ZrO_2（Y－TZP）－Si_3N_4复合材料中抑制ZrN生成研究

研究了气氛加压烧成ＺｒＯ２（Ｙ－ＴＺＰ）－Ｓｉ３Ｎ４复合材料中抑制ＺｒＮ生成工艺问题，相组成分析表明：无论添加２０ｗｔ％工业ＺｒＯ２或者Ｙ－ＴＺＰ（３ｍｏｌ％Ｙ。Ｏ。）的氯化硅复合材料，在低于１８５０℃，３ＭＰａｋ气压力下烧成，表面无ＺｒＮ生成．通过加入有效的烧结助剂（Ｙ。Ｏａ＋ＡＩ。Ｏｓ）、增加埋粉中ＳＩＯ分压以及增加保护气氛氮气压力，适当的烧成条件等工艺措施可有效地抑制ＺｒＮ的生成．实验还证实了ＺｒＮ很容易氧化，含有ＺｒＮ的ＺｒＯ。（Ｙ－ＴＺＰ）－ＳｉｓＮ。复合材料试样经９００℃，０．ｓｈ热处理已粉碎性裂开．     

高海拔长日低温条件下选择水稻光温敏核不育系的效果和方法研究

在高海拔长日低温、低海拔日高温、低海拔长日高温和人工气候室长光低温条件下，进行了光温敏不育水稻分离世代的不育株出现频率以及选择实用型不育系的效果和选择方法的研究。     

Ti-23Al-14Nb-3V合金氩弧焊接头的显微组织及其力学性能

研究了预热对Ｔｉ－２３Ａｌ－１４Ｎｂ－３Ｖ合金焊接性，特别是对消除氩弧焊冷裂纹的作用以及对接头显微组织和力学性能的影响。结果表明，焊前预热可有效降低该合金的冷裂倾向。经预热处理后，焊缝区的结晶层状线消失，热影响区的硬度峰得到缓和，整个焊缝的显微硬度分布趋于均匀，但焊缝区的枝晶发生粗化，热影响区有所扩大。焊件接头的拉伸试验表明，预热可使焊缝区的接头强度系数增加，但无论预热与否，接头强度均低于母材强度，且不显示宏观塑性。     

土钉支护结构水平位移安全监控模型研究

国内现行规范、标准是以极限变形值作为土钉支护结构水平位移安全监测报警值 ,但没有反映工程进度影响 ,不便指导工程实践。提出“过程控制”概念 ,以反正切函数为基本形式 ,基于历史经验建立“安全时程曲线”控制模型 ,要求施工过程中实测水平位移始终处在“安全时程曲线”之下 ,以确保最终变形在某一适当的阈值之内 ,已有实测结果可以为施工方案调整提供依据。通过实际案例 ,检验模型的可行性 ,表明过程控制模型较极限变形策略更具可操作性     

凹印电分浅析(上)

凹印制版是一个相对复杂的系统工程。电分是这个系统工程中的重要环节,它的作用是根据客户的要求和原稿特点,对原稿或产品文件上的色彩层次和清晰度进行合理的调校,使色彩的还原性和艺术性融为一体,使印刷品既能满足凹印的最佳适性,又能最大限度地满足客户的视觉欣赏要求。一、     

无陀螺捷联惯导系统现状及发展研究

结合国内外的研究文献,对无陀螺捷联惯性导航系统(GFSINS)的研究进行总结,分析了其导航和力学原理.介绍了三种无陀螺惯性测量单元加速度计配置方案,分别就其典型配置进行了重点分析.最后,对该技术的未来研究方向进行了展望.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

一种低压低功耗SRAM/SOI单元设计

提出一种改进4管自体偏压结构SRAM/SOI单元.基于TSUPREM4和MEDICI软件的模拟和结构性能的分析,设计单元结构并选取结构参数.该结构采用nMOS栅下的含p+埋沟的衬底体电阻代替传统6管CMOSSRAM单元中的pMOS元件,具有面积小、工艺简单的优点.该结构可以在0.5V的电源电压下正常工作,与6管单元相比,该单元瞬态响应正常,功耗只有6管单元的1/10,满足低压低功耗的要求.     

两种自主开发的图形外延SiGe工艺

使用清华大学微电子学研究所研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/P0ly-Si复合介质层,作为图形外延SiGe单晶材料的窗口屏蔽介质,开发出了不同的实用化图形外延SiGe工艺.     

准噶尔盆地加快天然气勘探有利条件及预探领域分析

准噶尔盆地天然气资源十分丰富,勘探潜力巨大。该盆地具备形成大气区的地质背景,发育石炭系、二叠系、侏罗系三套气源岩,演化程度高,气源条件充足;发育多类型、多套储集体和四套区域盖层,形成了有利的储盖组合及成藏配置。通过对五彩湾、滴西、莫索湾、莫北地区典型气藏的分析研究,该盆地发育多种气藏类型,包括构造型、古潜山型、火山岩内幕型及地层(不整合遮挡)型。通过研究指出,天然气勘探的现实领域有陆东—五彩湾地区、陆西—莫北—莫索湾地区;待突破的领域有腹部下组合大型古隆起及岩性气藏、南缘冲断带;正在准备的勘探领域主要为煤层气。