全文获取类型
收费全文 | 334960篇 |
免费 | 24336篇 |
国内免费 | 12639篇 |
专业分类
电工技术 | 18102篇 |
技术理论 | 56篇 |
综合类 | 19828篇 |
化学工业 | 56908篇 |
金属工艺 | 18739篇 |
机械仪表 | 21293篇 |
建筑科学 | 25880篇 |
矿业工程 | 11017篇 |
能源动力 | 9801篇 |
轻工业 | 18861篇 |
水利工程 | 5324篇 |
石油天然气 | 23077篇 |
武器工业 | 2616篇 |
无线电 | 36778篇 |
一般工业技术 | 39988篇 |
冶金工业 | 18480篇 |
原子能技术 | 3238篇 |
自动化技术 | 41949篇 |
出版年
2024年 | 1307篇 |
2023年 | 5258篇 |
2022年 | 8976篇 |
2021年 | 12686篇 |
2020年 | 9920篇 |
2019年 | 8084篇 |
2018年 | 9282篇 |
2017年 | 10463篇 |
2016年 | 9354篇 |
2015年 | 12341篇 |
2014年 | 16000篇 |
2013年 | 19349篇 |
2012年 | 20301篇 |
2011年 | 22590篇 |
2010年 | 19314篇 |
2009年 | 18468篇 |
2008年 | 18094篇 |
2007年 | 17491篇 |
2006年 | 18346篇 |
2005年 | 16215篇 |
2004年 | 10381篇 |
2003年 | 9156篇 |
2002年 | 8178篇 |
2001年 | 7514篇 |
2000年 | 8040篇 |
1999年 | 9697篇 |
1998年 | 8175篇 |
1997年 | 6779篇 |
1996年 | 6375篇 |
1995年 | 5349篇 |
1994年 | 4381篇 |
1993年 | 3096篇 |
1992年 | 2496篇 |
1991年 | 1961篇 |
1990年 | 1506篇 |
1989年 | 1234篇 |
1988年 | 1019篇 |
1987年 | 681篇 |
1986年 | 535篇 |
1985年 | 342篇 |
1984年 | 243篇 |
1983年 | 204篇 |
1982年 | 196篇 |
1981年 | 130篇 |
1980年 | 132篇 |
1979年 | 67篇 |
1978年 | 33篇 |
1977年 | 38篇 |
1976年 | 55篇 |
1975年 | 20篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
221.
W. Li J.B. Heroux H. Shao W.I. Wang 《Photonics Technology Letters, IEEE》2005,17(3):531-533
Strain-compensated InGaAsSb-AlGaAsSb quantum-well (QW) lasers emitting near 2.5 /spl mu/m have been grown by solid-source molecular beam epitaxy. The relatively high arsenic composition causing a tensile strain in the Al/sub 0.25/GaAs/sub 0.08/Sb barriers lowers the valence band edge and the hole energy level, leading to an increased hole confinement and improved laser performance. A 60% external differential efficiency in pulsed mode was achieved for 1000-/spl mu/m-long lasers emitting at 2.43 /spl mu/m. A characteristic temperature T/sub 0/ as high as 163 K and a lasing-wavelength temperature dependence of 1.02 nm//spl deg/C were obtained at room temperature. For 2000 /spl times/ 200 /spl mu/m/sup 2/ broad-area three-QW lasers without lateral current confinement, a low pulsed threshold of 275 A/cm/sup 2/ was measured. 相似文献
222.
介绍了城市轨道交通直流牵引供电系统的构成,详细叙述了直流牵引供电系统的主要电气设备及其连接方法,以及系统的运行方式.另外,还简单介绍了系统配置的直流保护以及保护原理和保护作用. 相似文献
223.
224.
225.
调剖用聚合物凝胶体系 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍5种有代表性的聚合物凝胶体系,主要讨论调剖用聚合物凝胶体系的特点和应用范围.指出了聚合物凝胶体系的几个重要性质及两种类型凝胶体系的凝胶机理,举出了聚合物凝胶体系的现场试验及应用情况. 相似文献
226.
“我们在一个非常合适的时期, 在一个非常合适的地点, 召开了一个非常合适的会议。”在2003年的“中国城市信息技术应用高层论坛”上,中国市长协会副会长兼秘书长陶斯亮曾过这样一句话。这个“合适的地点”,就是石龙。 广东中心城镇——石龙 美丽的东江蜿蜒而下的北干流与南支流交汇一处,形成一河三埠的风水宝地——石龙。石龙北靠广州,南临深圳,毗邻香港,距广州69公里,深圳78公里,历来都是东江水运的重要港口。 石龙,已有800年的悠久历史,自宋代开始有人定居。由于东江穿境而过,航运极为便利,石龙在明末清… 相似文献
227.
Analysis of dinosaur samples by nuclear microscopy 总被引:2,自引:0,他引:2
Xiankang Wu I. Orli S. M. Tang Yiming Wang Xiaohong Wang Jieqing Zhu 《Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms》1997,130(1-4):308-314
Several dinosaur bone and eggshell fossil samples unearthed at different sites in China were analyzed by means of nuclear microscopy. Concentrations and distributions of elements such as Na, Mg, Al, P, S, Ca, Cr, Mn, Fe, Cu, Zn, As, Br, Sr, Y, Ce, Pb and U, etc. were obtained for each sample. The results of quantitative PIXE and RBS analyses show unusually high concentrations of U and Ce in several samples obtained from a period near the K-T boundary (between Cretaceous and Tertiary periods, 65 million years ago), suggesting that some form of environmental pollution could be the cause of dinosaur extinction. 相似文献
228.
本文介绍一种基于VME总线的高速A/D缓冲系统的原理和结构。着重阐述了高速数据采集技术,高速FIFO缓冲技术,存储器总线切换技术,VME及PC/ISA总线接口技术在本系统中的成功应用。 相似文献
229.
McKeon J.B. Chindalore G. Hareland S.A. Shih W.-K. Wang C. Tasch A.F. Jr. Maziar C.M. 《Electron Device Letters, IEEE》1997,18(5):200-202
This letter presents for the first time, the experimentally determined majority carrier mobilities in the accumulation layer of a MOSFET for both p-type and n-type channel doping for a wide range of doping concentrations. The measured carrier mobility is observed to follow a universal behavior at high transverse fields, similar to that observed for minority carriers in MOS inversion layers. At the higher doping levels, the effective mobility for majority carriers at low to moderate transverse fields is found to be very close to the bulk mobility. This is believed to be due to carrier screening of the ionized impurity scattering which dominates at the higher doping concentrations 相似文献
230.