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The reconstructed surface structure of the II–VI semiconductor ZnTe (110), which is a promising material in the research field of semiconductor spintronics, was studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS). First, the surface states formed by reconstruction by the charge transfer of dangling bond electrons from cationic Zn to anionic Te atoms, which are similar to those of IV and III–V semiconductors, were confirmed in real space. Secondly, oscillation in tunneling current between binary states, which is considered to reflect a conformational change in the topmost Zn–Te structure between the reconstructed and bulk-like ideal structures, was directly observed by STM. Third, using the technique of charge injection, a surface atomic structure was successfully fabricated, suggesting the possibility of atomic-scale manipulation of this widely applicable surface of ZnTe.  相似文献   
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Litvyak  V. M.  Cherbunin  R. V.  Kalevich  V. K.  Kavokin  K. V. 《Semiconductors》2020,54(12):1728-1729
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of...  相似文献   
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Wireless Personal Communications - A relatively new area of research and development is Swarm Robotics. It is a part of the swarm intelligence field. In the proposed paper, we shall use swarm...  相似文献   
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Atom scattering is becoming recognized as a sensitive probe of the electron–phonon interaction parameter λ at metal and metal-overlayer surfaces. Here, the theory is developed, linking λ to the thermal attenuation of atom scattering spectra (in particular, the Debye–Waller factor), to conducting materials of different dimensions, from quasi-1D systems such as W(110):H(1 × 1) and Bi(114), to quasi-2D layered chalcogenides, and high-dimensional surfaces such as quasicrystalline 2ML-Ba(0001)/Cu(001) and d-AlNiCo(00001). Values of λ obtained using He atoms compare favorably with known values for the bulk materials. The corresponding analysis indicates in addition, the number of layers contributing to the electron–phonon interaction, which is measured in an atom surface collision.  相似文献   
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Journal of Communications Technology and Electronics - This paper implements mathematically rigorous extended trial function algorithm to address cubic–quartic optical solitons in...  相似文献   
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