8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ     

液体钽电容器工作电解液的研究

根据阴极容量理论，探讨在液体钽电容器的工作电解液中加入去极化盐类的影响。经试验得出结论：在低压电容器的工作电解液中加入ＣｕＳＯ４·５Ｈ２Ｏ，高压电容器的工作电解液中加入ＶＯＳＯ４，均有助于改善电容器的电性能。     

一种铁氧体移相驱动器专用集成电路

介绍了ＳＡ０１８铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理，电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器，放大器，积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体，大大减少了铁氧体移相器的外围设计。     

波导加载腔的场计算

本文基于边界元法(BEM),提出了一种新的计算波导加载谐振腔的谐振频率、外Q值和场分布的数值计算方法。计算表明,用BEM来处理波导加载腔这样的开放系统,具有计算时间短、机器内存少和精度高等优点。     

基于四阶累积量的最小范数方向估计算法

本文分析了在高阶统计应用阵来波方向估计问题中二阶子空间与四阶子空间的概念及形式关系。提出了基于四阶累积量的最小范数方法。提出了四阶累积量方法对于均匀直线阵的零谱求很方法。最后给出了模拟实验举例。     

一种多径环境下基于四阶累积量的阵列扩展测向方法

本文分析了基于四阶累积量的测向方法不能正确测量多径信号方向的原因，提出了一种多径环境下的基于四阶累积量的新型测向方法。该方法利用零点领处理方法抑制多径信号，然后采用四阶累积量进行阵列扩展测向。计算机模拟结果表明该方法在多径环境下具有良好的性能并且可能实现对足够多的信号进行测向。     

脉冲激光(固体YAG)焊接中参数制约的分析

脉冲激光焊接过程中，焊接参数的选取存在相互制约的关系。以电压和脉冲宽度为例，分析了产生制约关系的物理内因过程。所得结果有益于决定影响可变参数最大动态范围的最优参数点。     

S波段多注宽带速调管的研制

本文介绍了S波段200kW多注宽带速调管的研究工作。给出了多注速调管及其电子光学和聚焦系统、宽带输出电路的设计和计算结果。并给出了我国第一批实验型多注宽带速调管的性能:工作电压19kV时,控制极负偏压为7kV,脉冲电流32.25A,导流系数12.3P,电子注直流通过率91.8％。最大输出功率252kW,平均功率3.5kW,效率41％,增益49dB,带宽9.1％,带内功率波动1.7dB。     

a—Si：H TFT电流—电压特性研究

本文发展了一种研究ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，并由此推导出了ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ电流－电压特性的解析表达式。其理论值与实验值符合很好。该模型可用于ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性分析及其电路优化。     

注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟

通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏（ＳＰＶ）法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。