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11.
In this letter, bandpass filters with one or two tunable transmission zeros are proposed. The reconfigurable transmission zeros are implemented through varactors in combination with tapped quarter-wavelength stubs. Based on mixed mode simulations including EM simulation and circuit simulation, the proposed filters were designed and fabricated on low-cost FR4 board. The measurement results verified the design concepts.  相似文献   
12.
Towards intelligent dressing   总被引:1,自引:0,他引:1  
The aim of this article is to state the principles of an intelligent monitoring and control system for the grinding machine, comprising the dressing process as well as grinding stability.  相似文献   
13.
通过对洗衣机脱水桶塑料成型件的特性分析,简要介绍了其成型模具的设计和有关参数的计算方法。  相似文献   
14.
A comprehensive survey of photosensitivity in silica glasses and optical fiber is reviewed. Recent work on understanding the mechanisms contributing to germanium or aluminum doped fiber photosensitivity is discussed within the framework of photoelastic densification models  相似文献   
15.
研究了两种比活度的131Ⅰ-MIBG在正常及利血平抑制后在鼠体内的分布,结果表明:注射后4h,正常鼠心肌对3.22TBq/g的MIBG摄取为9.08%ID/g,明显高于对18.5GBq/g的摄取(4.87%ID/g)。计算表明,比活度主要影响了鼠心肌交感神经囊泡内摄取,而与囊泡外摄取无关.当MIBG用于心肌显像时,高比活度的MIBG有利于诊断。  相似文献   
16.
Carboxyl-terminated butadiene-acrylonitrile-rubber decreases modulus and yield stress of the studied epoxy but increases fracture toughness. The addition of glass bead compensates for the loss in modulus but has little effect on yield stress. However, it significantly contributes to the fracture toughness by providing additional mechanisms for toughening of both the unmodified and rubber-modified epoxy. For the toughened epoxies studied, fracture surfaces gave only limited information on fracture mechanisms since significant energy absorption also occurs in the material below the fracture surface. Suggestions for suitable material compositions for fiber composite matrices are given.  相似文献   
17.
18.
Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs  相似文献   
19.
钍基核燃料的基础研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
张家骅  包伯荣 《核技术》1989,12(7):405-408
  相似文献   
20.
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