AB_5型贮氢合金P－C关系的人工神经网络研究

本文利用人工神经网络方法研究了ＡＢ５型贮氢合金的Ｐ－Ｃ曲线、平台宽度和平台压力等，并取得了满意的结果，表明人工神经网络可用于贮氢材料的设计     

Cu-Al-Mn-Ti形状记忆合金抗母相时效的研究

利用弯曲试验、X射线衍射、金相和扫描电镜及透射电镜观察等方法研究了CuAl24Mn3Ti2合金在不同母相时效处理条件下的抗母相时效能力。结果表明,对于同一种变形量,Cu-Al-Mn-Ti合金在母相时效时,形状记忆效应随不同时效保温温度呈现先下降后上升的规律性变化,其中400℃记忆效应最好,500℃最差;而形状记忆效应则随不同时效保温时间呈现不同程度的先上升后下降的规律性变化,400℃合金下降缓慢,500℃下降加快;Mn和Ti的加入细化了组织,并且形成了富Mn和富Ti相,强化了合金组织,提高了合金的记忆效应。     

PE—01型水玻璃砂溃散剂的研制与应用

试验研究了ＰＥ—０１溃散剂的加入量与芯砂性能的关系，并与其它同类产品进行了对比。     

二次喷丸42CrMo钢表面完整性的数值模拟研究

目的探究二次喷丸工艺参数对42CrMo钢零件表面完整性的影响规律。方法建立三维随机喷丸有限元模型,并通过实验验证有限元模型预测残余应力的准确性。将一次喷丸后零件的表面形貌和应力应变结果作为初始状态导入到二次喷丸模型中,构建出二次喷丸预测模型。分析二次喷丸参数对42CrMo钢零件表面残余应力场、表面粗糙度以及等效塑性形变场的影响情况。结果二次喷丸后,42CrMo钢零件近表层(0～100μm)的残余压应力值均比初始状态有所增加。增加二次喷丸覆盖率对表面残余应力的提升作用最为明显,最大可比初始状态提高63.3%,而增加二次喷丸直径对残余应力的改善效果最不明显。过度增加二次喷丸速度会导致表面粗糙度明显增加,提高二次喷丸覆盖率可显著降低表面粗糙度,覆盖率为300%时,粗糙度比初始状态减小了14.4%。表层PEEQ值随着二次喷丸速度、弹丸直径和覆盖率的增加而增加,但当二次喷丸速度、弹丸直径和覆盖率增加到一定程度后,表层PEEQ值会趋于饱和。结论二次喷丸预测模型揭示了二次喷丸参数与42CrMo钢零件表面完整性之间的影响规律,为二次喷丸的工业应用提供了一定的参考意义。     

数控加工仿真系统的研究现状

介绍了数控仿真系统研究的状况,并对国内外的研究进行了比较,由此提出了数控仿真系统的发展趋势。     

呋喃树脂-磺酸自硬砂导致球铁件表层组织异常的原因

本实验研究查明,当用甲苯磺酸作催化剂的呋喃树脂自硬砂生产稀土镁球铁件时,通常在其铸件表层出现异常组织.提出导致异常组织产生的原因,是由于甲苯磺酸在铁水浇注和凝固过程中,受热作用分解出SO2气体,并吸附在铸件的表面离解成硫原子后扩散进入铸件表层一定深度,同时同其中的Mg、RE和Mn反应形成硫化物,从而使石墨球化和稳定珠光体的有效元素含量不足,导致铸件表层出现异常组织,并显著降低试件的冲击值(低约44%).     

空拔管最佳模角的计算

本文建立了空拔钢管最佳模角的计算模型。该计算模型较好地描述了减面率、接触表面摩擦等因素对最佳模角的影响     

汽车用磁性材料和磁性器件

汽车前灯装置用的磁性材料为了减少汽车夜间行驶的交通事故,一个重要的办法就是提高驾驶员的眼睛的夜间辨认能力,这就要在汽车上安装高亮度前灯（High Intensity Dischrge Lamp,简写为HID灯）,这种灯较传统用的卤灯省电且更亮,这样驾驶员就能借助它容易发现路面障碍物.HID灯是水银灯、金属卤化物灯、高压钠灯的统称.其中金属卤化物灯用作汽车前灯有2个缺点：①从点灯至达到规定亮度需数分至数十分钟;②一旦灯灭,再点着也必需数分至数十分钟.为克服这两点缺点在其点灯电路中必须设置变换器和触发器.     

低温烧结Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质陶瓷的结构与性能

对低温烧结Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质陶瓷进行了研究,讨论了V离子取代Nb离子进入铌酸锌晶格后对材料结构与微波性能的影响以及V5+取代后材料结构与性能之间的关系.实验结果表明少量V5+取代Nb5+后材料的烧结温度可从未取代时的1150℃显著降至取代后的950℃;V离子进入铌酸锌晶格,材料晶体结构仍为铌铁矿结构;低温烧结后ZnNb0.9(V0.1)2O6微波介质材料具有圆柱状微结构和部分玻璃相物质;Zn(Nb0.9V0.1)2O6微波介质材料950℃烧结后具有最佳微波介电性能(介电常数为25,Q×f值为29 500GHz,谐振频率温度系数为-44×10-6/℃).     

Analysis of the abnormal resistance in AlGaN/GaN heterostructure＇s ohmic contact tests

Ti/Al/Ti/Au and Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts were fabricated on AlGaN/GaN heterostructure under different temperatures of rapid thermal processing （RTP）. Since abnormal resistance values were observed during the contact resistance testing,the surface morphology and contact borders of the samples were analyzed to determine the physical mechanism. Such abnormal phenomenon is found to originate from cracking of the AlGaN layer during RTP,flowing of Ti/Al metallic liquid along the crevices,and continuous reaction of the metallic liquid with AlGaN/GaN. Such processes result in abnormal conduction channels. The possible mechanism of the crevice formation was discussed,and the possible solutions to avoid the crevices were proposed.