TiN／Ag多层膜的生物相容性研究

使用离子束辅助沉积（IBAD）的方法，在医用不锈钢317L的基底上制备TiN／Ag多层膜．在TiN／Ag多层膜具有良好的抗茵性和抗腐蚀性的研究基础上，通过细胞毒性试验和溶血试验评价了TiN／Ag多层膜的生物相容性．试验结果表明：TiN／Ag多层膜样品的细胞毒性等级在0～1之间；溶血率〈5％，符合生物医学材料的标准．这些说明TIN／Ag多层膜不仅具有抗菌性和抗腐蚀性，而且具有良好的生物相容性．     

多响应性聚合物微球的制备与光学性质研究

通过分散聚合法合成了形态规则、平均粒径在370nm左右、粒径分布均匀的聚（N-异丙基丙烯酰胺甜丙烯酸（P（NIAM-co-AAc））交联型聚合物微球．在，此基础上选择不同浓度的Tb（Ⅲ）离子与P（NIPAM-co-AAc）微球进行复配，制备了P（NIPAM-co-AAc）-Yb（Ⅲ）的复配微球．通过紫外光谱和荧光光谱对复配微球的表征发现：该复配微球具有温敏性和pH响应性：P（NIPAM-CO-AAc）微球和Tb（Ⅲ）之间发生了有效的能量传递，明显增强了Yb（Ⅲ）的特征荧光发射．     

静电纺丝法制备LaMnO3微／纳米纤维

以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）为络合剂与Mn（CH3COO）2和La（NO3）3·6H2O反应制得前驱体，用静电纺丝法制备了PVP／Mn（CH3COO）2·La（N03）3纤维，经煅烧得到具有高比表面积的LaMnO3微／纳米纤维。并采用红外光谱（IR）、X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）等现代分析手段对所制备的纤维进行了表征。结果表明：焙烧后纤维的直径明显减小，在150-300nm之间：PVP特征吸收峰消失，新生成的M-O吸收峰随着焙烧温度的升高变强；XRD分析出现相应氧化物的特征峰，说明有LaMnO3的生成。     

Tb0.5Dy0.5（Fe1-x）1.91（x=0～0.15）合金的温度性能研究

研究了Mn元素掺杂及热处理工艺对超磁致伸缩材料Tb0.5Dy0.5（Fe1-x）1.91（x=0～0.15）合金温度性能的影响，实验结果表明Mn掺杂对该材料居里温度影响较大，随Mn掺杂量的增加居里温度降低：在无预压应力时，Mn掺杂提高了合金的低温、低场磁致伸缩应变性能；热处理工艺对进一步提高磁致伸缩性能无明显作用。     

低磁场条件下Gd5（Si1-xGex）4（x=0，0.2，0.3）合金磁热效应研究

用高频真空悬浮炉在氩气保护下制备了Gd5（Si1-xGex）4（x=0，0.2，0.3）系列样品，用直接测量方法测定了在永磁体提供的低磁场H=1.3T）条件下样品的磁热效应曲线（△Tad-T）．结果表明，用元素Ge分别替代Gd5Si4合金中的Si原子，不能增强合金的磁热效应，但可在333～300K范围改变材料的居里温度，且磁热效应峰值范围变宽．     

过渡元素掺杂SnO2激光隐身材料的制备及应用研究

以SnO2为主要组成，通过掺杂CuO、Sb2O3、Ni2O3、ZnO等过渡金属元素，制备了具有优异激光吸收性能的材料，研究了掺杂量、合成温度对材料性能影响，确定了最佳的组成配比和合成温度。     

原位聚合法制备石蜡微胶囊的工艺研究

考察了助剂类型和后处理工艺对微胶囊制备的影响。结果表明，表面活性剂的加入会影响微胶囊形成，加入4．0％的表面活性剂得不到微胶囊，而在不加助剂或加入聚乙烯醇时能够得到较高微胶囊化率的微胶囊。制备石蜡微胶囊必须考虑后处理工艺的影响，需依次用热水、乙醇和热石油醚洗涤才能除去未包覆石蜡。通过对微胶囊合成过程的分析表明，要形成石蜡微胶囊，必须使生成的物质具有在石蜡液滴表面富集的能力。尿素和甲醛反应生成的缩聚产物具有一定的表面活性，逐渐移动到两相界面，在水相中进一步反应、沉积，包覆石蜡形成微胶囊。     

冷等离子体中的粉体研究

介绍了在冷等离子体中粉体研究的几个重要成果，分析了粉体在两种反应室结构中的运动、沉降时间及刻蚀状况。理论分析和实验结果表明带振动阴极的反应室在粉体表面刻蚀方面比传统阴极结构的反应室要优越得多。研究表明冷等离子体对硅粉纯化具有应用前景。     

镁合金表面Ti—TiN复合镀层的阴极多弧离子制备与表征

表面强化、耐蚀处理对镁及其合金的应用至关重要。采用阴极多弧离子镀膜技术，在AZ91C镁合金基底上首次成功镀制了强结合力的以Ti为过渡层的TiN复合膜层，并利用高分辨扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）、CSM显微划痕测试等技术对复合膜层的形貌、组织结构及性能进行分析研究。结果表明，采用适当的多弧离子镀膜工艺，能在经恰当预处理方法处理的镁舍金基底上制备性能良好的TiN膜。膜层均匀、致密，膜基结合力达130mN以上，复合硬度达500HV左右（AZ91镁合金基底125HV）。此外中性盐雾强化实验表明，经该方法处理后的镁合金在ASTM-B117标准测试条件下，腐蚀速度明显降低，经过200h后，表面无明显腐蚀现象。真空多弧离子镀膜技术有望在镁合金表面防护领域得到应用。     

Ca2Si电子结构和光学性质的研究

采用第一性原理赝势平面波方法系统的计算了Ca2Si电子结构和光学性质，其中包括能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数。计算结果显示Ca2Si是典型的半导体，正交相结构有一个直接的带隙，并且光学性质显示出各向异性。Ca2Si立方相的计算结果也显示是直接带隙半导体，并且有很高的振子强度。从能带和态密度的计算结果判断出它们的光学性质主要由Si的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定。