核磁共振陀螺反馈环路中滤波器的影响研究

为了分析核磁共振陀螺中129Xe自旋振荡器的振幅和频率特性,建立了相应的半经典模型,其中分别采用密度矩阵和经典电磁理论描述核自旋系综和反馈系统。然后,根据自激振荡的自洽条件推导了用于描述自旋振荡器的振荡方程。进一步,利用旋转波近似和慢变振幅近似将振荡方程化简为自洽方程组,它由分别用于描述自旋振荡器振幅和频率的振幅方程和频率方程构成。基于上述自旋振荡器的半经典模型,研究了带通滤波器对自旋振荡器振幅和频率的影响。仿真结果表明,对核磁共振陀螺的典型参量,反馈环路设计不当导致的自旋振荡器频移可达亚μHz。该研究对提高基于自旋振荡器的核磁共振陀螺性能具有一定的参考价值。     

医用电气设备的安全设计

根据GB9706.1-1995要求,提出医疗电气设备设计中经常出现的一些问题,包括电击危险的防护、剩余电压和电磁兼容、机械危险防护、超温和其他安全方面危险的防护、工作数据的准确性和对不正确输出的防止、不正常的运行和故障状态等方面,并提供了一些相关的方法和建议。     

半绝缘InP中深能级缺陷对电学性质的影响和缺陷的控制

综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关.通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系,给出了抑制缺陷产生,提高材料质量的途径.对缺陷的属性与形成机理进行了分析讨论.     

键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器

在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.     

微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究

对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.     

调制电子束在空间等离子体中激发的电磁波辐射

当调制电子束入射进空间等离子体时,由于电子束本征电磁场在非均匀等离子体中的散射(渡越辐射transition radiation)或者电子束的纵向约束性可以产生电磁波辐射.基于这两种辐射机制,研究了半无界调制电子束从航天器入射进平面分层各向同性非均匀空间等离子体产生的电磁波辐射.结果表明,由背景等离子体非均匀性产生的电磁波辐射强度高于由束的纵向约束性引起的辐射强度通过对电子束的适当调制,可以满足辐射电磁波在局部等离子体谐振区域的共振条件,从而增大辐射强度.研究结果可用于对主动空间等离子体试验数据的分析.     

一种小型平面超宽带天线的设计与研究

提出了一种新颖的小型平面超宽带(UWB)天线.该天线由微带槽天线的基本结构变形而来,为获得超宽带频率特性,设计时馈电微带线采用了渐变结构的叉形调谐支节,金属底板的开槽设计成对称多边形.首先通过数值计算来获得最佳的天线几何尺寸,并制作了实际的样品.对天线的反射特性、方向图以及增益都进行了测试,然后利用时域有限差分(FDTD)方法计算了天线收发脉冲信号的保真度.研究结果显示该天线具有良好的超宽带特性.     

基于多信号流图的飞控系统实时故障诊断

针对飞控系统构造复杂、解析建模困难的特点,给出一种基于多信号流图模型进行实时故障诊断的方法。该方法首先建立系统的多信号流图模型,然后根据模型得出相关矩阵,在相关矩阵和各实时测试结果基础上按照实时故障诊断基本算法进行诊断推理,判定系统各模块所处的状态。对某型飞机飞控系统的建模以及模拟诊断结果表明,该方法能隔离多故障,同时降低虚警率,是一种十分有效的实时故障诊断方法。     

一种基于RS 485总线的工控系统的设计与实现

设计了一种基于RS 485总线的多点控制系统,充分考虑了构建RS 485总线控制系统时硬件及软件设计中的多种问题;给出了系统硬件原理图及通信协议;讨论了基于RS 485总线工控系统的一些常见问题及解决方法。该多点控制系统经实际应用证明通信可靠,整体性能符合工业现场要求。     

电解质对高压(160 V)液体钽电容器电性能的影响

研究了有机物对液钽电容器工作电解质闪火电压及电导率的影响。试验表明,适当的有机物加入工作电解质中,可以吸附在Ta2O5介质膜表面,减少阳极界面处阴离子的有效浓度,使工作电解质闪火电压适当提高。利用所研制的工作电解质浸渍装配成160 V/47μF的液钽电容器,经1 000 h高温负荷实验,测试结果表明电容器电性能良好。