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本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真.推导了 poly-Si TFTs 表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证.基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化.基于 Brews 的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink 效应和沟道长度调制效应.对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好.同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如 SPICE. 相似文献
953.
采用固相反应法制备了TiCN掺杂的(Ba0.85Sr0.11Pb0.04)TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明:添加x(TiCN)为0.006时,可使晶粒结构均匀,PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率ρv为31.2Ω.cm,电阻温度系数αR为21%℃–1,升阻比lg(Rmax/Rmin)为5.7,居里温度tC为97℃,耐电压强度Vb为280 V.mm–1。 相似文献
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ZnS薄膜生长温度对ZnS/PS体系结构和发光的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用电化学阳极氧化法制备了一定孔隙率的多孔硅(PS,Porous Silicon)样品,然后以PS为衬底用脉冲激光沉积(PLD)的方法在100℃、200℃和300℃下生长ZnS薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,样品都在28.5°附近有一个较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向择优取向生长,但由于衬底PS粗糙的表面结构,衍射峰的半高全宽(FWHM)较大.随着ZnS薄膜生长温度的升高,薄膜的衍射峰强度逐渐增强.扫描电子显微镜(SEM)像显示,随着薄膜生长温度的升高,构成薄膜的纳米晶粒生长变大.室温下的光致发光(PL)谱表明,随着薄膜生长温度的升高,ZnS的发光强度增强而PS的发光强度减弱,把ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加,在可见光区450~700 nm形成了一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射. 相似文献
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957.
958.
线性调频(LFM)信号是现代雷达广泛使用的一种大时宽-带宽积的低截获概率信号,根据线性调频信号的小波变换特性,小波脊线与瞬时频率的对应关系,提出了一种检测线性调频信号的联合小波脊线-Hough变换方法,该方法首先计算信号的小波变换,得到二维时-频能量分布图,采用脊算法提取信号的小波脊线,然后在小波脊线时-频平面上再进行Hough变换,从而检测噪声中的线性调频信号并估计信号参数.仿真结果证明,此方法可有效地对线性调频类信号进行检测,并且有较好的抗噪声性能. 相似文献
959.
提出了一种第三方的授权服务模型,对现存的信任协商系统起到支撑作用.模型作为一个授权代理,在实体使用信任协商确定一个适当的资源访问策略后,可以在一个开放的系统中发布访问资源的令牌.模型的体系结构设计允许集成新的信任应用程序,也可以间接集成现存传统的应用程序.讨论模型、模型使用的通信协议的设计和实现,以及它的性能. 相似文献
960.