小信号增益G＞18 dB,输入回损＜-10 dB,脉冲饱和输出功率Po＞5 W,功率增益GP＞15 dB,典型功率附加效率25%(测试条件为脉宽100μs,占空比10%).GaN HEMT器件具有较高的功率密度和良好的宽带特点.