二氧化硅超薄膜的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究

用超高真空热氧化方法在Si(111)清洁衬底上生长了二氧化硅超薄膜，并利用超高真空扫描隧道显微镜和扫描隧道谱技术对超薄膜的表面形貌和局域电学特性进行了研究。结果显示，在超薄范围二氧化硅呈层状生长，不同层的微分电导谱所测禁带宽度差别可以达到约3eV，形貌对二氧化硅带宽的影响小于膜厚的影响。     

静态时序分析中的门延时计算

静态时序分析由于速度快和容量大而广泛应用于时序验证,而门延时的计算则是静态时序分析中的关键部分。以前利用等效输出驱动点导纳函数相等原理产生的模型,由于不能很好的与等效电容公式结合,门延时的计算存在过于悲观性或乐观性结果。本文采用输出驱动导纳和互连线拓扑结构相结合的方法, 对门延时负载模型进行了改进,很好地与等效电容计算结合,保证了静态时序分析的准确性。     

基于新型控制器LM2588系列的多路供电电源设计

传统回扫式电路由于连续型和断续性控制特点不同,存在系统稳定性设计较难,升压型电路会产生较大噪声干扰和输出纹波电压。本文以最新的LM2588系列控制器为基础,旨在实现一种能够满足多路供电电压输出而无须进行复杂设计的小型、低成本、高集成度的电源解决方案。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGepMOS同SipMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGepMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGepMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于SipMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同SipMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGepMOS呈现穿通击穿机制     

星间激光通信中光放大技术应用研究

随着星间光通信技术的发展，光放大技术的应用成为了必然。本文研究了星间激光通信中不同波长光放大器的应用方案，提出并分析了对应的应用技术难点。     

基于谐振原理的硅微机械加速度计

基于力学振动原理 ,导出敏感梁类谐振振动的微分方程 ,给出了振梁型加速度计的设计原理。指出了加速度计谐振梁频率的相对变化量与梁的厚度无关 ;为避免输出非线性频率信号 ,频率的相对变化率和激励振动的振幅都不宜太大     

IP 地址的现状与发展

随着Internet用户和可上网的终端数量的激增 ,IP地址空间日趋枯竭 ,IP地址的扩充需求也愈加迫切。新一代寻址方案IPv6将成为未来因特网的主流协议。     

提高引线键合机超声系统性能的若干因素的分析

概述了引线键合机超声系统的组成，分析了影响引线键合机超声系统的若干因素，在此基础上提出了一些优化超声系统性能的措施。     

光纤通信技术讲座--(九):光复用技术

介绍波分复用(WDM)、光时分复用(OTDM)和光码分复用(OCDM)的原理.     

光通信技术讲座--(十二):光纤通信系统色散补偿和管理

介绍现在广泛使用的色散补偿和管理的方法、基理及其进展.