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61.
甲基丙烯酸乙酯合成工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以大孔强酸性离子交换树脂为催化剂,甲基丙烯酸(MAA)与乙醇直接酯化合成甲基丙烯酸乙酯(EMA)。在MAA与乙醇摩尔比为1:3、反应温度89~93℃、空速0.3h~(-1)的条件下,MAA转化率不低于98%,EMA的选择性不低于99%。 相似文献
62.
本文采用粉末冶金法制备了不同成分的PSZ/Mo复合材料。并对其密度、弹性模量和热膨胀系数进行了测量和分析 ,用XRD进行了物相分析。实验结果表明 :纳米氧化锆的烧结性能比金属钼好 ;弹性模量估算选用简单混合法则进行计算时应进行修正 ;钼和氧化锆在烧结时不发生化学反应。通过热压PSZ/Mo功能梯度材料的断口扫描分析发现 :虽然金属钼和纳米氧化锆具有一定增韧作用 ,但材料断裂方式仍以脆性断裂为主 相似文献
63.
A hybrid finite element method/method of moments (FEM/MoM) technique is used to analyze a printed circuit board power bus structure where the source and observation points are in the near field. The FEM is used to model the lossy region between the planes of the board including the source. The MoM is used to model the region outside the planes and provide a radiation boundary condition to terminate the FEM mesh. Numerical results for a bridged power bus structure are compared with measurements. A nonphysical interior resonance of the electric field integral equation is observed. The problem can be avoided by using a hybrid technique based on a combined field integral equation 相似文献
64.
卞韵 《常州信息职业技术学院学报》2005,4(4):95-96
以票据为主体的结算制度,是我国结算改革的重大突破,也是结算改革取得显著成绩的表现。根据票据的特征,对票据使用在我国的可能性和必要性进行分析,并结合我国结算改革中存在的一些问题,提出几点设想。 相似文献
65.
66.
Seo K. Heiblum M. Knoedler C.M. Oh J.E. Pamulapati J. Bhattacharya P. 《Electron Device Letters, IEEE》1989,10(2):73-75
A high-gain ballistic hot-electron device is described. The GaAs-AlGaAs heterostructure device, with a 21-mm-thick pseudomorphic In 0.12Ga0.88As base, had a current gain of 27 at 77 K and 41 at 4.2 K. As characteristically seen in ballistic devices, transfer into the L valley limited the maximum gain. The Γ-L valley separation in the strained In0.12Ga0.88As was estimated to be about 380 meV 相似文献
67.
68.
Dielectric reliability in Al2O3(2–3.1nm)–HfO2(3nm) stack capacitor with Metal–Insulator–Si(MIS) structure is investigated in this paper. We propose an optimized capacitor process through the Time–Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) data under various process conditions. Furthermore, due to asymmetric current at both negative and positive voltage stress polarities, we show different lifetime extrapolation by a fluence–driven model. As a result, the maximum allowed operating voltage is projected to be 1.7V (failure rate 10ppm during 10year @ 85°C) for Data “0” retention lifetime. 相似文献
69.
A practical resource management method that can significantly reduce cochannel interference (CCI) and improve spectrum utilisation in FH-OFDMA packet-based cellular networks is presented. The proposed method seeks an effective combination of dynamic resource allocation with fractional coding and bit loading to respectively minimise CCI and maximise system throughput for a desired performance. 相似文献
70.
A W-band divide-by-3 frequency divider with wide bandwidth and low power dissipation is presented using harmonic injection-locking technique. A cascode FET is employed for a self-oscillating second-harmonic mixer which is injection-locked by third-harmonic input to obtain the division order of three. The fabricated frequency divider using 0.1 /spl mu/m GaAs metamorphic HEMT technology shows superior performance such as large bandwidth of 6.1 GHz around 83.1 GHz (7.3%) under small DC power consumption of 12 mW. 相似文献