冷冻水大温差对风机盘管性能影响的研究

冷冻水大温差可以节约冷冻水泵的能耗,但也使末端装置--风机盘管的性能下降.本文利用风机盘管性能数学模型,定量地分析了冷冻水大温差对风机盘管的冷量和去湿能力的影响,并提出利用冷冻水大温差以达到节能目的的可行性.     

纯镁的细胞毒性和溶血率试验研究

介绍了处理前后的纯镁细胞毒性和溶血率试验的结果.试验结果表明,小鼠骨髓细胞与纯镁试样直接接触的细胞毒性实验中,纯镁没有对小鼠骨髓细胞的增殖产生明显的毒副作用;但未经处理的纯镁试样出现了较为严重的溶血现象.经过表面改性后,纯镁试样的溶血率在生物材料允许的＜5%的范围之内.本阶段试验提示,经表面改性后的纯镁可能用作生物材料.     

新型医用无镍不锈钢性能研究

医用植入不锈钢由于其优良的性能广泛应用于医疗领域,其中含有的镍元素由于腐蚀溶出除了对人体产生过敏反应外,还存在致畸、致癌的危害性.医用无镍不锈钢的研究和开发将会避免镍的危害,大大提高生物植入材料的长期使用安全性.本文总结了国内外医用无镍不锈钢的研究进展,并开展了新型医用无镍不锈钢(bioss4合金)的研究工作.与传统使用的医用316L不锈钢相比,新型医用无镍不锈钢具有更好的强韧性配合,优良的耐蚀性和生物学相容性,这种优势将为其提供了广阔的应用前景.     

复合材料层间应变测试实验

复合材料受到应力作用层间会产生变形,应力过大层间会出现撕裂的现象。针对这一问题, 利用光纤法珀应变传感器与复合材料层间间隙尺寸相当的特点,将该传感器置入复合材料层间,在万能拉伸仪上进行复合材料应变测试实验。实验表明:利用光纤法珀应变传感器检测复合材料层间应变的方法是完全可行的。     

光电编码角位移传感用于三表集抄系统

本文介绍了用于水、电、气三表集抄系统的光电编码角位移传感技术。光电编码器测量出数字轮当前角度,它有 20 个编码,采用 5 个发射管、5 个接收管和 2 个码道的设计方案。直读表具的数据通过集中器采集到管理系统,实现了三表的集抄。     

大线能量焊接耐火耐候建筑用钢的性能试验及应用研究

对武钢研制的大线能量焊接耐火耐候建筑用钢的力学性能、焊接性能与其典型应用进行了研究。试验结果表明：该钢具有优良的综合力学性能，在600℃温度下的屈服强度均高于其室温下屈服强度的2／3，完全满足建筑结构用钢耐火安全性的强度许用指标；该钢具有低的焊接冷裂纹敏感性，能承受大线能量(50～100kJ／cm)焊接；该钢在大型建筑应用中的实际效果良好。     

微量添加剂对6063铝合金晶粒细化及力学性能的影响

研究了微量稀土和Al-Ti-B添加剂对6063铝合金的晶粒尺寸和力学性能的影响。结果表明：微量稀土和Al-Ti-B复合作用后的效果更明显，6063铝合金的晶粒得到显著细化，抗拉强度和延仲率得到很大的提高。     

高速连铸结晶器保护渣流变特性的研究

用改进的可变转速粘度仪测定了连铸保护渣(％：1.47MgO，12．98Al2O3，47．57SiO2，7．71Na2O，28．52CaO，1．75TiO2)的流变特性，以试验总误差为测量牛顿流体时所容许的最大偏差，由试验得到不同转速下剪切速率D和剪切应力τ，作出τ～D对数曲线，经回归得出熔渣本构方程，以判别熔体是否为非牛顿流体。结果表明，在1200℃较低温度下，该保护渣仍为牛顿流体，如再加入较多的CaO，则保护渣变为非牛顿流体。     

Synthesis and red electrophosphorescence of a novel cyclometalated iridium complex in polymer light-emitting diodes

The preparation and characterization of a new cyclometalated iridium complex with 2-(1-naphthalene) pyridine ligand were reported. An electrophosphorescent device was fabricated by using this new iridium complex as guest and poly-(cyano-paraphenylene) as host. Red electrophosphorescence was observed with an emission peak at approximately 600 nm. An external quantum efficiency of 1.3% was achieved in this electrophosphorescent polymer light-emitting devices.     

Growth of aluminum nitride thin films prepared by plasma-enhanced atomic layer deposition

Aluminum nitride (AlN) thin films were deposited by atomic layer deposition from aluminum chloride (AlCl₃) and an ammonia/hydrogen plasma. The most important role of the ammonia/hydrogen plasma was to act as a reducing agent to extract Cl from AlCl₃, and to form AlN subsequently. The growth rate was saturated at ∼0.042 nm/cycle, and the thickness was proportional to the number of reaction cycles. Repeating this reaction cycle led to precisely controlled growth. The film properties were analyzed using Auger electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, Rutherford backscattering spectroscopy and time-of-flight elastic recoil detection analysis. The concentration of chlorine and hydrogen impurities was 0.23 and 2.01 at.%, respectively. AlN films showed good anti-oxidation properties when O₂ was annealed at 650 °C for 30 min.