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The low temperature (100°C) deposition of Sc2O3 or MgO layers is found to significantly increase the output power of AlGaN/GaN HEMTs. At 4 GHz, there was a better than 3 dB increase in output power of 0.5×100 μm2 HEMTs for both types of oxide passivation layers. Both Sc2 O3 and MgO produced larger output power increases at 4 GHz than conventional plasma-enhanced chemical vapor deposited (PECVD) SiNx passivation which typically showed ⩽2 dB increase on the same types of devices. The HEMT gain also in general remained linear over a wider input power range with the Sc2O3 or MgO passivation. These films appear promising for reducing the effects of surface states on the DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs  相似文献   
996.
997.
Exposure to pollutants in the air over a long period of time slowly degrades aluminum stranded conductors steel reinforced (ACSR) of overhead transmission lines. Presently, a large number of ACSR conductors have exceeded their forecast useful life. Therefore, it is required to assess the condition of most conductors to determine an economic maintenance schedule. This paper describes a method for evaluating the current condition of aged conductors based on dominant factors such as years in service, environment index, and conductor configuration. The paper presents a diagnostic tool with a fuzzy inference system (FIS) to predict the deterioration degree corresponding to the lifetime of aged conductors based on experts' knowledge. This system can be used as an effective guide to perform nondestructive diagnosis and maintenance of old ACSR conductors.  相似文献   
998.
Filters with 100 GHz free spectral range (FSR) and finesse up to 16 are demonstrated over the 1525 to 1583 nm band. The photoinduced birefringence results in a polarisation-dependent spectral response. Finesse and FSR uniformity are addressed  相似文献   
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